AOTF4N60

Micros part number: TAOTF4n60
Package: TO220iso
N-MOSFET 4A 600V 35W 2.2Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 2,2Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 4A
Maksymalna tracona moc [W]: 35W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ALPHA&OMEGA Manufacturer part number: AOTF4N60 RoHS Package: TO220iso In stock: 40 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 3,2000 2,0300 1,6000 1,4600 1,3900
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 2,2Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 4A
Maksymalna tracona moc [W]: 35W
Obudowa: TO220iso
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 30V
Montaż: THT