IRFR1018E
Micros part number: TIRFR1018e
Package: TO252
N-MOSFET HEXFET 79A 60V 110W 0.0084Ω
Parameters
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 79A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO252 |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Producent: | International Rectifier |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Manufacturer:: International Rectifier
Manufacturer part number: IRFR1018E RoHS
Package: TO252
In stock:
58 pcs.
| Quantity | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 3,9700 | 2,6300 | 2,1700 | 1,9800 | 1,8900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 79A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO252 |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Producent: | International Rectifier |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
