TPH4R606NH,L1Q Toshiba

Micros part number: TTPH4r606nh
Package: SOP08
N-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 0,0038 Ohm
Prąd drenu: 85A
Moc (W): 63W
Obudowa: SOP08
Napięcie dren-źródło [Uds]: 60V
Producent: Toshiba
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: Toshiba Manufacturer part number: TPH4R606NH,L1Q RoHS Package: SOP08t/r In stock: 150 pcs.
Quantity 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Net price (PLN) 4,5600 3,0200 2,4000 2,2100 2,1700
Add to comparison tool
Standard packaging:
150
Rezystancja drenu (Rds on): 0,0038 Ohm
Prąd drenu: 85A
Moc (W): 63W
Obudowa: SOP08
Napięcie dren-źródło [Uds]: 60V
Producent: Toshiba
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny