Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6369)

1    16  17  18  19  20  21  22  23  24    213
Produkt Warenkorb
Transistor-Typ
Max. Drain-Source Spannung
Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Gate-Source Spannung
Widerstand im offenen Kanal
Max. Drainstrom
Maximaler Leistungsverlust
Montage
Betriebstemperatur (Bereich)
Gehäuse
Hersteller
AUIRLR014N International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TAUIRLR014N Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AUIRLR014N RoHS || AUIRLR014N International Rectifier TO252 (DPACK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRLR014N RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
212 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 75+ 225+ 900+
Preis netto (EUR) 0,6129 0,3890 0,2947 0,2782 0,2664
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75/225
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 16V 210mOhm 10A 28W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRLR3705Z International Rectifier N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; VERALTET; Äquivalent: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
Micros Symbol: TAUIRLR3705Z Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
AUIRLR3705Z RoHS || AUIRLR3705Z International Rectifier TO252 (DPACK)
Hersteller:
International Rectifier Hersteller-Teilenummer:
AUIRLR3705Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO252 (DPACK)
Datenblatt
Auf Lager:
75 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Preis netto (EUR) 2,0981 1,6101 1,4309 1,3508 1,3107
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
75
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 55V 16V 12mOhm 89A 130W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
BF1202WR 2xN-MOSFET-Transistor; 10V; 6V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBF1202wr Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BR1202WR 115 RoHS || BF1202WR SOT343R
Hersteller:
Philips Hersteller-Teilenummer:
BR1202WR 115 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT343R  
Auf Lager:
69 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 15+ 69+ 345+ 1725+
Preis netto (EUR) 0,3230 0,1905 0,1464 0,1297 0,1240
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
69
Menge (mehrere 1)
2xN-MOSFET 10V 6V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT343R NXP
BF998 smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 20V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998.215;
Micros Symbol: TBF998 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BF998 RoHS || BF998 smd SOT143
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BF998 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT143 t/r  
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4762 0,2876 0,2218 0,2001 0,1905
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 12V 20V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT143 Infineon Technologies
BM3415E SOT23 BORN P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5 W; -50 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBM3415e BORN Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Hersteller:
BORN Hersteller-Teilenummer:
BM3415E RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
280 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,1952 0,0978 0,0582 0,0483 0,0434
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 4,8A 1,5W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 BORN
BS107P DIODES N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 30 Ohm; 120mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
Micros Symbol: TBS107 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BS107P RoHS || BS107P DIODES TO92
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS107P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8345 0,5281 0,4173 0,3795 0,3630
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS107P RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,8345 0,5281 0,4173 0,3795 0,3630
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
BS170-D26Z (krępowane=forming) N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170_D26Z (Rolle); BS170_D27Z(Rolle); BS170_D74Z/BS170_D75Z(Munition); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170-BAND; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
Micros Symbol: TBS170F Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
BS170-D26Z RoHS || BS170FTA || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BS170-D26Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92formed t/r  
Auf Lager:
3720 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3324 0,1841 0,1455 0,1320 0,1278
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2000
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA Präzisionsgehäuse:
TO92formed  
Externes Lager:
54000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1278
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA Präzisionsgehäuse:
TO92formed  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2047
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
BS170FTA smd N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15 mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBS170sot23 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS170FTA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
Auf Lager:
565 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,4998 0,3017 0,2329 0,2100 0,1999
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2403
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 0,15mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS250FTA P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330 mW; -55°C~150°C;
Micros Symbol: TBS250fta Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BS250FTA RoHS || BS250FTA SOT23
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
BS250FTA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5469 0,3324 0,2546 0,2301 0,2190
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625 W | TO92
Micros Symbol: TBS270 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BS270 RoHS || BS270 TO92
Hersteller:
ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer:
BS270 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO92bul
Datenblatt
Auf Lager:
494 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
Preis netto (EUR) 0,3748 0,2428 0,1876 0,1591 0,1438
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
494
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 400mA 625mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ONSEMI
BSC010NE2LSATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 1,3 mOhm; 100A; 96W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC010NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC010ne2ls Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC010NE2LSATMA1 RoHS || BSC010NE2LSATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC010NE2LSATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,2447 0,9500 0,7874 0,6884 0,6554
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N04LS G N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC016N04LSGATMA1;
Micros Symbol: TBSC016n04ls Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
38 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,3248 1,0113 0,8369 0,7331 0,6978
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N06NS N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC016n06ns Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NSATMA1 || BSC016N06NS TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N06NS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
39 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,6002 2,0627 1,8647 1,7633 1,7327
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC016N06NSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,7327
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC018NE2LS Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 2,3 mOhm; 100A; 69W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC018ne2ls Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LSATMA1 || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC018NE2LS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7921 0,4974 0,4125 0,3678 0,3442
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC018NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3442
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N02KSG Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC019N02KSGAUMA1;
Micros Symbol: TBSC019n02ksg Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC019N02KSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5370 1,0750 0,9147 0,8369 0,8086
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 3mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N04NSGATMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,9 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC019n04ns Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC019N04NSGATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 2,7039 2,0769 1,8458 1,7280 1,6902
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC019N04NSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,6902
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC022N04LS6 N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,2 mOhm; 139A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC022N04LS6ATMA1;
Micros Symbol: TBSC022n04ls6 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6 TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 3,0151 2,4917 2,1829 2,0344 1,9448
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 3,2mOhm 139A 79W SMD -55°C ~ 175°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC024NE2LS INFINEON N-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 3,4 mOhm; 100A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC024NE2LSATMA1;
Micros Symbol: TBSC024ne2ls Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LSATMA1 || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,1386 0,7567 0,6271 0,5658 0,5422
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
510
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC024NE2LSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5422
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC027N04LSG N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,1 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
Micros Symbol: TBSC027n04lsg Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSGATMA1 || BSC027N04LSG TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC027N04LSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
81 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0750 0,7143 0,5917 0,5328 0,5116
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,1mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC027N04LSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
35000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,5116
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 40V 20V 4,1mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 5,7 mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC040n08ns5 Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,3390 0,9382 0,7968 0,7284 0,7049
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2300
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7049
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC040N08NS5ATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,7049
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC042N03LSGATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 93A; 57W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC042n03ls Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSG RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
67 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,7426 0,4668 0,3866 0,3442 0,3230
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 30V 20V 6,5mOhm 93A 57W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042N03LSGATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,3230
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 30V 20V 6,5mOhm 93A 57W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 4,2 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
Micros Symbol: TBSC042ne7ns3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC042NE7NS3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 1,8482 1,4639 1,2471 1,1457 1,0868
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
10
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 75V 20V 4,2mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC070N10NS3 G N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC070N10NS3GATMA1;
Micros Symbol: TBSC070n10ns3 Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
BSC070N10NS3G RoHS || BSC070N10NS3GATMA1 || BSC070N10NS3 G TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,9378 1,6266 1,4451 1,3343 1,2918
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
20000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2918
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC070N10NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON-8  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2918
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC0909NSATMA1 Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 34V; 20V; 11,8 mOhm; 44A; 27W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSC0909ns Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC0909NS RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5139 0,2852 0,2247 0,2119 0,2051
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC0909NSATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
5000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,2051
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC190N15NS3G Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC190N15NS3GATMA1;
Micros Symbol: TBSC190n15ns3g Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS || BSC190N15NS3GATMA1 || BSC190N15NS3G Infineon TDSON08
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Preis netto (EUR) 1,8883 1,4993 1,3555 1,2824 1,2588
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC190N15NS3GATMA1 Präzisionsgehäuse:
TDSON08  
Externes Lager:
10000 Stk.
Anzahl der Stücke 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 1,2588
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC440N10NS3GATMA1 N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
Micros Symbol: TBSC440n10ns3 Infos
Datenblatt
Zu favoriten hinzufügen
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSC440N10NS3G RoHS Präzisionsgehäuse:
TDSON-8
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,5629 1,0938 0,9029 0,8345 0,8227
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
MOSFET 100V 20V 44mOhm 5,3A 29W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 INFINEON
BSD214SN Infineon N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 250 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
Micros Symbol: TBSD214sn Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SNH6327XTSA1 || BSD214SN Infineon SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
17 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
Preis netto (EUR) 0,3489 0,2270 0,1671 0,1440 0,1339
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
147
Menge (mehrere 1)
N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD214SNH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
9000 Stk.
Anzahl der Stücke 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1339
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD235CH6327XTSA1 N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 600 mOhm/2,1 Ohm; 950mA/530mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSD235c Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSD235CH6327XTSA1 RoHS || BSD235CH6327XTSA1 || BSD235CH6327XTSA1 SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3635 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2782 0,1476 0,1143 0,1056 0,1011
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1011
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
234000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1011
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235CH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
42000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,1011
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD235NH6327XTSA1 Transistor-N-Channel-MOSFET; 20V; -/+12V; 226 mOhm; 950mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
Micros Symbol: TBSD235nh Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSD235NH6327XTSA1 RoHS || BSD235NH6327XTSA1 || BSD235NH6327XTSA1 SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235NH6327XTSA1 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Preis netto (EUR) 0,2640 0,1457 0,0967 0,0809 0,0752
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
147000 Stk.
Anzahl der Stücke 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0752
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD235NH6327XTSA1 Präzisionsgehäuse:
SOT363  
Externes Lager:
141000 Stk.
Anzahl der Stücke 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Preis netto (EUR) 0,0752
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten. 		MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 230 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TBSD314spe Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
BSD314SPEH6327XTSA RoHS || BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon SOT363
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
BSD314SPEH6327XTSA RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2640 0,1440 0,0945 0,0853 0,0752
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Menge (mehrere 1)
P-MOSFET 30V 20V 230mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
1    16  17  18  19  20  21  22  23  24    213