IRFD210

Micros part number: TIRFD210
Package: PDIP04HVMDIP
N-MOSFET 0.6A 200V 1W 1.5Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 1,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 600mA
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Siliconix Manufacturer part number: IRFD210 RoHS Package: PDIP04HVMDIP   In stock: 100 pcs.
Quantity 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 2,4900 1,3800 1,0900 1,0300 0,9940
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja otwartego kanału: 1,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 600mA
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Producent: VISHAY
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT