Transistoren (Ergebnisse: 9573)
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Gate-Ladung
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Maximale Verlustleistung
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Vorwärtsspannung [Vgeth]
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Transistor-Typ
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Max. Gate-Source Spannung
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Montage
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Kollektor-Emitter-Spannung
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Gate - Emitter Spannung
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Transistorsysteme [J/N]
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AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100 mOhm; 6A; 2,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
70 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
100mOhm | 6A | 2,7W | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9435GM-HF-3TR;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
90mOhm | 5,3A | 2,5W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 30V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
180 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
13mOhm | 12,8A | 2,5W | SO-8 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
90 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
60mOhm | 26A | 39W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
120 Stk. |
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Standard-Verpackung: 80/160 Menge (mehrere 1) |
60mOhm | 26A | 39W | TO251 (IPACK) | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | ||||||||||||||||||||||||||
AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 60mOhm; 6,8A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 100 Menge (mehrere 1) |
60mOhm | 6,8A | 2,8W | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 6A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
60mOhm | 6A | 2,5W | SOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
380 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
70mOhm | 22A | 34,7W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
180 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
40mOhm | 4,6A | 1W | TSSOP08 | Advanced Power Electronics Corp. | 20V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 12V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9962GH-HF-3TR;
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Auf Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
30mOhm | 32A | 27,8W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
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Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer: AP9971GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse: TO252t/r |
Auf Lager:
240 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
50mOhm | 25A | 39W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 125 mOhm; 11A; 21W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
240 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
125mOhm | 11A | 21W | TO252 | Advanced Power Electronics Corp. | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
2SB1188
PNP -2A -32V 500mW 100MHz PNP -2A -32V 500mW 100MHz
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Auf Lager:
15 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
SOT89 | ROHM | 500mW | 390 | 100MHz | 2A | 32V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer: 2SB1188T100Q Präzisionsgehäuse: SOT89 |
Externes Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
SOT89 | ROHM | 500mW | 390 | 100MHz | 2A | 32V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 3,2A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Auf Lager:
285 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
200mOhm | 3,2A | 2,8W | SOT223 | Advanced Power Electronics Corp. | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||||||||||
IGP30N60H3
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGP30N60H3XKSA1;
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Auf Lager:
8 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO220 | Infineon Technologies | 165nC | 187W | 60A | 120A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW15N120H3;
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Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 75nC | 217W | 30A | 60A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | SMD | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW15N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
80 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 75nC | 217W | 30A | 60A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | SMD | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW15N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
187 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 75nC | 217W | 30A | 60A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | SMD | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IGW25N120H3
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1
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Auf Lager:
27 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 115nC | 326W | 50A | 100A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW25N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
372 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 115nC | 326W | 50A | 100A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IGW30N60T
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1
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Auf Lager:
25 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 167nC | 187W | 45A | 90A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW30N60TFKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
240 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 167nC | 187W | 45A | 90A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IGW40N60H3FKSA1
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N60H3;
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 223nC | 306W | 80A | 160A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW40N60H3FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
2260 Stk. |
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Standard-Verpackung: 240 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 223nC | 306W | 80A | 160A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW40N60H3FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
155 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 223nC | 306W | 80A | 160A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW40N60H3FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
180 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 223nC | 306W | 80A | 160A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IGW40N65F5
Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N65F5FKSA1;
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 95nC | 250W | 74A | 120A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW40N65F5FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
440 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 95nC | 250W | 74A | 120A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW40N65F5FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
320 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 95nC | 250W | 74A | 120A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | THT | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
2SB1647
Transistor Darlington PNP 150V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Transistor Darlington PNP 150V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
TO 3P | Sanken | 130W | 5000 | 45MHz | 15A | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer: 2SB1647 RoHS Präzisionsgehäuse: TO 3P |
Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30/90 Menge (mehrere 1) |
TO 3P | Sanken | 130W | 5000 | 45MHz | 15A | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO 3P | Sanken | 130W | 5000 | 45MHz | 15A | 150V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IGW50N60H3
Trans IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Äquivalent:IGW50N60H3FKSA1;
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 315nC | 333W | 100A | 200A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW50N60H3FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
460 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 315nC | 333W | 100A | 200A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IGW50N65F5FKSA1
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;
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Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30/60 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 305W | 80A | 150A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | SMD | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW50N65F5FKSA1 Präzisionsgehäuse: TO247 |
Externes Lager:
58 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1 Der Mindestbestellwert muss 20 Euro überschreiten. |
TO247 | Infineon Technologies | 120nC | 305W | 80A | 150A | 3,2V ~ 4,8V | -40°C ~ 175°C | SMD | 650V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IGW60T120FKSA1
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 150A; 375W; 5,0V~6,5V; 280nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IGW60T120FKSA1; IGW60T120;
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 280nC | 375W | 100A | 150A | 5,0V ~ 6,5V | -40°C ~ 150°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
2SB772P
PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320
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Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer: 2SB772 RoHS Präzisionsgehäuse: TO126 |
Auf Lager:
12355 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
TO126 | UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD | 10W | 320 | 80MHz | 3A | 30V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||
IGW75N60T
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1
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Auf Lager:
35 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 470nC | 428W | 150A | 225A | 4,1V ~ 5,7V | -40°C ~ 175°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IHW15N120R3
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 165nC | 254W | 30A | 45A | 5,1V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | THT | 1200V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
IHW20N135R3
IGBT-Transistor ; 1350V; 20V; 40A; 60A; 310W; 5,1V~6,4V; 195nC; -40°C~175°C; IHW20N135R3FKSA1
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Auf Lager:
30 Stk. |
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Standard-Verpackung: 30 Menge (mehrere 1) |
TO247 | Infineon Technologies | 195nC | 310W | 40A | 60A | 5,1V ~ 6,4V | -40°C ~ 175°C | THT | 1350V | 20V | |||||||||||||||||||||||||
2SC1815
NPN 150mA 50V 400mW 80MHz NPN 150mA 50V 400mW 80MHz
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Hersteller:
HOTTECH Hersteller-Teilenummer: 2SC1815 RoHS Präzisionsgehäuse: TO92bul |
Auf Lager:
1170 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000/9000 Menge (mehrere 10) |
TO92 | HOTTECH | 400mW | 700 | 80MHz | 150mA | 50V | NPN | -55°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||||||||
2SC1815 Central Semiconductor Corp.
Transistor: NPN; Bipolar; 50V; 0.15A; 400mW; TO92 Transistor: NPN; Bipolar; 50V; 0.15A; 400mW; TO92
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Hersteller:
CEN - Central Semiconductor Corp. Hersteller-Teilenummer: 2SC1815 RoHS Präzisionsgehäuse: TO92 |
Auf Lager:
10 Stk. |
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Standard-Verpackung: 10 Menge (mehrere 1) |
TO92 | Central Semiconductor Corp. | 400mW | 700 | 80MHz | 150mA | 50V | NPN | -55°C ~ 125°C |