IRFR3303

Micros part number: TIRFR3303
Package: TO252 (DPACK)
N-MOSFET HEXFET 33A 30V 57W 0.031Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 31mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 57W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFR3303 RoHS Package: TO252 (DPACK)   In stock: 57 pcs.
Quantity 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Net price (PLN) 2,7400 2,0300 1,5000 1,2900 1,1900
Add to comparison tool
Standard packaging:
75
Rezystancja otwartego kanału: 31mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 57W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD