IRLR3410 smd

Micros part number: TIRLR3410
Package: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.105Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 155mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: IRLR3410TR RoHS Package: TO252 (DPACK) t/r  
In stock:
1300 pcs.
Quantity 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Net price (PLN) 3,3400 2,1100 1,6700 1,5200 1,4500
Add to comparison tool
Standard packaging:
2000
Rezystancja otwartego kanału: 155mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD