Transistoren (Ergebnisse: 9634)

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AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 72mOhm; 4,7A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2316GN-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP2316gn-hf-3 Infos
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AP2316GN-HF-3 RoHS || AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2316GN-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2228 0,1219 0,0800 0,0690 0,0637
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72mOhm 4,7A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 150 mOhm; 3.1A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2319gn-hf-3 Infos
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AP2319GN-HF-3 RoHS || AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2319GN-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2410 0,1317 0,0863 0,0746 0,0688
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150mOhm 3,1A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9Ohm; 250mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2320gn-hf-3 Infos
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AP2320GN-HF-3 RoHS NN.. || AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2320GN-HF-3 RoHS NN.. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3744 0,2062 0,1622 0,1500 0,1439
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9Ohm 250mA 700mW SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 39mOhm; 6A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2324gn-hf-3 Infos
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AP2324GN-HF RoHS || AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2324GN-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3557 0,1961 0,1542 0,1427 0,1369
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39mOhm 6A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 20V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm; 5,6A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2334gn-hf-3 Infos
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AP2334GN-HF-3 RoHS M5.. || AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2334GN-HF-3 RoHS M5.. Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3159 0,1739 0,1369 0,1266 0,1214
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42mOhm 5,6A 1,38W SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 120 mOhm; 5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2603gy-hf-3 Infos
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AP2603GY RoHS || AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT26
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2603GY RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT26
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Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2644 0,1456 0,0962 0,0803 0,0754
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500
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120mOhm 5A 2W SOT26 Advanced Power Electronics Corp. 20V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 2,6 Ohm; 570mA; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2608gy-hf-3 Infos
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AP2608GY-HF-3 RoHS YF.. || AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT26
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2608GY-HF-3 RoHS YF.. Präzisionsgehäuse:
SOT26
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Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3159 0,1736 0,1364 0,1264 0,1212
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100
Menge (mehrere 1)
2,6Ohm 570mA 2W SOT26 Advanced Power Electronics Corp. 150V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 450mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP2N7002k-hf-3 Infos
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AP2N7002K-HF RoHS || AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP2N7002K-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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3000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,1802 0,0856 0,0482 0,0365 0,0328
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3000
Menge (mehrere 1)
4Ohm 450mA 700mW SOT23 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 22mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4410gm Infos
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AP4410GM RoHS || AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4410GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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440 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3650 0,2022 0,1596 0,1449 0,1402
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500
Menge (mehrere 1)
22mOhm 10A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4435gj Infos
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AP4435GJ-HF RoHS || AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4435GJ-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
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36 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6622 0,4165 0,3440 0,3065 0,2878
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100
Menge (mehrere 1)
36mOhm 40A 44,6W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4435gm-hf-3 Infos
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AP4435GM RoHS || AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO 8
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4435GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SO 8
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30 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4165 0,2293 0,1802 0,1668 0,1601
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
32mOhm 9A 2,5W SO 8 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
 
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4435GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4072 0,2668 0,1912 0,1673 0,1568
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
32mOhm 9A 2,5W SO 8 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 28mOhm/150mOhm; 8A/4,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4501agem Infos
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AP4501AGEM-HF RoHS || AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4501AGEM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4797 0,2668 0,2097 0,1977 0,1914
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
150mOhm 8A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
2SB1188 PNP -2A -32V 500mW 100MHz PNP -2A -32V 500mW 100MHz
Micros Symbol: T2SB1188 Infos
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2SB1188T100Q RoHS || 2SB1188 SOT89
Hersteller:
ROHM - Japan Hersteller-Teilenummer:
2SB1188T100Q RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT89
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Auf Lager:
15 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
Preis netto (EUR) 0,5101 0,3089 0,2387 0,2115 0,2043
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOT89 ROHM 500mW 390 100MHz 2A 32V PNP -55°C ~ 150°C
AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4501agm Infos
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AP4501AGM RoHS || AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4501AGM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Auf Lager:
125 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4048 0,2644 0,1902 0,1664 0,1558
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
90mOhm 7A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4501gm Infos
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AP4501GM RoHS || AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4501GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4446 0,2691 0,2069 0,1867 0,1776
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
90mOhm 7A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm/45mOhm; 8,2A/6,6A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4503bgm Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP4503BGM RoHS || AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4503BGM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
175 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4002 0,2621 0,1877 0,1640 0,1537
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
45mOhm 8,2A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IGP30N60H3 IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGP30N60H3XKSA1;
Micros Symbol: TIGP30n60h3 Infos
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IGP30N60H3 RoHS || IGP30N60H3 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGP30N60H3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
8 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,9695 2,4688 2,1739 1,9867 1,9165
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 165nC 187W 60A 120A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
                                                     
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Geplantes Datum: 2026-12-20
Anzahl der Stücke: 50
                                               
AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/55mOhm; 6,9A/6,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4503gm Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP4503GM RoHS || AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4503GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5850 0,3253 0,2551 0,2410 0,2335
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
55mOhm 6,9A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 90mOhm/150mOhm; 9A/6A; 8,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4578gh Infos
Datenblatt
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AP4578GH RoHS || AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4578GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5827 0,3533 0,2714 0,2457 0,2333
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
150mOhm 9A 8,9W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4800dgm Infos
Datenblatt
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AP4800DGM-HF RoHS || AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4800DGM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3580 0,2340 0,1678 0,1467 0,1376
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
30mOhm 9A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 67A; 167W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP60T10GS-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP60t10gs-hf-3 Infos
Datenblatt
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AP60T10GS-HF-3TR RoHS || AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO263 (D2PAK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP60T10GS-HF-3TR RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
435 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1302 0,7512 0,6225 0,5616 0,5382
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
18mOhm 67A 167W TO263 (D2PAK) Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAP72T03gh-hf-3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP72T03GH-HF-3 RoHS || AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP72T03GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5382 0,2995 0,2363 0,2218 0,2148
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
15mOhm 62A 60W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP80n03gp Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP80N03GP RoHS || AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO220
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP80N03GP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6201 0,3884 0,3042 0,2878 0,2691
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
12mOhm 80A 83,3W TO220 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAP85T03gh-hf-3 Infos
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AP85T03GH-HF-3 RoHS || AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP85T03GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
72 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6459 0,4048 0,3370 0,2995 0,2808
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
10mOhm 75A 107W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
AP9435GG P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; AP9435GG-VB;
Micros Symbol: TAP9435gg Infos
Datenblatt
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AP9435GG-HF RoHS || AP9435GG SOT-89
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GG-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT-89
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,4025 0,2621 0,1928 0,1659 0,1544
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
90mOhm 4,2A 1,25W SOT89 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 20A; 12,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9435gj Infos
Datenblatt
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AP9435GJ ROHS || AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GJ ROHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4446 0,2691 0,2069 0,1867 0,1776
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
90mOhm 20A 12,5W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100 mOhm; 6A; 2,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9435gk Infos
Datenblatt
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AP9435GK RoHS || AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GK RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
70 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,6295 0,3955 0,3276 0,2925 0,2738
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
100mOhm 6A 2,7W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9435GM-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP9435gm-hf-3 Infos
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AP9435GM-HF RoHS || AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2504 0,1331 0,1032 0,0952 0,0913
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
90mOhm 5,3A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9474gm Infos
Datenblatt
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AP9474GM-HF RoHS || AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO-8
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9474GM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SO-8
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5640 0,3416 0,2621 0,2363 0,2253
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
13mOhm 12,8A 2,5W SO-8 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gh Infos
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AP9563GH RoHS || AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4002 0,2621 0,1881 0,1645 0,1542
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
60mOhm 26A 39W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
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