Transistoren (Ergebnisse: 10480)

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Transistorsysteme [J/N]
SI4459ADY P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7,7 mOhm; 29A; 7,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI4459ady Infos
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SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY SOP08
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Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,2039 0,8410 0,6926 0,6432 0,6337
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30
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7,7mOhm 29A 7,8W SOP08 VISHAY 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9407BDY P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 4,7A; 5W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
Micros Symbol: TSI9407bdy Infos
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SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY SOP08
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Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Preis netto (EUR) 0,7586 0,4782 0,3769 0,3440 0,3298
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700
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150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
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3 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Preis netto (EUR) 0,7586 0,4782 0,3769 0,3440 0,3298
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150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
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SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Preis netto (EUR) 0,7586 0,4782 0,3769 0,3440 0,3298
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100
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150mOhm 4,7A 5W SOP08 VISHAY 60V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
SI9433BDY P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI9433bdy Infos
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SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
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Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
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Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2769 0,9730 0,8057 0,7068 0,6714
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50
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60mOhm 4,5A 1,3W SOP08 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
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Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
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100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2769 0,8929 0,7586 0,6950 0,6714
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
60mOhm 4,5A 1,3W SOP08 VISHAY 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SI9926BDY 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14 W; -55 °C ~ 150 °C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
Micros Symbol: TSI9926bdy Infos
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SI9926BDY-T1-E3 RoHS || SI9926BDY SOP08
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Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI9926BDY-T1-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,6502 0,4123 0,3251 0,2968 0,2827
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
30mOhm 6,2A 1,14W SOP08 VISHAY 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
SK3415 SHIKUES P-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 12V; 180 mOhm; 4,2A; 25 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3415;
Micros Symbol: TSK3415 Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SK3415 RoHS || SK3415 SHIKUES SC59
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SK3415 RoHS Präzisionsgehäuse:
SC59
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2153 0,1088 0,0655 0,0518 0,0478
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500
Menge (mehrere 1)
180mOhm 4,2A SC59 SHIKUES 25V P-MOSFET 25°C ~ 150°C 12V SMD
SKML2402 SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
Micros Symbol: TSKML2402 Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
SKML2402 RoHS || SKML2402 SHIKUES SOT23
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKML2402 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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500 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2177 0,1030 0,0577 0,0436 0,0396
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
80mOhm 2A 700mW SOT23 SHIKUES 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 10V SMD
SKQ50N03BD SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TSKQ50N03bd Infos
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SKQ50N03BD RoHS || SKQ50N03BD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
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SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKQ50N03BD RoHS Präzisionsgehäuse:
DFN08(3.3x3.3)
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3063 0,1948 0,1366 0,1185 0,1110
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
8mOhm 50A 30W DFN08(3.3x3.3) SHIKUES 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
STF14NM50N N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 320 mOhm; 12A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTF14NM50n Infos
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STF14NM50N RoHS || STF14NM50N TO220iso
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STF14NM50N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1827 0,8670 0,6950 0,5960 0,5631
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
320mOhm 12A 25W TO220iso STMicroelectronics 500V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STN1HNK60 N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 8,5 Ohm; 400mA; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTN1HNK60 Infos
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STN1HNK60 RoHS || STN1HNK60 SOT223
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN1HNK60 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
250 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,4523 0,2756 0,2116 0,1878 0,1812
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
8,5Ohm 400mA 3,3W SOT223 STMicroelectronics 600V N-MOSFET 600V -55°C ~ 150°C 30V SMD
STN3NF06L N-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 120 mOhm; 4A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTN3nf06l Infos
Datenblatt
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STN3NF06L RoHS || STN3NF06L SOT223
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STN3NF06L RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7539 0,4782 0,3769 0,3440 0,3275
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
120mOhm 4A 3,3W SOT223 STMicroelectronics 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 16V SMD
STW70N60M2 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTW70N60M2 Infos
Datenblatt
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STW70N60M2 RoHS || STW70N60M2 TO247
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW70N60M2 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 7,0158 6,5894 6,3208 6,1818 6,1017
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
40mOhm 68A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
STW88N65M5 N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTW88N65M5 Infos
Datenblatt
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STW88N65M5 RoHS || STW88N65M5 || STW88N65M5 TO247
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Preis netto (EUR) 12,9785 12,2247 12,0362 11,8995 11,7982
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
170 Stk.
Anzahl der Stücke 30+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 11,7982
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STW88N65M5 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
5498 Stk.
Anzahl der Stücke 60+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 11,7982
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		29mOhm 84A 450W TO247 STMicroelectronics 650V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
SUM90P10-19L-E3 P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Micros Symbol: TSUM90P10-19l Infos
Datenblatt
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SUM90P10-19L-E3 RoHS || SUM90P10-19L-E3 TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SUM90P10-19L-E3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 96+
Preis netto (EUR) 3,1922 2,8365 2,6221 2,5161 2,4548
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Standard-Verpackung:
96
Menge (mehrere 1)
21mOhm 90A 375W TO263 (D2PAK) VISHAY 100V P-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
2N3055 NPN 15A 60V 115W 1MHz NPN 15A 60V 115W 1MHz
Micros Symbol: T2N3055 Infos
Datenblatt
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2N3055 RoHS || 2N3055 TO 3
Hersteller:
ARK Hersteller-Teilenummer:
2N3055 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3  
Auf Lager:
2838 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Preis netto (EUR) 0,9306 0,6149 0,5065 0,4712 0,4429
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Standard-Verpackung:
50/250/1000
Menge (mehrere 1)
TO 3 115W 70 3MHz 15A 60V NPN
WPM2015 SOT23 P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1 W; -55°C~150°C; Äquivalent: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
Micros Symbol: TWPM2015 c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
WPM2015-HXY RoHS || WPM2015-3/TR RoHS || WPM2015 SOT23 SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
WPM2015-HXY RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2078 0,1041 0,0620 0,0514 0,0462
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
110mOhm 2,4A 1,1W SOT23 KUU 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
 
Hersteller:
kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer:
WPM2015-3/TR RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
300 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,1970 0,0928 0,0518 0,0415 0,0358
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
110mOhm 2,4A 1,1W SOT23 KUU 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 8V SMD
2N3055 TO3 CDIL NPN 60V 15A 115W NPN 60V 15A 115W
Micros Symbol: T2N3055 cdil Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N3055 RoHS || 2N3055 TO3 CDIL TO 3
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
2N3055 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3
Datenblatt
Auf Lager:
201 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 25+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,1591 0,8128 0,6785 0,6314 0,6102
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Standard-Verpackung:
25/100/500
Menge (mehrere 1)
TO 3 CDIL 115W 80 2,5MHz 15A 100V NPN -65°C ~ 200°C
2N3055 TO247 LGE Transistor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; Transistor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C;
Micros Symbol: T2N3055 to247 LGE Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N3055 TO-3P RoHS || 2N3055 TO247 LGE TO247
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2N3055 TO-3P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247  
Auf Lager:
4992 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 90+ 450+
Preis netto (EUR) 0,8858 0,5890 0,4712 0,4405 0,4217
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO3 LGE 115W 70 2,5MHz 15A 70V NPN -65°C ~ 200°C
IRF7401TR N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
Micros Symbol: TIRF7401 c Infos Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IRF7401TRPBF-VB RoHS || YFW4406AS RoHS || IRF7401TR SOP08
Hersteller:
VBsemi Hersteller-Teilenummer:
IRF7401TRPBF-VB RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
500 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3652 0,2031 0,1604 0,1456 0,1409
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
30mOhm 8,7A 2,5W SOP08 UMW 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 180+ 900+ 3600+
Preis netto (EUR) 0,2099 0,0912 0,0580 0,0492 0,0466
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Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
30mOhm 8,7A 2,5W SOP08 UMW 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
 
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
YFW4406AS RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 180+ 900+ 3600+
Preis netto (EUR) 0,2099 0,0912 0,0580 0,0492 0,0466
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
180
Menge (mehrere 1)
30mOhm 8,7A 2,5W SOP08 UMW 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
2N3439 NPN 1A 350V 10W 15MHz NPN 1A 350V 10W 15MHz
Micros Symbol: T2N3439 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N3439 RoHS || 2N3439 TO 39
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
2N3439 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 39
Datenblatt
Auf Lager:
460 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,6620 0,4170 0,3275 0,2968 0,2874
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
TO 39 CDIL 1W 160 15MHz 1A 350V NPN -65°C ~ 200°C
2N3440 NPN 1A 250V 1W 15MHz NPN 1A 250V 1W 15MHz
Micros Symbol: T2N3440 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N3440 RoHS || 2N3440 TO 39
Hersteller:
CDIL Hersteller-Teilenummer:
2N3440 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 39
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Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,6455 0,4052 0,3180 0,2898 0,2804
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500
Menge (mehrere 1)
TO 39 CDIL 1W 160 15MHz 1A 250V NPN -65°C ~ 200°C
2N3442 ON Semiconductors NPN 140V 10A 200mA 117W NPN 140V 10A 200mA 117W
Micros Symbol: T2N3442 Infos
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2N3442G RoHS || 2N3442 ON Semiconductors TO 3
Hersteller:
PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer:
2N3442G RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3  
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103 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,5443 2,1344 1,8965 1,7504 1,6962
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50/200
Menge (mehrere 1)
TO 3 ON SEMICONDUCTOR 117W 70 80kHz 10A 140V NPN -65°C ~ 200°C
2N6027 PUT-Transistor; 300 mW; -50 °C ~ 100 °C; Äquivalent: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
Micros Symbol: T2N6027 Infos
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2N6027G-T92-B RoHS || 2N6027 TO92
Hersteller:
UTC Hersteller-Teilenummer:
2N6027G-T92-B RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92ammoformed
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2403 0,1312 0,0860 0,0744 0,0686
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
150mA 300mW TO92 UTC PUT 40V -50°C ~ 100°C THT
                                                     
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Geplantes Datum: 2026-06-30
Anzahl der Stücke: 1000
                                               
2N7000 ZEHUA N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126;
Micros Symbol: T2N7000 ZEH Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7000 RoHS || 2N7000 ZEHUA TO92
Hersteller:
ZEHUA Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
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750 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1491 0,0596 0,0346 0,0290 0,0271
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
5,3Ohm 200mA 400mW TO92 ZEHUA 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
2N7000 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000BU (Masse); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
Micros Symbol: T2N7000 Infos
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2N7000BU RoHS || 2N7000 TO92
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ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2N7000BU RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul  
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1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2921 0,1602 0,1051 0,0907 0,0836
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
9Ohm 200mA 400mW TO92 ON SEMICONDUCTOR 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
Micros Symbol: T2N7000 f Infos
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2N7000 RoHS || 2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE TO92ammoformed
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul  
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3080 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1529 0,0613 0,0356 0,0297 0,0278
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Standard-Verpackung:
1000/10000
Menge (mehrere 1)
5,3Ohm 200mA 400mW TO92ammoformed 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V THT
2N7000 N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 6Ohm; 200mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7000-LGE;
Micros Symbol: T2N7000 LGE Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2N7000 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92
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1400 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1555 0,0622 0,0363 0,0302 0,0283
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
6Ohm 200mA 350mW TO92 LGE 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C THT
2N7002 GALAXY N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -50 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 GAL Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002 RoHS || 2N7002 GALAXY SOT23
Hersteller:
GALAXY Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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2000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0865 0,0342 0,0199 0,0146 0,0133
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
13,5Ohm 115mA 200mW SOT23 GALAXY 60V N-MOSFET 60V -50°C ~ 150°C 20V SMD
7002 SOT23 GAOGE N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 4Ohm; 340mA; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 GAO Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
7002 RoHS || 7002 SOT23 GAOGE SOT23
Hersteller:
GAOGE Hersteller-Teilenummer:
7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Auf Lager:
2364 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0565 0,0212 0,0113 0,0085 0,0078
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
4Ohm 340mA SOT23 GAOGE 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C SMA
2N7002 HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 HXY Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002 RoHS || 2N7002 HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0686 0,0264 0,0129 0,0102 0,0098
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
3Ohm 300mA 350mW SOT23 HXY MOSFET 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2N7002 JSMICRO N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2N7002-7-F; 2N7002.215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Micros Symbol: T2N7002 JSM Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2N7002 RoHS || 2N7002 JSMICRO SOT23
Hersteller:
JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
2N7002 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
7150 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0511 0,0191 0,0102 0,0076 0,0070
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
13,5Ohm 115mA 200mW SOT23 JSMICRO 60V N-MOSFET 60V -55°C ~ 150°C 20V SMD
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