Transistors (results: 8638)
Product | Cart |
Open channel resistance
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Max. drain current
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Max. power loss
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Case
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Manufacturer
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Power dissipation
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Current gain factor
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Cutoff frequency
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Gate charge
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Max. dissipated power
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Max. drain-source voltage
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Max. collector current
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Max collector-emmiter voltage
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Max. collector current
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Max collector current (impulse)
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Forvard volatge [Vgeth]
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Transistor type
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Max. drain-gate voltage
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Operating temperature (range)
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Max. gate-source Voltage
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Collector-emitter voltage
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Mounting
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Gate-emitter voltage
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Transistor circuits [Y/N]
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BCP5516H6327 INFINEON
NPN 1A 60V 1.5W 100MHz BCP5516H6327XTSA1
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BCP55TA
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP56
NPN 1000mA 80V 1330mW 130MHz Complementary to BCP51,BCP52,BCP53
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G80P03K
Transistor MOSFET; TO-252; P-Channel; NO ESD; -30V; -80A; 78W; -1.4V; 4.5mΩ; 6mΩ IPD042P03L3G; AOD21357
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IPD075N03LG Infineon
N-MOSFET 30V 50A 47W 7.5mΩ
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11,4mOhm | 50A | 47W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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IPD135N03LGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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BCP69 China
PNP -1000mA -20V 625mW 140MHz
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IPD60R280P7ATMA1
Transistor: N-MOSFET ; unipolarny ; 600V ; 8A ; 53W ; PG-TO252-3 600V CoolMOS P7 Power Transistor
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IPD60R280P7S Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 IPD60R280P7SAUMA1
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501mOhm | 12A | 53W | TO252 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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IPD60R2K0PFD7S
Transistor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 1,9A | 20W IPD60R2K0PFD7SAUMA1
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IPD65R660CFDATMA2
LOW POWER_LEGACY Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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IPD70N10S3L-12 Infineon
N-MOSFET 100V 70A 125W 11.5mΩ
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15,2mOhm | 70A | 125W | TO252 | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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IPD70P04P409ATMA1
Trans MOSFET P-CH 40V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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BCR116WH6327 Infineon
NPN 50V 100mA 150MHz 250mW BCR116WH6327XTSA1
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G60N04D52
Transistor MOSFET; DFN5*6-8L; DUAL; N+N-Channel; NO ESD; 40V; 35A; 20W; 1.8V; 9mΩ; 12mΩ IPG20N04S4L08ATMA1; AON6884
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IPG20N06S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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BCR533 SOT23
Transistor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Substitute: BCR533E6327; BCR533E6327HTSA1;
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BCV27 China
Darlington NPN 500mA 30V 200mW 220MHz
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Item in delivery
Estimated time: 2025-09-30
Quantity of pieces: 3000
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BCV47 China
Darlington NPN 500mA 60V 200mW 220MHz
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IPP034N03LG
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP034N03LGXKSA1
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IPP041N12N3G
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP041N12N3GXKSA1
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4,1mOhm | 120A | 300W | TO220 | Infineon Technologies | 120V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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STGF7NC60HD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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STGW35HF60WDI STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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TO247 | STMicroelectronics | 140nC | 200W | 60A | 150A | 3,75V ~ 5,75V | -55°C ~ 150°C | 600V | THT | 20V | ||||||||||||||||
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BCX42
Transistor PNP; 63; 330mW; -125V; -800mA; 150MHz; -55°C~150°C; INFINEON LTB:31-DEC-2023; Substitute: BCX42E6327HTSA1; BCX42E6433HTMA1; BCX42E6327; BCX42E6327HTSA1; SP000010900;
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SOT23 | YFW | 330mW | 63 | 150MHz | -800mA | -125V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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BCX42
Transistor PNP; 63; 330mW; 125V; 800mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; BCX42-CDI;
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SOT23 | 330mW | 63 | 150MHz | 800mA | 125V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
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BCX51 China
PNP -1000mA -45V 1300mW 50MHz (CJ - HFE range: 100~250)
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Item in delivery
Estimated time: 2025-05-30
Quantity of pieces: 1000
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BCX51TA
Trans GP BJT PNP 45V 1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BCX53-16TX
Transistor PNP; Bipolar; 250; 80V; 5V; 140MHz; 1A; 500mW; -55°C~150°C;
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SOT89 | Nexperia | 500mW | 250 | 140MHz | 1A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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BCX54 China
NPN 1000mA 45V 1300mW 130MHz
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Item available on a request
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BCX54-16
60V 500mW 100@150mA,2V 1A NPN SOT-89-3 Bipolar (BJT) ROHS Odpowiednik: BCX54-16,115; BCX54-16,135; AD-BCX54-16;
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