BSS8402DW

Micros part number: TBSS8402DW
Package: SC70-6
N/P-MOSFET 115/130mA 60/50V 200mW 7.5/10Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 13,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SC70-6
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Manufacturer:: DIODES/ZETEX Manufacturer part number: BSS8402DW-7-F RoHS Package: SC70-6  
In stock:
15 pcs.
Quantity 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,3700 0,7280 0,5640 0,5210 0,4990
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Manufacturer:: DIODES/ZETEX Manufacturer part number: BSS8402DW-7-F RoHS KNP. Package: SC70-6 t/r  
In stock:
45 pcs.
Quantity 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,3700 0,7280 0,5640 0,5210 0,4990
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału: 13,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 130mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SC70-6
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD