IRFB3006

Micros part number: TIRFB3006
Package: TO220
N-MOSFET HEXFET 195A 60V 375W 0.0025Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 2,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 270A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFB3006 RoHS Package: TO220   In stock: 27 pcs.
Quantity 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Net price (PLN) 9,4400 7,7300 6,7400 6,1300 5,9000
Add to comparison tool
Standard packaging:
50
Rezystancja otwartego kanału: 2,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 270A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT