MMBT3906WT1G
Micros part number: TMMBT3906wt1g
Package: SC70-3
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70
Parameters
| Moc strat (PD): | 150mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Maksymalny prąd kolektora (Ic): | 200mA |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Manufacturer:: ON-Semicoductor
Manufacturer part number: MMBT3906WT1G RoHS
Package: SC70-3 t/r
In stock: 3000 pcs.
| Quantity | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Net price (PLN) | 0,3960 | 0,1560 | 0,0911 | 0,0667 | 0,0609 |
| Moc strat (PD): | 150mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Maksymalny prąd kolektora (Ic): | 200mA |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
