BSP318S

Micros part number: TBSP318s
Package: SOT223
N-MOSFET 2.6A 60V 1.8W 0.09Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BSP318SH6327XTSA1 RoHS Package: SOT223t/r   In stock: 10 pcs.
Quantity 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 2,3200 1,2900 1,0200 0,9580 0,9280
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,6A
Maksymalna tracona moc: 1,8W
Obudowa: SOT223
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD