AP9997GK-HF-3 ADVENCED POWER

Micros part number: TAP9997gk-hf-3
Package: SOT223
N-MOSFET 100V 3.2A 2W
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,2A
Maksymalna tracona moc: 2,8W
Obudowa: SOT223
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Advanced Power Electronics Corp. Manufacturer part number: AP9997GK-HF-3 RoHS Package: SOT223t/r   In stock: 375 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Net price (PLN) 2,4800 1,5600 1,2300 1,1200 1,0800
Add to comparison tool
Standard packaging:
500
Rezystancja otwartego kanału: 200mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,2A
Maksymalna tracona moc: 2,8W
Obudowa: SOT223
Producent: Advanced Power Electronics Corp.
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Montaż: SMD