IPB042N10N3G Infineon

Micros part number: TIPB042n10n3g
Package: TO263/3
N-MOSFET 100V 100A 214W 4.2mΩ IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GE8187ATMA1
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 7,4mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 137A
Maksymalna tracona moc [W]: 214W
Obudowa: TO263/3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: IPB042N10N3G RoHS Package: TO263/3 (D2PAK) In stock: 160 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 7,2300 5,7600 4,9300 4,4300 4,2500
Add to comparison tool

Standard packaging:
200
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 7,4mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 137A
Maksymalna tracona moc [W]: 214W
Obudowa: TO263/3
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 20V
Montaż: SMD