FDD8896 ON Semiconductor

Micros part number: TFDD8896
Package: DPAK
N-Channel 30V 17A (Ta), 94A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Parameters
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 9,2mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 94A
Maksymalna tracona moc [W]: 80W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Rezystancja otwartego kanału (rDS): 9,2mOhm
Maksymalny prąd drenu [A]: 94A
Maksymalna tracona moc [W]: 80W
Obudowa: DPAK
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne Napięcie dren-źródło (Vds): 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło (Vgs): 20V
Montaż: SMD