AOT10N65

Micros part number: TAOT10n65
Package: TO220
N-MOSFET 10A 650V 250W 1Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 1Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 10A
Maksymalna tracona moc [W]: 250W
Obudowa: TO220
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ALPHA&OMEGA Manufacturer part number: AOT10N65 RoHS Package: TO220 In stock: 50 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 4,8100 3,5300 2,8300 2,4300 2,2900
Add to comparison tool

Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 1Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 10A
Maksymalna tracona moc [W]: 250W
Obudowa: TO220
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 30V
Montaż: THT