BSS123 smd

Micros part number: TBSS123
Package: SOT23
N-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 6 Ohm
Prąd drenu: 170mA
Moc (W): 0,36W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: BSS123LT1G RoHS Package: SOT23t/r In stock: 6274 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,5870 0,2690 0,1470 0,1100 0,0978
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000/30000
 
 
Data dostawy:
2021-09-12 Ask about product
Rezystancja drenu (Rds on): 6 Ohm
Prąd drenu: 170mA
Moc (W): 0,36W
Obudowa: SOT23
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny