MMBT3906WT1G

Micros part number: TMMBT3906wt1g
Package: SC70-3
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70
Parameters
Moc strat (PD): 150mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SC70-3
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 200mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Manufacturer:: ON-Semicoductor Manufacturer part number: MMBT3906WT1G RoHS Package: SC70-3 t/r In stock: 3000 pcs.
Quantity 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Net price (PLN) 0,3960 0,1560 0,0911 0,0667 0,0609
Add to comparison tool
Standard packaging:
3000
Moc strat (PD): 150mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SC70-3
Maksymalny prąd kolektora (Ic): 200mA
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP