Transistoren (Ergebnisse: 9573)

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Transistorsysteme [J/N]
AP2310GN-HF-3-CN CHIPNOBO N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 125mOhm; 3A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: AP2310GN-HF-3;
Micros Symbol: TAP2310gn-hf-3 CNB Infos
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AP2310GN-HF-3-CN RoHS || AP2310GN-HF-3-CN CHIPNOBO SOT23
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CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer:
AP2310GN-HF-3-CN RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2295 0,1255 0,0822 0,0712 0,0656
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125mOhm 3A 350mW SOT23 CHIPNOBO 60V N-MOSFET -50°C ~ 150°C 20V SMD
AP2310GN JGSEMI N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 3A; 1,56 W; -50 °C ~ 125 °C; Äquivalent: AP2310GN-HF-3;
Micros Symbol: TAP2310gn-hf-3 JGS Infos
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AP2310GN RoHS || AP2310GN JGSEMI SOT23
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JGSEMI Hersteller-Teilenummer:
AP2310GN RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3031 0,1673 0,1109 0,0923 0,0867
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100mOhm 3A 1,56W SOT23 JGSEMI 60V N-MOSFET -50°C ~ 125°C 20V SMD
AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 120 mOhm; 3A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2310GN-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP2310gn-hf-3 Infos
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AP2310GN RoHS || AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2310GN RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4206 0,2333 0,1842 0,1673 0,1619
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120mOhm 3A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 300 mOhm; 2,5A; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2313GN-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP2313gn-hf-3 Infos
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AP2313GN-HF-3 RoHS || AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2313GN-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2608 0,1381 0,1071 0,0989 0,0947
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100
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300mOhm 2,5A 830mW SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 125 mOhm; 3,5A; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2314gn-hf-3 Infos
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AP2314GN-HF-3 RoHS || AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2314GN-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2237 0,1224 0,0804 0,0693 0,0639
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Menge (mehrere 1)
125mOhm 3,5A 830mW SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 72mOhm; 4,7A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2316GN-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP2316gn-hf-3 Infos
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AP2316GN-HF-3 RoHS || AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2316GN-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2237 0,1224 0,0804 0,0693 0,0639
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72mOhm 4,7A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 150 mOhm; 3.1A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2319gn-hf-3 Infos
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AP2319GN-HF-3 RoHS || AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2319GN-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2420 0,1323 0,0867 0,0749 0,0691
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1000
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150mOhm 3,1A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9Ohm; 250mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2320gn-hf-3 Infos
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AP2320GN-HF-3 RoHS NN.. || AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2320GN-HF-3 RoHS NN.. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3759 0,2070 0,1628 0,1506 0,1445
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100
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9Ohm 250mA 700mW SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 39mOhm; 6A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2324gn-hf-3 Infos
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AP2324GN-HF RoHS || AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2324GN-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3571 0,1969 0,1548 0,1433 0,1374
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100
Menge (mehrere 1)
39mOhm 6A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm; 5,6A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2334gn-hf-3 Infos
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AP2334GN-HF-3 RoHS M5.. || AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2334GN-HF-3 RoHS M5.. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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50 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3172 0,1746 0,1374 0,1271 0,1219
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100
Menge (mehrere 1)
42mOhm 5,6A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 120 mOhm; 5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2603gy-hf-3 Infos
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AP2603GY RoHS || AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT26
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2603GY RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT26
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124 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2655 0,1461 0,0966 0,0806 0,0757
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500
Menge (mehrere 1)
120mOhm 5A 2W SOT26 Advanced Power Electronics Corp. 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 2,6 Ohm; 570mA; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2608gy-hf-3 Infos
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AP2608GY-HF-3 RoHS YF.. || AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT26
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2608GY-HF-3 RoHS YF.. Präzisionsgehäuse:
SOT26
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3172 0,1743 0,1370 0,1269 0,1217
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
2,6Ohm 570mA 2W SOT26 Advanced Power Electronics Corp. 150V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 450mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2N7002k-hf-3 Infos
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AP2N7002K-HF RoHS || AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2N7002K-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1809 0,0860 0,0484 0,0367 0,0329
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
4Ohm 450mA 700mW SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 22mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4410gm Infos
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AP4410GM RoHS || AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4410GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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440 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3665 0,2030 0,1602 0,1454 0,1407
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
22mOhm 10A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4435gj Infos
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AP4435GJ-HF RoHS || AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4435GJ-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
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36 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6649 0,4182 0,3454 0,3078 0,2890
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
36mOhm 40A 44,6W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4435gm-hf-3 Infos
Datenblatt
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AP4435GM RoHS || AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO 8
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4435GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SO 8
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4182 0,2302 0,1809 0,1675 0,1607
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
32mOhm 9A 2,5W SO 8 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4435GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4088 0,2678 0,1920 0,1680 0,1574
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
32mOhm 9A 2,5W SO 8 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 28mOhm/150mOhm; 8A/4,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4501agem Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP4501AGEM-HF RoHS || AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4501AGEM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4816 0,2678 0,2105 0,1985 0,1922
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
150mOhm 8A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4501agm Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP4501AGM RoHS || AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4501AGM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
125 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4065 0,2655 0,1910 0,1670 0,1565
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
90mOhm 7A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4501gm Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP4501GM RoHS || AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4501GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4464 0,2702 0,2077 0,1875 0,1783
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
90mOhm 7A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm/45mOhm; 8,2A/6,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4503bgm Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP4503BGM RoHS || AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4503BGM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
175 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4018 0,2631 0,1884 0,1647 0,1544
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
45mOhm 8,2A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/55mOhm; 6,9A/6,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4503gm Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP4503GM RoHS || AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4503GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5874 0,3266 0,2561 0,2420 0,2345
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
55mOhm 6,9A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 90mOhm/150mOhm; 9A/6A; 8,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4578gh Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP4578GH RoHS || AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4578GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5850 0,3548 0,2725 0,2467 0,2342
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
150mOhm 9A 8,9W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGD06N60TXT;
Micros Symbol: TIGD06n60t Infos
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IGD06N60TATMA1 RoHS || IGD06N60T || IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TO252/3 (DPAK)
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGD06N60TATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)
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Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1042 0,7354 0,6085 0,5498 0,5263
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies 42nC 88W 12A 18A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C SMD 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGD06N60T Präzisionsgehäuse:
TO252/3 (DPAK)  
Externes Lager:
2400 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5263
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Standard-Verpackung:
1
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies 42nC 88W 12A 18A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C SMD 600V 20V
AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4800dgm Infos
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AP4800DGM-HF RoHS || AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4800DGM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3595 0,2349 0,1685 0,1473 0,1381
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
30mOhm 9A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 67A; 167W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP60T10GS-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP60t10gs-hf-3 Infos
Datenblatt
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AP60T10GS-HF-3TR RoHS || AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP60T10GS-HF-3TR RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
435 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1348 0,7542 0,6250 0,5639 0,5404
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
18mOhm 67A 167W TO263 (D2PAK) Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAP72T03gh-hf-3 Infos
Datenblatt
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AP72T03GH-HF-3 RoHS || AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP72T03GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5404 0,3007 0,2373 0,2227 0,2157
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
15mOhm 62A 60W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP80n03gp Infos
Datenblatt
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AP80N03GP RoHS || AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO220
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP80N03GP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6226 0,3900 0,3054 0,2890 0,2702
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
12mOhm 80A 83,3W TO220 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAP85T03gh-hf-3 Infos
Datenblatt
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AP85T03GH-HF-3 RoHS || AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP85T03GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
72 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6485 0,4065 0,3383 0,3007 0,2819
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
10mOhm 75A 107W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
AP9435GG P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; AP9435GG-VB;
Micros Symbol: TAP9435gg Infos
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AP9435GG-HF RoHS || AP9435GG SOT-89
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GG-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT-89
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,4041 0,2631 0,1936 0,1666 0,1551
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
90mOhm 4,2A 1,25W SOT89 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 20A; 12,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9435gj Infos
Datenblatt
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AP9435GJ ROHS || AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GJ ROHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4464 0,2702 0,2077 0,1875 0,1783
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
90mOhm 20A 12,5W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
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