FDV304P

Micros part number: TFDV304p
Package: SOT23
P-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 460mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: FDV304P RoHS Package: SOT23t/r   In stock: 34593 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,6490 0,3080 0,1730 0,1320 0,1180
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 460mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD