MMBT2369ALT1G

Micros part number: TMMBT2369a
Package: SOT23
NPN Bipolar Transistor; 0.2 A; 15 V; 3-Pin SOT-23
Parameters
Moc strat (PD): 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 200mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: MMBT2369ALT1G RoHS Package: SOT23t/r In stock: 3000 pcs.
Quantity 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Net price (PLN) 0,5070 0,2330 0,1270 0,0947 0,0845
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Moc strat (PD): 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 120
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 200mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 15V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN