Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7064)
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Gehäuse
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Hersteller
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Max. Drainstrom
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Drain-Source Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Widerstand im offenen Kanal
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Transistor-Typ
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IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER
P-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TRPBF(ES);
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | ElecSuper | 21A | 30V | 20V | 42W | SMD | 8,3mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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Auf Lager:
45 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | ElecSuper | 21A | 30V | 20V | 42W | SMD | 8,3mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | |||||||||||||
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8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Ähnlich: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
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Auf Lager:
4400 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Menge (mehrere 1) |
TSSOP08 | HT | 6A | 20V | 12V | 1,6W | SMD | 32mOhm | -55°C ~ 150°C | 2xN-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138BW SOT323 KINGTRONICS
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: BSS138PW,115;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT323 | Kingtronics | 320mA | 60V | 20V | 420mW | SMD | 1,6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138A SOT323 HT SEMI
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW;
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Auf Lager:
1500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT323 | HT SEMI | 340mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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AOD603A TO252/4
Transistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm/150mOhm; 13A/13A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C;
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Auf Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 200 Menge (mehrere 1) |
TO252-4L | IMPORT | 13A | 60V | 20V | 27W | SMD | 85mOhm | -55°C ~ 175°C | N/P-MOSFET | |||||||||||||
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2302 SOT23 HT SEMI
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | HT | 3,5A | 20V | 10V | 1,25W | SMD | 40mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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2N7002BK-MS SOT-23 MSKSEMI
60V 300mA 2.2Ohm@10V,0.3A 350mW One N-Kanal SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | MSK | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSP297 SOT-223 TECH PUBLIC
N-Kanal 200V 1A 2.1W Surface Mount SOT-223
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Auf Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
SOT223 | TECH PUBLIC | 1A | 200V | 20V | 2,1W | SMD | 1,35Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFWG120N10AC TO220 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 3,8mOhm; 120A; 210W; -55°C ~ 150°C; Entspricht: IRF3710PBF; SP001551058; SKG45N10-T;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50 Menge (mehrere 1) |
TO220 | YFW | 120A | 100V | 20V | 210W | THT | 3,8mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW4406AS
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Äquivalente Bezeichnungen: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | YFW | 12A | 30V | 20V | 3W | SMD | 18mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW65R380AF
Transistor N-MOSFET; 650V; 30V; 380mOhm; 11A; 84,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalente: STP11NM60FD; STP11NM60FD-VB;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
TO220 | YFW | 11A | 650V | 30V | 84,5W | THT | 380mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW30N10AC
Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 45mOhm; 30A; 88W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL540NPBF; IRL 540 NPBF; YFW30N10AC; IRL540NPBF-VB; IRL540N-CN;
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Auf Lager:
197 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
TO220 | YFW | 30A | 100V | 20V | 88W | THT | 45mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138 SOT23 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | YFW | 220mA | 50V | 20V | 350mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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MOT2310B2 SOT23 MOT
60V 3A 1.7W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Ähnlich wie: SI2308BDS-T1-E3; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | MOT | 3A | 60V | 20V | 1,7W | SMD | 115mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW15N06S SOP8 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 15A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: PTS6012; IRF7478PBF; IRF7478TRPBF; IRF7478PBF-GURT; Die Produktion wurde eingestellt; IRF7478; PTS6012; YFW15N06S; TPM60V8NS8;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | YFW | 15A | 60V | 20V | 1,5W | SMD | 20mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | FUXIN | 220mA | 50V | 20V | 350W | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-10-31
Anzahl der Stücke: 6000
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RC2302A SOT23 RealChip
Trasiystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; TSM2302CX; BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | RealChip | 3A | 20V | 10V | 1,4W | SMD | 60mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER
N-Kanal 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | ElecSuper | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 3Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS123 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
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Auf Lager:
2950 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | RealChip | 170mA | 100V | 20V | 350mW | SMD | 10mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW4406AS SOP08 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 12A; 3W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF
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Auf Lager:
180 Stk. |
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Standard-Verpackung: 180 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | YFW | 12A | 30V | 20V | 3W | SMD | 18mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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Auf Lager:
20 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | YFW | 12A | 30V | 20V | 3W | SMD | 18mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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RFP50N06 TO220AB VBSEMI ELEC
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 11mOhm; 60A; 136W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: VBM1615;
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Auf Lager:
100 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/100 Menge (mehrere 1) |
TO220 | VBsemi | 60A | 60V | 20V | 136W | THT | 11mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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2N7002NXAKR SOT-23 TECH PUBLIC
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
370 Stk. |
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Standard-Verpackung: 370 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | TECH PUBLIC | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 2,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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Auf Lager:
230 Stk. |
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Standard-Verpackung: 230 Menge (mehrere 10) |
SOT23 | TECH PUBLIC | 300mA | 60V | 20V | 350mW | SMD | 2,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW60N06AT TO220 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 60A; 75W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP55NF06;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/500 Menge (mehrere 1) |
TO220 | YFW | 60A | 60V | 20V | 75W | THT | 25mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFWG50N10AD TO-252 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 25mOhm; 50A; 82W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3110ZPBF; IRLR3110ZTRPBF; IRLR3110ZTRLPBF; IRLR3110ZTRRPBF; IRLR3110ZPBF-GURT;
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Auf Lager:
450 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
TO252 | YFW | 50A | 100V | 20V | 82W | SMD | 25mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFWG80N10AD DPAK YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 100V; 20V; 9,4mOhm; 80A; 96W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR3110ZPBF; IRLR3110ZTRPBF; IRLR3110ZTRLPBF; IRLR3110ZTRRPBF; IRLR3110ZPBF-GURT;
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Auf Lager:
450 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
TO252 | YFW | 80A | 100V | 20V | 96W | SMD | 9,4mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW100N03AD TO-252 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 100A; 85W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich: FDD8896;
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Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
TO252 (DPAK) | YFW | 100A | 30V | 20V | 85W | SMD | 5,1mOhm | -55°C ~ 175°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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BSS138W (=BSS138PW) SOT323 YFW
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW,115; BSS138PW.115; BSS138PW NXP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
SOT323 | YFW | 220mA | 50V | 20V | 300mW | SMD | 6Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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IRF7468TRPBF SOP-8 TECH PUBLIC
Transistor N-Kanal MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 12A; 1,47W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
SOP08 | TECH PUBLIC | 12A | 40V | 20V | 1,47W | SMD | 15mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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YFW3400B SOT-23 YFW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 52mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: YJL3400A-F2-0000HF; YJL3400A; YFW3400B;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | YFW | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 52mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
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PT3400 SOT-23(T/R) HT SEMI
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; -50°C ~ 150°C; AO3400; YJL3400B;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
SOT23 | HT | 5,8A | 30V | 12V | 1,4W | SMD | 52mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | |||||||||||||
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.