FQP50N06L

Micros part number: TFQP50n06l
Package: TO220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 52,4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 25mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 52,4A
Maksymalna tracona moc [W]: 121W
Obudowa: TO220AB
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: FQP50N06L RoHS Package: TO220AB In stock: 100 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 5,8100 4,4400 3,6700 3,2200 3,0600
Add to comparison tool

Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 25mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 52,4A
Maksymalna tracona moc [W]: 121W
Obudowa: TO220AB
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 20V
Montaż: THT