MJD45H11T4
Micros part number: TMJD45h11t4
Package: DPAK
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G
Parameters
| Moc strat (PD): | 1,75W |
| Częstotliwość graniczna: | 90MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Obudowa: | DPAK |
| Maksymalny prąd kolektora (Ic): | 8A |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Manufacturer:: ON-Semicoductor
Manufacturer part number: MJD45H11T4 RoHS
Package: DPAK t/r
In stock: 100 pcs.
| Quantity | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 2,3000 | 1,2800 | 1,0100 | 0,9480 | 0,9180 |
| Moc strat (PD): | 1,75W |
| Częstotliwość graniczna: | 90MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Obudowa: | DPAK |
| Maksymalny prąd kolektora (Ic): | 8A |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
