AOTF10N60

Micros part number: TAOTF10n60
Package: TO220iso
N-MOSFET 10A 600V 50W 0.75Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 750mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 10A
Maksymalna tracona moc [W]: 50W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ALPHA&OMEGA Manufacturer part number: AOTF10N60 RoHS Package: TO220iso In stock: 38 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 3,8900 2,8500 2,2900 1,9600 1,8500
Add to comparison tool

Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 750mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 10A
Maksymalna tracona moc [W]: 50W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 30V
Montaż: THT