Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6482)

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AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP9962GH-HF-3TR;
Micros Symbol: TAP9962gh-hf-3 Infos
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AP9962GH RoHS || AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9962GH RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r
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150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,8386 0,5262 0,4134 0,3759 0,3641
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500
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N-MOSFET 40V 20V 30mOhm 32A 27,8W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9971gh-hf-3 Infos
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AP9971GH-HF-3 RoHS || AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9971GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252t/r  
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240 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4228 0,2344 0,1851 0,1680 0,1626
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500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 50mOhm 25A 39W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 125 mOhm; 11A; 21W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9977gh-hf-3 Infos
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AP9977GH-HF-3 RoHS || AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Hersteller:
Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9977GH-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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240 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,4487 0,2490 0,1959 0,1778 0,1722
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500
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 25V 125mOhm 11A 21W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 3,2A; 2,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAP9997gk-hf-3 Infos
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AP9997GK-HF-3 RoHS || AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
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Advanced Power Electronics Corp. Hersteller-Teilenummer:
AP9997GK-HF-3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT223t/r
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285 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Preis netto (EUR) 0,5614 0,3547 0,2772 0,2514 0,2443
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500
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N-MOSFET 100V 20V 200mOhm 3,2A 2,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Advanced Power Electronics Corp.
AUIRF1010EZS International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,5 mOhm; 84A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRF1010EZSTRL;
Micros Symbol: TAUIRF1010ezs Infos
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AUIRF1010EZS RoHS || AUIRF1010EZS International Rectifier D2PAK
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International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRF1010EZS RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK  
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6 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,9874 1,6185 1,4048 1,3014 1,2427
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10
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N-MOSFET 60V 20V 8,5mOhm 84A 140W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK International Rectifier
AUIRF1404 International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAUIRF1404 Infos
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AUIRF1404 RoHS || AUIRF1404 International Rectifier TO220AB
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRF1404 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220AB  
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18 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,7438 2,2458 1,9592 1,7806 1,7149
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 4mOhm 202A 333W THT -55°C ~ 175°C TO220AB International Rectifier
AUIRF3710ZSTRL N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRF3710ZSTRL; AUIRF3710ZS;
Micros Symbol: TAUIRF3710zs Infos
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AUIRF3710ZS RoHS || AUIRF3710ZSTRL D2PAK
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRF3710ZS RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK
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10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 4,0217 3,4039 3,0327 2,7931 2,6991
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 18mOhm 59A 160W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK International Rectifier
AUIRF4905S International Rectifier P-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAUIRF4905s Infos
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AUIRF4905S RoHS || AUIRF4905S International Rectifier D2PAK
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRF4905S RoHS Präzisionsgehäuse:
D2PAK
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40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
Preis netto (EUR) 5,4030 4,9778 4,7170 4,5432 4,5033
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50
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 55V 20V 20mOhm 70A 170W SMD -55°C ~ 150°C D2PAK International Rectifier
AUIRF7416QTR International Rectifier P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TAUIRF7416q Infos
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AUIRF7416QTR RoHS || AUIRF7416QTR International Rectifier SOIC08
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International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRF7416QTR RoHS Präzisionsgehäuse:
SOIC08t/r
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45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,3836 0,9678 0,7964 0,7400 0,7282
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150
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 10A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 International Rectifier
AUIRF9540N P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 117 mOhm; 23A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAUIRF9540n Infos
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AUIRF9540N RoHS || AUIRF9540N TO220
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRF9540N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
46 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,7900 1,4259 1,2215 1,0970 1,0524
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 100V 20V 117mOhm 23A 140W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
AUIRF9Z34N International Rectifier P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 100 mOhm; 19A; 68W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAUIRF9Z34n Infos
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AUIRF9Z34N RoHS || AUIRF9Z34N International Rectifier TO220AB
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRF9Z34N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220AB
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Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Preis netto (EUR) 1,4682 1,0266 0,8433 0,7846 0,7729
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Standard-Verpackung:
30
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 55V 20V 100mOhm 19A 68W THT -55°C ~ 175°C TO-220AB International Rectifier
AUIRFR4104 International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 5,5 mOhm; 119A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAUIRFR4104 Infos
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AUIRFR4104 ROHS || AUIRFR4104 International Rectifier TO252 (DPACK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRFR4104 ROHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
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Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Preis netto (EUR) 1,1840 0,7846 0,6484 0,5896 0,5638
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Standard-Verpackung:
75
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 5,5mOhm 119A 140W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRFR5305 International Rectifier P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRFR5305TRL; AUIRFR5305TR;
Micros Symbol: TAUIRFR5305 Infos
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AUIRFR5305 RoHS || AUIRFR5305 International Rectifier DPAK
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
AUIRFR5305 RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK
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Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 75+ 150+
Preis netto (EUR) 2,2129 1,7478 1,5739 1,4987 1,4753
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Standard-Verpackung:
75/150
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 55V 20V 65mOhm 31A 110W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
AUIRFR8401 International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,25 mOhm; 100A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
Micros Symbol: TAUIRFR8401 Infos
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AUIRFR8401 RoHS || AUIRFR8401 International Rectifier DPAK
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRFR8401 RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK t/r  
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2544 0,8786 0,7470 0,6836 0,6601
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,25mOhm 100A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
 
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRFR8401 RoHS Präzisionsgehäuse:
DPAK  
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3343 0,9350 0,7940 0,7259 0,7024
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Standard-Verpackung:
75
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,25mOhm 100A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
AUIRFS8405 International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 193A; 163W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: AUIRFS8405TRL;
Micros Symbol: TAUIRFS8405 Infos
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AUIRFS8405TRL RoHS || AUIRFS8405 International Rectifier TO263 (D2PAK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRFS8405TRL RoHS Präzisionsgehäuse:
TO263t/r (D2PAK)
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Auf Lager:
25 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5316 1,1675 0,9678 0,8480 0,8058
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 193A 163W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
AUIRFZ44N International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAUIRFZ44n Infos
Datenblatt
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AUIRFZ44N RoHS || AUIRFZ44N International Rectifier TO220AB
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRFZ44N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220AB
Datenblatt
Auf Lager:
16 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5128 1,2075 1,0336 0,9279 0,8903
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 20V 17,5mOhm 49A 94W THT -55°C ~ 175°C TO220AB International Rectifier
AUIRLR014N International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAUIRLR014N Infos
Datenblatt
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AUIRLR014N RoHS || AUIRLR014N International Rectifier TO252 (DPACK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRLR014N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
212 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 75+ 225+ 900+
Preis netto (EUR) 0,6108 0,3876 0,2936 0,2772 0,2655
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Standard-Verpackung:
75/225
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 16V 210mOhm 10A 28W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRLR3705Z International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; VERALTET; Äquivalent: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
Micros Symbol: TAUIRLR3705Z Infos
Datenblatt
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AUIRLR3705Z RoHS || AUIRLR3705Z International Rectifier TO252 (DPACK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRLR3705Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Preis netto (EUR) 2,0907 1,6045 1,4259 1,3461 1,3061
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Standard-Verpackung:
75
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 16V 12mOhm 89A 130W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
BF1202WR 2xN-MOSFET-Transistor; 10V; 6V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBF1202wr Infos
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BR1202WR 115 RoHS || BF1202WR SOT343R
Hersteller:
Philips Hersteller-Teilenummer:
BR1202WR 115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT343R  
Auf Lager:
69 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 15+ 69+ 345+ 1725+
Preis netto (EUR) 0,3101 0,1769 0,1337 0,1179 0,1125
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Standard-Verpackung:
69
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 10V 6V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT343R NXP
BF998 smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 20V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998.215;
Micros Symbol: TBF998 Infos
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BF998 RoHS || BF998 smd SOT143
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BF998 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT143 t/r  
Auf Lager:
890 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4745 0,2866 0,2211 0,1994 0,1898
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 12V 20V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT143 Infineon Technologies
BM3415E SOT23 BORN P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5 W; -50 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBM3415e BORN Infos
Datenblatt
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BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
BM3415E RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
280 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,2159 0,1017 0,0566 0,0456 0,0392
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 4,8A 1,5W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 BORN
BS107P DIODES N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 30 Ohm; 120mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
Micros Symbol: TBS107 Infos
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BS107P RoHS || BS107P DIODES TO92
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS107P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8316 0,5262 0,4158 0,3782 0,3618
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Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS107P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8316 0,5262 0,4158 0,3782 0,3618
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
BS170-D26Z (krępowane=forming) N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170_D26Z (Rolle); BS170_D27Z(Rolle); BS170_D74Z/BS170_D75Z(Munition); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170-BAND; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
Micros Symbol: TBS170F Infos
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BS170-D26Z RoHS || BS170FTA || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BS170-D26Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92formed t/r  
Auf Lager:
3720 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3312 0,1835 0,1449 0,1316 0,1273
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Standard-Verpackung:
2000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA Präzisionsgehäuse:
TO92formed  
Externes Lager:
54000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1273
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA Präzisionsgehäuse:
TO92formed  
Externes Lager:
6000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2047
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
BS170FTA smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15 mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBS170sot23 Infos
Datenblatt
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BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
565 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4980 0,3007 0,2321 0,2093 0,1992
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Standard-Verpackung:
2403
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 0,15mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS250FTA P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330 mW; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TBS250fta Infos
Datenblatt
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BS250FTA RoHS || BS250FTA || BS250FTA SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS250FTA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5450 0,3312 0,2537 0,2293 0,2182
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS250FTA Präzisionsgehäuse:
SOT23  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2182
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625 W | TO92
Micros Symbol: TBS270 Infos
Datenblatt
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BS270 RoHS || BS270 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BS270 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
494 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
Preis netto (EUR) 0,3735 0,2420 0,1870 0,1586 0,1433
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Standard-Verpackung:
494
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 400mA 625mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ONSEMI
BSC010NE2LSATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 1,3 mOhm; 100A; 96W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC010NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC010ne2ls Infos
Datenblatt
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BSC010NE2LSATMA1 RoHS || BSC010NE2LSATMA1 || BSC010NE2LSATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC010NE2LSATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2403 0,9467 0,7846 0,6859 0,6531
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC010NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,6531
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N04LS G N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC016N04LSGATMA1;
Micros Symbol: TBSC016n04ls Infos
Datenblatt
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BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
38 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3202 1,0078 0,8339 0,7306 0,6953
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N06NS N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC016n06ns Infos
Datenblatt
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BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NSATMA1 || BSC016N06NS TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N06NS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
39 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,3609 1,8746 1,6937 1,6021 1,5739
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N06NSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
50000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,5739
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC018NE2LS Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 69W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC018ne2ls Infos
Datenblatt
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BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LSATMA1 || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC018NE2LS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7188 0,4510 0,3735 0,3336 0,3124
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC018NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3377
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
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