TSM1NB60CP ROG

Micros part number: TTSM1nb60cp
Package: DPAK
Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameters
Rezystancja drenu (Rds on): 10 Ohm
Prąd drenu: 1A
Moc (W): 39W
Obudowa: DPAK
Napięcie dren-źródło [Uds]: 600V
Producent: TAI-SEM
Typ tranzystora: N-MOSFET
Manufacturer:: TAI-SEM Manufacturer part number: TSM1NB60CP RoHS Package: DPAK t/r In stock: 100 pcs.
Quantity 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Net price (PLN) 1,8900 1,0400 0,8170 0,7560 0,7250
Add to comparison tool
Standard packaging:
100
Rezystancja drenu (Rds on): 10 Ohm
Prąd drenu: 1A
Moc (W): 39W
Obudowa: DPAK
Napięcie dren-źródło [Uds]: 600V
Producent: TAI-SEM
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD
Polaryzacja: unipolarny