STP10NK60Z

Micros part number: TSTP10NK60Z
Package: TO220
N-MOSFET 10A 600V 115W 0.75Ω
Parameters
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 115W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Producent: STMicroelectronics
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: ST Manufacturer part number: STP10NK60Z RoHS Package: TO220  
In stock:
230 pcs.
Quantity 1+ 5+ 50+ 200+ 350+
Net price (PLN) 5,2300 3,4700 2,6700 2,5200 2,4900
Add to comparison tool
Standard packaging:
50/350
Rezystancja otwartego kanału: 750mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 115W
Obudowa: TO220
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Producent: STMicroelectronics
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT