IRFR5305 smd

Micros part number: TIRFR5305
Package: TO252 (DPACK)
P-MOSFET 28A 55V 89W 0.065Ω
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,065 Ohm
Prąd drenu: 31A
Moc (W): 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Napięcie dren-źródło [Uds]: 55V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: P-MOSFET
Manufacturer:: International Rectifier Manufacturer part number: IRFR5305TR RoHS Package: TO252 (DPACK) t/r In stock: 5938 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 3,3400 2,1100 1,6700 1,5200 1,4500
Add to comparison tool
Standard packaging:
2000
 
 
Data dostawy:
2021-06-07 Ask about product
Rezystancja drenu (Rds on): 0,065 Ohm
Prąd drenu: 31A
Moc (W): 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Napięcie dren-źródło [Uds]: 55V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy zakres: -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny
Detailed description

Manufacturer: International Rectifier
Transistor type: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Transistor kind: HEXFET
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power: 89W
Case: TO252 (DPACK)
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 65mΩ
Junction-to-case thermal resistance: 1.4K/W
Mounting: SMD