AOU2N60

Micros part number: TAOU2n60
Package: TO251 (IPACK)
N-MOSFET 2A 600V 56.8W 4.4Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 2A
Maksymalna tracona moc [W]: 56,8W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ALPHA&OMEGA Manufacturer part number: AOU2N60 RoHS Package: TO251 (IPACK) In stock: 80 pcs.
Quantity 2+ 5+ 20+ 80+ 400+
Net price (PLN) 2,0500 1,4800 1,0700 0,8970 0,8200
Add to comparison tool

Standard packaging:
80
Manufacturer:: ALPHA&OMEGA Manufacturer part number: AOU2N60 RoHS Package: TO251 (IPACK) In stock: 20 pcs.
Quantity 2+ 5+ 20+ 100+ 400+
Net price (PLN) 2,0500 1,4800 1,0700 0,8810 0,8200
Add to comparison tool

Standard packaging:
20
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu [A]: 2A
Maksymalna tracona moc [W]: 56,8W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: ALPHA&OMEGA
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 30V
Montaż: THT