MJD45H11T4

Micros part number: TMJD45h11t4
Package: DPAK
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G
Parameters
Moc strat (PD): 1,75W
Częstotliwość graniczna: 90MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: DPAK
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 8A
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: MJD45H11T4 RoHS Package: DPAK t/r In stock: 100 pcs.
Quantity 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 2,3000 1,2800 1,0100 0,9480 0,9180
Add to comparison tool

Standard packaging:
100
Moc strat (PD): 1,75W
Częstotliwość graniczna: 90MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Obudowa: DPAK
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 8A
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP