BSZ097N04LSG TSDSON-8

Micros part number: TBSZ097n04lsg
Package: TSDSON08
N-MOSFET 40V 40A 35W 0.097Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 14,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 40A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TSDSON08
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: BSZ097N04LSG RoHS Package: TSDSON08  
In stock:
500 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Net price (PLN) 2,3000 1,4500 1,1400 1,0300 1,0000
Add to comparison tool
Standard packaging:
500
Rezystancja otwartego kanału: 14,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 40A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TSDSON08
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD