IRF530

Micros part number: TIRF530n
Package: TO220
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 110 mOhm
Prąd drenu: 17A
Moc (W): 79W
Obudowa: TO220
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRF530N RoHS Package: TO220 In stock: 220 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Net price (PLN) 2,9900 1,8800 1,4800 1,3400 1,3000
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Rezystancja drenu (Rds on): 110 mOhm
Prąd drenu: 17A
Moc (W): 79W
Obudowa: TO220
Napięcie dren-źródło [Uds]: 100V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 175°C
Montaż: THT
Polaryzacja: unipolarny