MMBT2369LT1G

Micros part number: TMMBT2369
Package: SOT23
Trans NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23
Parameters
Moc strat (PD): 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 200mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: MMBT2369LT1G RoHS M1J or 1JA Package: SOT23t/r In stock: 1000 pcs.
Quantity 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Net price (PLN) 0,5850 0,2240 0,1260 0,1040 0,0975
Add to comparison tool
Standard packaging:
1000
Moc strat (PD): 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 200mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN