SPW47N60C3

Micros part number: TSPW47N60C3
Package: TO 3P
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 47A
Maksymalna tracona moc: 415W
Obudowa: TO 3P
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Infineon Manufacturer part number: SPW47N60C3 RoHS Package: TO 3P  
In stock:
28 pcs.
Quantity 1+ 2+ 5+ 10+ 30+
Net price (PLN) 102,5000 93,5500 85,1700 80,7300 75,9600
Add to comparison tool
Standard packaging:
30
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 47A
Maksymalna tracona moc: 415W
Obudowa: TO 3P
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Producent: Infineon Technologies
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT