Transistoren (Ergebnisse: 9630)

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AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/55mOhm; 6,9A/6,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4503gm Infos
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AP4503GM RoHS || AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4503GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5343 0,2966 0,2342 0,2208 0,2137
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100
Menge (mehrere 1)
55mOhm 6,9A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 90mOhm/150mOhm; 9A/6A; 8,9 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4578gh Infos
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AP4578GH RoHS || AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4578GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5343 0,3248 0,2495 0,2246 0,2137
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200
Menge (mehrere 1)
150mOhm 9A 8,9W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N/P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP4800dgm Infos
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AP4800DGM-HF RoHS || AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP4800DGM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3272 0,2149 0,1539 0,1346 0,1262
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200
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30mOhm 9A 2W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 67A; 167W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP60T10GS-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP60t10gs-hf-3 Infos
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AP60T10GS-HF-3TR RoHS || AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO263 (D2PAK)
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP60T10GS-HF-3TR RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
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Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0333 0,6873 0,5696 0,5131 0,4920
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500
Menge (mehrere 1)
18mOhm 67A 167W TO263 (D2PAK) Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAP72T03gh-hf-3 Infos
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AP72T03GH-HF-3 RoHS || AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP72T03GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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90 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4920 0,2730 0,2154 0,2029 0,1965
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
15mOhm 62A 60W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP80n03gp Infos
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AP80N03GP RoHS || AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO220
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP80N03GP RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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75 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5696 0,3578 0,2801 0,2636 0,2472
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50/100
Menge (mehrere 1)
12mOhm 80A 83,3W TO220 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAP85T03gh-hf-3 Infos
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AP85T03GH-HF-3 RoHS || AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP85T03GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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72 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5908 0,3696 0,3084 0,2730 0,2566
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
10mOhm 75A 107W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 30V N-MOSFET -55°C ~ 175°C 20V SMD
AP9435GG P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; AP9435GG-VB;
Micros Symbol: TAP9435gg Infos
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AP9435GG-HF RoHS || AP9435GG SOT-89
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GG-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT-89
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150 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,4049 0,2636 0,1940 0,1669 0,1554
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Standard-Verpackung:
150
Menge (mehrere 1)
90mOhm 4,2A 1,25W SOT89 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 20A; 12,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9435gj Infos
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AP9435GJ ROHS || AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GJ ROHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
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180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4237 0,2778 0,1984 0,1735 0,1626
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
90mOhm 20A 12,5W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V THT
AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 100 mOhm; 6A; 2,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9435gk Infos
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AP9435GK RoHS || AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GK RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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70 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,5790 0,3625 0,3013 0,2683 0,2519
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
100mOhm 6A 2,7W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 5,3A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9435GM-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP9435gm-hf-3 Infos
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AP9435GM-HF RoHS || AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9435GM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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1000 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2919 0,1601 0,1050 0,0906 0,0836
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
90mOhm 5,3A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 30V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9474gm Infos
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AP9474GM-HF RoHS || AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO-8
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9474GM-HF RoHS Präzisionsgehäuse:
SO-8
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Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5155 0,3131 0,2401 0,2170 0,2064
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
13mOhm 12,8A 2,5W SO-8 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gh Infos
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AP9563GH RoHS || AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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Auf Lager:
90 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3672 0,2401 0,1723 0,1506 0,1412
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
60mOhm 26A 39W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gj Infos
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AP9563GJ RoHS || AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GJ RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
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Auf Lager:
120 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 15+ 80+ 160+ 640+
Preis netto (EUR) 0,4213 0,2472 0,1852 0,1739 0,1624
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Standard-Verpackung:
80/160
Menge (mehrere 1)
60mOhm 26A 39W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 60mOhm; 6,8A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gk Infos
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AP9563GK RoHS || AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GK RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4331 0,2401 0,1881 0,1739 0,1669
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
60mOhm 6,8A 2,8W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 6A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gm Infos
Datenblatt
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AP9563GM RoHS || AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4472 0,2919 0,2097 0,1834 0,1718
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
60mOhm 6A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9567gh-hf-3 Infos
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AP9567GH RoHS || AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9567GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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Auf Lager:
380 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4072 0,2264 0,1787 0,1622 0,1570
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
70mOhm 22A 34,7W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9926geo Infos
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AP9926GEO RoHS || AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TSSOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9926GEO RoHS Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3201 0,2050 0,1436 0,1248 0,1168
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
40mOhm 4,6A 1W TSSOP08 Advanced Power Electronics Corp. 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9962GH-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP9962gh-hf-3 Infos
Datenblatt
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AP9962GH RoHS || AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9962GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8403 0,5273 0,4143 0,3766 0,3648
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
30mOhm 32A 27,8W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9971gh-hf-3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9971GH-HF-3 RoHS || AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9971GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r  
Auf Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4237 0,2349 0,1855 0,1683 0,1629
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
50mOhm 25A 39W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 125 mOhm; 11A; 21W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9977gh-hf-3 Infos
Datenblatt
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AP9977GH-HF-3 RoHS || AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9977GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4496 0,2495 0,1963 0,1782 0,1725
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
125mOhm 11A 21W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 3,2A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9997gk-hf-3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AP9997GK-HF-3 RoHS || AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9997GK-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
285 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5626 0,3554 0,2778 0,2519 0,2448
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
200mOhm 3,2A 2,8W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IGW15N120H3FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW15N120H3;
Micros Symbol: TIGW15n120h3 Infos
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IGW15N120H3FKSA1 RoHS || IGW15N120H3FKSA1 || IGW15N120H3FKSA1 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW15N120H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,0835 2,7422 2,5374 2,4339 2,3727
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C SMD 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW15N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
55 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,7313
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Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C SMD 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW15N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
127 Stk.
Anzahl der Stücke 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,3727
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C SMD 1200V 20V
IGW25N120H3 IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1
Micros Symbol: TIGW25n120h3 Infos
Datenblatt
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IGW25N120H3FKSA1 RoHS || IGW25N120H3FKSA1 || IGW25N120H3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW25N120H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
27 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,4679 4,5994 4,0768 3,8156 3,6696
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW25N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
268 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,6696
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW25N120H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
443 Stk.
Anzahl der Stücke 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,6696
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
IGW30N60T IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1
Micros Symbol: TIGW30n60t Infos
Datenblatt
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IGW30N60TFKSA1 RoHS || IGW30N60TFKSA1 || IGW30N60T TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW30N60TFKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,2789 2,7093 2,3703 2,2079 2,1161
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 167nC 187W 45A 90A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW30N60TFKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,1161
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 167nC 187W 45A 90A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IGW40N60H3FKSA1 Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N60H3;
Micros Symbol: TIGW40n60h3 Infos
Datenblatt
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IGW40N60H3FKSA1 RoHS || IGW40N60H3FKSA1 || IGW40N60H3FKSA1 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW40N60H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,1847 2,8293 2,6175 2,5092 2,4503
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 223nC 306W 80A 160A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW40N60H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
3460 Stk.
Anzahl der Stücke 240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4503
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Standard-Verpackung:
240
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 223nC 306W 80A 160A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW40N60H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
95 Stk.
Anzahl der Stücke 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4503
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 223nC 306W 80A 160A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW40N60H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
148 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4503
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 223nC 306W 80A 160A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IGW40N65F5 Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N65F5FKSA1;
Micros Symbol: TIGW40n65f5 Infos
Datenblatt
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IGW40N65F5FKSA1 RoHS || IGW40N65F5FKSA1 || IGW40N65F5 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW40N65F5FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,6555 3,0741 2,7234 2,5515 2,4527
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 95nC 250W 74A 120A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C THT 650V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW40N65F5FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
426 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4527
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 95nC 250W 74A 120A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C THT 650V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW40N65F5FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 2,4527
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 95nC 250W 74A 120A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C THT 650V 20V
2SB1647 Transistor Darlington PNP 150V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Transistor Darlington PNP 150V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Micros Symbol: T2SB1647 Infos
Datenblatt
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2SB1647 RoHS || 2SB1647 TO 3P
Hersteller:
Sanken Hersteller-Teilenummer:
2SB1647 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9749 1,5676 1,4170 1,3393 1,3158
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO 3P Sanken 130W 5000 45MHz 15A 150V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer:
2SB1647 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9749 1,5676 1,4170 1,3393 1,3158
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Standard-Verpackung:
30/90
Menge (mehrere 1)
TO 3P Sanken 130W 5000 45MHz 15A 150V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Sanken Hersteller-Teilenummer:
2SB1647 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9749 1,5676 1,4170 1,3393 1,3158
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO 3P Sanken 130W 5000 45MHz 15A 150V PNP -55°C ~ 150°C
IGW50N60H3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Äquivalent:IGW50N60H3FKSA1;
Micros Symbol: TIGW50n60h3 Infos
Datenblatt
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IGW50N60H3FKSA1 RoHS || IGW50N60H3FKSA1 || IGW50N60H3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW50N60H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,8210 4,8960 4,3405 4,0627 3,9074
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 315nC 333W 100A 200A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW50N60H3FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
270 Stk.
Anzahl der Stücke 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 3,9074
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 315nC 333W 100A 200A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IGW50N65F5FKSA1 Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;
Micros Symbol: TIGW50n65f5 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IGW50N65F5FKSA1 RoHS || IGW50N65F5FKSA1 || IGW50N65F5FKSA1 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW50N65F5FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
Preis netto (EUR) 5,0254 4,5123 4,2698 4,2228 4,1875
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Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 120nC 305W 80A 150A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C SMD 650V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW50N65F5FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
610 Stk.
Anzahl der Stücke 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,1875
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 120nC 305W 80A 150A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C SMD 650V 20V
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW50N65F5FKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO247  
Externes Lager:
58 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 4,1875
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		TO247 Infineon Technologies 120nC 305W 80A 150A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C SMD 650V 20V
1    20  21  22  23  24  25  26  27  28    321