Transistoren (Ergebnisse: 9634)

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AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gj Infos
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AP9563GJ RoHS || AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GJ RoHS Präzisionsgehäuse:
TO251 (IPACK)
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120 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 80+ 160+ 800+
Preis netto (EUR) 0,4446 0,2691 0,1970 0,1879 0,1774
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Standard-Verpackung:
80/160
Menge (mehrere 1)
60mOhm 26A 39W TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V THT
AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 60mOhm; 6,8A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gk Infos
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AP9563GK RoHS || AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GK RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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20 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4563 0,2527 0,1996 0,1884 0,1823
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
60mOhm 6,8A 2,8W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 60mOhm; 6A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9563gm Infos
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AP9563GM RoHS || AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9563GM RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4704 0,2831 0,2186 0,1973 0,1877
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
60mOhm 6A 2,5W SOP08 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9567gh-hf-3 Infos
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AP9567GH RoHS || AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9567GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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380 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4470 0,2480 0,1952 0,1771 0,1715
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
70mOhm 22A 34,7W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V P-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP 2xN-Channel MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9926geo Infos
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AP9926GEO RoHS || AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TSSOP08
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9926GEO RoHS Präzisionsgehäuse:
TSSOP08 t/r
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180 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3323 0,2172 0,1556 0,1360 0,1275
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
40mOhm 4,6A 1W TSSOP08 Advanced Power Electronics Corp. 20V 2xN-MOSFET -55°C ~ 150°C 12V SMD
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9962GH-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP9962gh-hf-3 Infos
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AP9962GH RoHS || AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9962GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,9150 0,5757 0,4516 0,4119 0,3978
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
30mOhm 32A 27,8W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 40V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9971gh-hf-3 Infos
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AP9971GH-HF-3 RoHS || AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9971GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r  
Auf Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,4446 0,2668 0,2045 0,1842 0,1778
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
50mOhm 25A 39W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 125 mOhm; 11A; 21W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9977gh-hf-3 Infos
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AP9977GH-HF-3 RoHS || AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9977GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
240 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,4727 0,2831 0,2169 0,1954 0,1886
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
125mOhm 11A 21W TO252 Advanced Power Electronics Corp. 60V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 25V SMD
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 3,2A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9997gk-hf-3 Infos
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AP9997GK-HF-3 RoHS || AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9997GK-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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Auf Lager:
285 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,6131 0,3861 0,3042 0,2761 0,2668
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
200mOhm 3,2A 2,8W SOT223 Advanced Power Electronics Corp. 100V N-MOSFET -55°C ~ 150°C 20V SMD
IGW15N120H3FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW15N120H3;
Micros Symbol: TIGW15n120h3 Infos
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IGW15N120H3FKSA1 RoHS || IGW15N120H3FKSA1 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW15N120H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,0655 2,7262 2,5226 2,4196 2,3588
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 75nC 217W 30A 60A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C SMD 1200V 20V
IGW25N120H3 IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1
Micros Symbol: TIGW25n120h3 Infos
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IGW25N120H3FKSA1 RoHS || IGW25N120H3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW25N120H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
27 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,4360 4,5725 4,0530 3,7932 3,6481
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 115nC 326W 50A 100A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
IGW30N60T IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1
Micros Symbol: TIGW30n60t Infos
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IGW30N60TFKSA1 RoHS || IGW30N60T TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW30N60TFKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,2597 2,6934 2,3564 2,1950 2,1037
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 167nC 187W 45A 90A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IGW40N60H3FKSA1 Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N60H3;
Micros Symbol: TIGW40n60h3 Infos
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IGW40N60H3FKSA1 RoHS || IGW40N60H3FKSA1 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW40N60H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,1661 2,8127 2,6021 2,4945 2,4360
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 223nC 306W 80A 160A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IGW40N65F5 Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N65F5FKSA1;
Micros Symbol: TIGW40n65f5 Infos
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IGW40N65F5FKSA1 RoHS || IGW40N65F5 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW40N65F5FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
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Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,6341 3,0561 2,7074 2,5366 2,4383
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 95nC 250W 74A 120A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C THT 650V 20V
2SB1647 Transistor Darlington PNP 150V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Transistor Darlington PNP 150V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Micros Symbol: T2SB1647 Infos
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2SB1647 RoHS || 2SB1647 TO 3P
Hersteller:
Sanken Hersteller-Teilenummer:
2SB1647 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
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Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9633 1,5585 1,4087 1,3315 1,3081
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
TO 3P Sanken 130W 5000 45MHz 15A 150V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
import Hersteller-Teilenummer:
2SB1647 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P  
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9633 1,5585 1,4087 1,3315 1,3081
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Standard-Verpackung:
30/90
Menge (mehrere 1)
TO 3P Sanken 130W 5000 45MHz 15A 150V PNP -55°C ~ 150°C
 
Hersteller:
Sanken Hersteller-Teilenummer:
2SB1647 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
0 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,9633 1,5585 1,4087 1,3315 1,3081
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO 3P Sanken 130W 5000 45MHz 15A 150V PNP -55°C ~ 150°C
IGW50N60H3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Äquivalent:IGW50N60H3FKSA1;
Micros Symbol: TIGW50n60h3 Infos
Datenblatt
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IGW50N60H3FKSA1 RoHS || IGW50N60H3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW50N60H3FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 5,7870 4,8673 4,3151 4,0389 3,8845
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 315nC 333W 100A 200A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IGW50N65F5FKSA1 Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;
Micros Symbol: TIGW50n65f5 Infos
Datenblatt
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IGW50N65F5FKSA1 RoHS || IGW50N65F5FKSA1 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW50N65F5FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
Preis netto (EUR) 4,9960 4,4859 4,2449 4,1981 4,1630
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Standard-Verpackung:
30/60
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 120nC 305W 80A 150A 3,2V ~ 4,8V -40°C ~ 175°C SMD 650V 20V
IGW60T120FKSA1 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 150A; 375W; 5,0V~6,5V; 280nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IGW60T120FKSA1; IGW60T120;
Micros Symbol: TIGW60t120 Infos
Datenblatt
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IGW60T120FKSA1 RoHS || IGW60T120FKSA1 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW60T120FKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 6,2877 5,7893 5,4828 5,3283 5,2394
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 280nC 375W 100A 150A 5,0V ~ 6,5V -40°C ~ 150°C THT 1200V 20V
2SB772P PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320
Micros Symbol: T2SB772 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SB772 RoHS || 2SB772P TO126
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2SB772 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO126  
Auf Lager:
12355 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2551 0,1399 0,0917 0,0828 0,0730
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
TO126 UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10W 320 80MHz 3A 30V PNP -55°C ~ 150°C
IGW75N60T IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1
Micros Symbol: TIGW75n60t Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IGW75N60TFKSA1 RoHS || IGW75N60T TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IGW75N60TFKSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
35 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 6,0631 5,0990 4,5210 4,2308 4,0694
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 470nC 428W 150A 225A 4,1V ~ 5,7V -40°C ~ 175°C THT 600V 20V
IHW15N120R3 IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1
Micros Symbol: TIHW15n120r3 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
IHW15N120R3 RoHS || IHW15N120R3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IHW15N120R3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 2,1388 1,6965 1,5047 1,4391 1,4251
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 165nC 254W 30A 45A 5,1V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1200V 20V
2SC1623 HXY MOSFET NPN-Transistor; 600; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC1623-L6-HF; 2SC1623-L6-TP; 2SC1623-L6-TP-HF;
Micros Symbol: T2SC1623 HXY Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SC1623 RoHS || 2SC1623 HXY MOSFET SOT23
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
2SC1623 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 6000+
Preis netto (EUR) 0,0456 0,0169 0,0089 0,0066 0,0063
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Standard-Verpackung:
3000/6000
Menge (mehrere 10)
SOT23 HXY MOSFET 200mW 600 250MHz 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
2SC1623 UMW NPN-Transistor; 400; 200mW, 50V; 100mA; 250MHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC1623-L6-HF; 2SC1623-L6-TP; 2SC1623-L6-TP-HF;
Micros Symbol: T2SC1623 UMW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
2SC1623 RoHS || 2SC1623 UMW SOT23
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
2SC1623 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0576 0,0215 0,0115 0,0086 0,0079
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 UMW 200mW 400 250MHz 100mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
IHW20N135R3 IGBT-Transistor ; 1350V; 20V; 40A; 60A; 310W; 5,1V~6,4V; 195nC; -40°C~175°C; IHW20N135R3FKSA1
Micros Symbol: TIHW20n135r3 Infos
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IHW20N135R3 RoHS || IHW20N135R3 TO247
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
IHW20N135R3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Preis netto (EUR) 3,2737 2,8127 2,5436 2,4103 2,3377
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
TO247 Infineon Technologies 195nC 310W 40A 60A 5,1V ~ 6,4V -40°C ~ 175°C THT 1350V 20V
2SC1815 NPN 150mA 50V 400mW 80MHz NPN 150mA 50V 400mW 80MHz
Micros Symbol: T2SC1815 Infos
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2SC1815 RoHS || 2SC1815 TO92
Hersteller:
HOTTECH Hersteller-Teilenummer:
2SC1815 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul  
Auf Lager:
1170 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1053 0,0417 0,0246 0,0181 0,0162
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Standard-Verpackung:
1000/9000
Menge (mehrere 10)
TO92 HOTTECH 400mW 700 80MHz 150mA 50V NPN -55°C ~ 125°C
2SC1815 Central Semiconductor Corp. Transistor: NPN; Bipolar; 50V; 0.15A; 400mW; TO92 Transistor: NPN; Bipolar; 50V; 0.15A; 400mW; TO92
Micros Symbol: T2SC1815 CEN Infos
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2SC1815 RoHS || 2SC1815 Central Semiconductor Corp. TO92
Hersteller:
CEN - Central Semiconductor Corp. Hersteller-Teilenummer:
2SC1815 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92  
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3923 1,0624 0,8799 0,7699 0,7324
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Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
TO92 Central Semiconductor Corp. 400mW 700 80MHz 150mA 50V NPN -55°C ~ 125°C
2SC1815 SLKOR NPN-Transistor; 700; 400mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 2SC1815-CEN;
Micros Symbol: T2SC1815 SLK Infos
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2SC1815 RoHS || 2SC1815 SLKOR TO92
Hersteller:
SLKOR Hersteller-Teilenummer:
2SC1815 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
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Auf Lager:
2300 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,0838 0,0330 0,0193 0,0141 0,0129
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Standard-Verpackung:
1000/3000
Menge (mehrere 10)
TO220 SLKOR 400mW 700 80MHz 150mA 50V NPN -55°C ~ 150°C
2SC1815 Transistor NPN; 700; 400mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 700; 400mW; 50V; 150mA; 80MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SC1815 sot23 HOT Infos
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2SC1815 RoHS || 2SC1815 SOT23
Hersteller:
HOTTECH Hersteller-Teilenummer:
2SC1815 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Preis netto (EUR) 0,0519 0,0194 0,0104 0,0078 0,0072
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 HOTTECH 400mW 700 80MHz 150mA 50V NPN -50°C ~ 150°C N/A
2SC2078 JSMICRO NPN-Transistor; 200; 1,2W; 75V; 3A; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Micros Symbol: T2SC2078 JSM Infos
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2SC2078 RoHS || 2SC2078 JSMICRO TO220
Hersteller:
JSMSEMI Hersteller-Teilenummer:
2SC2078 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220  
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2145 0,9267 0,7675 0,6716 0,6388
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 JSMICRO 1,2W 200 100MHz 3A 75V NPN -55°C ~ 150°C
2SC2240 TOSHIBA NPN 120V 100mA 300mW 100MHz NPN 120V 100mA 300mW 100MHz
Micros Symbol: T2SC2240 Infos
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2SC2240-GR RoHS || 2SC2240 TOSHIBA TO92
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
2SC2240-GR RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92  
Auf Lager:
800 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1367 0,0522 0,0295 0,0243 0,0228
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
TO92 TOSHIBA 300mW 700 100MHz 100mA 120V NPN -55°C ~ 125°C
1    20  21  22  23  24  25  26  27  28    322