FDB33N25TM

Micros part number: TFDB33N25TM
Package: D2PAK
N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 94mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 235W
Obudowa: D2PAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: FDB33N25TM RoHS Package: D2PAK t/r   In stock: 100 pcs.
Quantity 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Net price (PLN) 5,5100 3,8600 3,2800 3,0000 2,9000
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału: 94mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 235W
Obudowa: D2PAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD