IRFR13N15D

Micros part number: TIRFR13n15d
Package: TO252
N-MOSFET HEXFET 14A 150V 86W 0.18Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 180mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 86W
Obudowa: TO252
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFR13N15D RoHS Package: DPAK t/r  
In stock:
50 pcs.
Quantity 2+ 5+ 10+ 20+ 80+
Net price (PLN) 3,2000 2,3200 1,9200 1,6700 1,3900
Add to comparison tool
Standard packaging:
80
Rezystancja otwartego kanału: 180mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 86W
Obudowa: TO252
Maksymalne napięcie dren-źródło: 150V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD