Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 6904)
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Transistor-Typ
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Max. Drain-Source Spannung
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Msx. Drain-Gate Spannung
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Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Max. Drainstrom
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Maximaler Leistungsverlust
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Montage
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Betriebstemperatur (Bereich)
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Gehäuse
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Hersteller
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2N7002A DIOTEC
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 30V | 5Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
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Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7002A Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
4340 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Der Mindestbestellwert muss 40 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 5Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
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Hersteller:
DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7002A Präzisionsgehäuse: SOT23 |
Externes Lager:
1840 Stk. |
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Standard-Verpackung: 20 Der Mindestbestellwert muss 40 Euro überschreiten. |
N-MOSFET | 60V | 30V | 5Ohm | 280mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIOTEC | |||||||||||||
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RC4816 SOP-8 RealChip
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 26mOhm | 8,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | RealChip | |||||||||||||
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PT3404 SOT-23(T/R) HT SEMI
30V 5.8A 19mOhm@10V SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS BSS306N;
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Auf Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 41mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HT | |||||||||||||
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BSS138 SOT23-3(T/R) FUXIN
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138-TP-ES; BSS138-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 350W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | FUXIN | |||||||||||||
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AP9435GG SOT-89-3 TECH PUBLIC
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; AP9435GG-VB;
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Auf Lager:
300 Stk. |
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Standard-Verpackung: 300 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 7A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
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8205A TSSOP8(T/R) HT SEMI
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 20V; 12V; 32mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; PT8205; Ähnlich: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A;
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Auf Lager:
4800 Stk. |
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Standard-Verpackung: 5000 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 32mOhm | 6A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | HT | |||||||||||||
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YFW30N06AD TO-252 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 35W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: STD20NF06T4;
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Auf Lager:
1065 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1065 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 40mOhm | 30A | 35W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | YFW | |||||||||||||
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MOT50N06D TO252 MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 75W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRLR2905ZTRPBF; IRLR3636TRPBF; YJD50N06A; AOD442;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 20mOhm | 50A | 75W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
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MOT20N06D TO252 MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR024N; IRLR024NPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024PBF; IRLR024TRPBF;
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Hersteller:
MOT- Hersteller-Teilenummer: MOT20N06D RoHS Präzisionsgehäuse: TO252 (DPACK) t/r |
Auf Lager:
0 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
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MOT5N50MD TO-252 MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 500V; 30V; 2,2Ohm; 5A; 50W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRFR420TRPBF;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 2,2Ohm | 5A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
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MOT60N03D TO252 MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 60A; 45W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRLR8729TRPBF;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 15mOhm | 60A | 45W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
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MOT90N03D TO252 MOT
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 85W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: IRLR8726TRPBF;
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Auf Lager:
2500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 2500 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 7,5mOhm | 90A | 85W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOT | |||||||||||||
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BSS84K SOT-23 RealChip
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | RealChip | |||||||||||||
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IRF9310TRPBF SOP-8 ELECSUPER
P-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TRPBF(ES);
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Hersteller:
ElecSuper Hersteller-Teilenummer: IRF9310TRPBF RoHS PE03R053. Präzisionsgehäuse: SOP08t/r |
Auf Lager:
50 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 8,3mOhm | 21A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ElecSuper | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-05-29
Anzahl der Stücke: 500
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RC4828 SOP-8 RealChip
Transistor 2xN-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
1000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 1000 Menge (mehrere 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | RealChip | |||||||||||||
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MOT740F TO-220F MOT
Transistor N-MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 5,4A; 40W; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
MOT- Hersteller-Teilenummer: MOT740F RoHS Präzisionsgehäuse: TO220iso |
Auf Lager:
200 Stk. |
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Standard-Verpackung: 50/200 Menge (mehrere 1) |
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RC2302A SOT23 RealChip
Trasiystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; TSM2302CX; BSS205NH6327; BSS214NH6327; BSS806NH6327XTSA1; BSS205N; BSS205NH6327XTSA1; MOT2302AB2; PT2302B; RC2302A;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 60mOhm | 3A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | RealChip | |||||||||||||
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FS3401 SOT23(T/R) FUXIN
30V 4.2A 100mOhm@2.5V 350mW 1.4V@250uA 1 P-Channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs ROHS Äquivalent: IRLML5103; IRLML5103TRPBF;
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Hersteller:
FUXINSEMI Hersteller-Teilenummer: FS3401 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
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BSS123 SOT23 RealChip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10mOhm | 170mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | RealChip | |||||||||||||
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BSS138 SOT23 RealChip
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;
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Hersteller:
REALCHIP Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
6000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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BSS138BK SOT23 TECH PUBLIC
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 4,5Ohm; 360mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK-TP; BSS138BKT116;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000/54000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 4,5Ohm | 360mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum: 2026-06-10
Anzahl der Stücke: 30000
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BSS138A SOT323 HT SEMI
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BSS138PW;
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Hersteller:
HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BSS138A RoHS J1 Präzisionsgehäuse: SOT323 t/r |
Auf Lager:
2600 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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BSS138BW SOT323 KINGTRONICS
Transistor N-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Ähnlich wie: BSS138PW,115;
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Hersteller:
KINGTRONICS Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT323 t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER
N-Kanal 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ElecSuper | |||||||||||||
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AO3401 SOT23(T/R) 4.2A EASTRONIC
P-Channel 30V 4A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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Hersteller:
EASTRONIC Hersteller-Teilenummer: AO3401 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
2000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
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RCD30P03 TO-252 RealChip
Transistor P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
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Auf Lager:
500 Stk. |
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Standard-Verpackung: 500 Menge (mehrere 1) |
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BSS138 SOT23 YFW
Transistor N-Kanal MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | YFW | |||||||||||||
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TW40P03D TO252-2L(T/R) TWGMC
30V 35A 4W 1.5V@250uA TO-252-2L Single FETs, MOSFETs ROHS
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Hersteller:
TWGMC Hersteller-Teilenummer: TW40P03D RoHS Präzisionsgehäuse: TO252t/r |
Auf Lager:
150 Stk. |
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Standard-Verpackung: 150 Menge (mehrere 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 38mOhm | 35A | 4W | THT | -55°C ~ 150°C | TO252 | TWGMC | |||||||||||||
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PT4606A SOP-8 HT SEMI
Transistor N/P-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF7319TRPBF; IRF7319PBF; IRF7319PBF-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; Ähnlich: IRF7319TRPBF;
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Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 25mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | HT | |||||||||||||
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MOT2310B2 SOT23 MOT
60V 3A 1.7W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS Ähnlich wie: SI2308BDS-T1-E3; RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG;
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Hersteller:
MOT- Hersteller-Teilenummer: MOT2310B2 RoHS Präzisionsgehäuse: SOT23t/r |
Auf Lager:
3000 Stk. |
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Standard-Verpackung: 3000 Menge (mehrere 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 115mOhm | 3A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MOT | |||||||||||||
Feldeffekttransistoren für analoge und digitale Schaltungen
Heutzutage sind Transistoren unverzichtbare Bestandteile der meisten elektrischen und elektronischen Geräte. Sie sind sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltungen präsent. Unter den Transistoren verdienen insbesondere die sogenannten Feldeffekttransistoren, auch als unipolare Transistoren bezeichnet, besondere Beachtung. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass der Katalog der Feldeffekttransistoren zahlreiche Elemente enthält, die sich erheblich voneinander unterscheiden können. Es lohnt sich, einen genaueren Blick darauf zu werfen, was Feldeffekttransistoren wirklich sind und wie sie funktionieren.
Wie sind Feldeffekttransistoren aufgebaut?
Obwohl die diskutierten Elemente nicht homogen sind, haben sie bestimmte Bauweisen gemeinsam, die sie von anderen Transistoren unterscheiden. Ein Feldeffekttransistor besteht aus vier Hauptteilen, nämlich:
- Kristall,
- erste Elektrode,
- zweite Elektrode,
- Gate (Tor).
Der Kristall ist der Hauptbestandteil des Feldeffekttransistors. Er fungiert als dotierter Halbleiter. Dank der Eigenschaften des Kristalls arbeiten unipolare Transistoren durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes. Dies ist bei bipolaren Transistoren nicht möglich, bei denen die Basis nur schwach dotiert ist. Bei Feldeffekttransistoren bezeichnet das Symbol S die erste Elektrode, die dem Emitter bei bipolaren Modellen entspricht. Bei bipolaren Transistoren wird die erste Elektrode als Source bezeichnet. Die zweite Elektrode ist der Drain, gekennzeichnet durch das Symbol D, der dieselbe Funktion wie die Kollektoren bei bipolaren Transistoren erfüllt. Eine sehr wichtige Komponente jedes Feldeffekttransistors ist auch das Gate, die dritte Elektrode. Sie befindet sich im Kanal zwischen Source und Drain. Dieses Teil hat die gleiche Funktion wie die Basis, die ein unverzichtbarer Bestandteil jedes bipolaren Transistors ist.
Wie funktionieren Feldeffekttransistoren?
Es ist sinnvoll, die Funktionsweise von Feldeffekttransistoren genauer zu betrachten, um zu erklären, warum sie so beliebt sind. Durch die Anwendung des Kristalls kann der Feldeffekttransistor seine Funktion durch die Nutzung eines elektromagnetischen Feldes erfüllen. Darüber hinaus fließt der Strom bei diesem Transistor nicht durch das Gate. Im sogenannten Gate, also der Basis, entsteht durch das Anlegen des Kristalls ein elektromagnetisches Feld. Dieses Feld führt zu einer Veränderung des Kanalquerschnitts. Das Fehlen von Stromfluss und -ausfluss durch das Gate garantiert einen hohen Eingangswiderstand. Dies ist eine sehr geschätzte Eigenschaft, insbesondere in analogen Anwendungen von Feldeffekttransistoren.
Katalog der Feldeffekttransistoren - was du zur Auswahl hast
Wir bieten eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren an, die sowohl für analoge als auch digitale Geräte geeignet sind. Unser Katalog umfasst unter anderem:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET.
Obwohl Feldeffekttransistoren vielfältig sind, wie auch unser Angebot zeigt, wird eine bestimmte Gruppe besonders hoch geschätzt. Es handelt sich um MOSFET-Transistoren. Diese Modelle sind zwar vielfältig, weisen jedoch einige gemeinsame Merkmale auf, die sie von anderen Typen von Geräten unterscheiden. MOSFET-Transistoren zeichnen sich durch besonders hohe Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus zeichnet sich diese Art von Feldeffekttransistoren durch die Möglichkeit aus, sie miteinander zu verbinden. Dies ermöglicht die Erstellung sehr komplexer integrierter Schaltungen.
Klassische MOSFET-Transistoren können in analogen Geräten verwendet werden, zum Beispiel als Schalter. Die Beliebtheit dieser Transistorengruppe resultiert jedoch vor allem aus ihrer Nutzung in den technologisch fortschrittlichsten digitalen Schaltungen. Der Katalog der MOSFET-Transistoren enthält Modelle, die für den Einsatz in Mikroprozessoren oder CMOS-Gattern bestimmt sind.