IRFR1018E

Micros part number: TIRFR1018e
Package: TO252
N-MOSFET HEXFET 79A 60V 110W 0.0084Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 79A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFR1018E RoHS Package: TO252  
In stock:
58 pcs.
Quantity 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Net price (PLN) 3,9700 2,6300 2,1700 1,9800 1,8900
Add to comparison tool
Standard packaging:
75/150
Rezystancja otwartego kanału: 8,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 79A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD