Feldeffekttransistoren (Ergebnisse: 7032)

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Gehäuse
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Msx. Drain-Gate Spannung
Max. Drain-Source Spannung
Max. Gate-Source Spannung
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Widerstand im offenen Kanal
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Transistor-Typ
SI2305CDS Vishay P-MOSFET-Transistor; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3;
Micros Symbol: TSI2305cds Infos
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SI2305CDS-T1-GE3 RoHS || SI2305CDS Vishay SOT23
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI2305CDS-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
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1000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,2802 0,1492 0,1157 0,1068 0,1023
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT23 VISHAY 5,8A 8V 8V 1,7W SMD 65mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSS84 P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 10 Ohm; 150mA; 357 mW; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: BSS84-7-F;
Micros Symbol: TBSS84 c Infos
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BSS84 RoHS || BSS84 SOT23
Hersteller:
YFW Hersteller-Teilenummer:
BSS84 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r  
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9380 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Preis netto (EUR) 0,0779 0,0301 0,0146 0,0116 0,0111
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 10)
SOT23 150mA 60V 20V 357mW SMD 10Ohm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
SI4447ADY-T1-GE3 P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 62mOhm; 7,2A; 4,2 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSI4447ady Infos
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SI4447ADY-T1-GE3 RoHS || SI4447ADY-T1-GE3 || SI4447ADY-T1-GE3 SOP08
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Preis netto (EUR) 0,5718 0,3622 0,2848 0,2552 0,2483
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 7,2A 40V 20V 4,2W SMD 62mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Siliconix Hersteller-Teilenummer:
SI4447ADY-T1-GE3 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r  
Auf Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Preis netto (EUR) 0,5718 0,3622 0,2848 0,2552 0,2483
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SOP08 VISHAY 7,2A 40V 20V 4,2W SMD 62mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
Vishay Hersteller-Teilenummer:
SI4447ADY-T1-GE3 Präzisionsgehäuse:
SOP08  
Externes Lager:
1100 Stk.
Anzahl der Stücke 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,3872
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SOP08 VISHAY 7,2A 40V 20V 4,2W SMD 62mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
BSS84 SOT23 HUASHUO P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 300mA; 6Ohm; 20V; 350 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: HSS2301C;
Micros Symbol: TBSS84 HSH Infos
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HSS2301C RoHS || BSS84 SOT23 HUASHUO SOT23
Hersteller:
HUASHUO Hersteller-Teilenummer:
HSS2301C RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
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200 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1529 0,0611 0,0355 0,0296 0,0278
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Produkt verfügbar, bis es vergriffen ist
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200
Menge (mehrere 1)
SOT23 HUASHUO 300mA 60V 20V 350mW SMD 6Ohm -40°C ~ 150°C P-MOSFET
SKG85G06A SHIKUES N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,5 mOhm; 130A; 105 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSKG85G06a Infos
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SKG85G06A RoHS || SKG85G06A SHIKUES PDFN08(6x5)
Hersteller:
SHIKUES Hersteller-Teilenummer:
SKG85G06A RoHS Präzisionsgehäuse:
PDFN08(6x5)
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Auf Lager:
94 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0571 0,7040 0,5809 0,5240 0,5035
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
PDFN08(5x5) SHIKUES 130A 60V 20V 105W SMD 4,5mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
SPP20N60C3 N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 430 mOhm; 20,7A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SPP20N60C3XKSA1; SPP20N60C3HKSA1; SPP20N60C3/SN;
Micros Symbol: TSPP20n60c3 Infos
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SPP20N60C3 RoHS || SPP20N60C3XKSA1 || SPP20N60C3 TO220
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP20N60C3 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
88 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 2,6472 2,1802 1,9410 1,9114 1,8909
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 Infineon Technologies 20,7A 650V 20V 208W THT 430mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
Infineon Hersteller-Teilenummer:
SPP20N60C3XKSA1 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
528 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 2,9210
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 Infineon Technologies 20,7A 650V 20V 208W THT 430mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
STP10NK60Z N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 115 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTP10NK60Z Infos
Datenblatt
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STP10NK60Z RoHS || STP10NK60Z || STP10NK60Z TO220
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP10NK60Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
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Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 1,2940 0,9067 0,7245 0,7040 0,6812
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 STMicroelectronics 10A 600V 30V 115W THT 750mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP10NK60Z Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
460 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,8280
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 STMicroelectronics 10A 600V 30V 115W THT 750mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
RDF10N65A CREATEK N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
Micros Symbol: TSTP10NK60ZFP CRE Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
RDF10N65A RoHS || RDF10N65A CREATEK TO220iso
Hersteller:
Createk Microelectronics Hersteller-Teilenummer:
RDF10N65A RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
150 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,6037 0,3805 0,2984 0,2757 0,2620
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Standard-Verpackung:
50/150
Menge (mehrere 1)
TO220iso CREATEK 10A 650V 30V 40W THT 1Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBO N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 52W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP10NK60ZFP STMicroelectronics;
Micros Symbol: TSTP10NK60ZFP CNB Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
STP10NK60ZFP-CN RoHS || STP10NK60ZFP-CN CHIPNOBO TO220iso
Hersteller:
CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer:
STP10NK60ZFP-CN RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
105 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
Preis netto (EUR) 0,5513 0,3463 0,2734 0,2506 0,2392
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Standard-Verpackung:
50/150
Menge (mehrere 1)
TO220iso CHIPNOBO 10A 650V 30V 52W THT 1Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
STP14NK50Z N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 380 mOhm; 14A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TSTP14NK50Z Infos
Datenblatt
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STP14NK50Z RoHS || STP14NK50Z || STP14NK50Z TO220
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP14NK50Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
30 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,5446 1,2325 1,0548 0,9477 0,9090
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 STMicroelectronics 14A 500V 500V 30V 150W THT 380mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP14NK50Z Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
20 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 1,0120
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 STMicroelectronics 14A 500V 500V 30V 150W THT 380mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
STP16NF06L N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 100 mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; veraltet: Dieser Artikel wurde eingestellt; VBSEMI STP16NF06L-VB;
Micros Symbol: TSTP16NF06L Infos
Datenblatt
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STP16NF06L RoHS || STP16NF06L TO220
Hersteller:
VBsemi Hersteller-Teilenummer:
STP16NF06L RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
12 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 0,9044 0,6629 0,5331 0,4556 0,4306
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 STMicroelectronics 16A 60V 60V 16V 45W THT 100mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
STP40NF10 N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 28mOhm; 50A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TSTP40NF10 Infos
Datenblatt
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STP40NF10 RoHS || STP40NF10 TO220
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP40NF10 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
40 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,1869 0,8703 0,6994 0,5992 0,5650
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 STMicroelectronics 50A 100V 20V 150W THT 28mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
STP55NF06-CN CHIPNOBO N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 19mOhm; 50A; 50W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP55NF06 STMicroelectronics;
Micros Symbol: TSTP55NF06 CNB Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
STP55NF06-CN RoHS || STP55NF06-CN CHIPNOBO TO220
Hersteller:
CHIPNOBO Hersteller-Teilenummer:
STP55NF06-CN RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,5650 0,3417 0,2620 0,2369 0,2255
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
TO220 CHIPNOBO 50A 60V 20V 50W THT 19mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
STP55NF06 N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
Micros Symbol: TSTP55NF06 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
STP55NF06 RoHS || STP55NF06 || STP55NF06 TO220
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP55NF06 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
1380 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7609 0,4807 0,3805 0,3463 0,3303
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Standard-Verpackung:
50/1000
Menge (mehrere 1)
TO220 STMicroelectronics 50A 60V 20V 110W THT 18mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP55NF06 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
28 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,5369
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 STMicroelectronics 50A 60V 20V 110W THT 18mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
 
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP55NF06 Präzisionsgehäuse:
TO220  
Externes Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,3795
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		TO220 STMicroelectronics 50A 60V 20V 110W THT 18mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
HSTP75NF75 HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 7,2mOhm; 96A; 146W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: STP75NF75;
Micros Symbol: TSTP75NF75 HXY Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
HSTP75NF75 RoHS || HSTP75NF75 HXY MOSFET TO220
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
HSTP75NF75 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
50 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Preis netto (EUR) 1,0958 0,7290 0,5627 0,5445 0,5217
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220 HXY MOSFET 96A 80V 20V 146W THT 7,2mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
STP75NF75 N-MOSFET-Transistor; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: STP75NE75;
Micros Symbol: TSTP75NF75 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
STP75NF75 RoHS || STP75NF75 TO220
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP75NF75 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
290 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Preis netto (EUR) 1,1573 0,7677 0,5923 0,5604 0,5513
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 STMicroelectronics 80A 75V 75V 20V 300W THT 11mOhm -55°C ~ 175°C N-MOSFET
STP9NK90Z N-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 1,3 Ohm; 8A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C; WMK09N90C2-CYG
Micros Symbol: TSTP9NK90Z Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
STP9NK90Z RoHS || STP9NK90Z TO220
Hersteller:
ST Hersteller-Teilenummer:
STP9NK90Z RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
80 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 1,9296 1,5378 1,3168 1,1824 1,1345
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 STMicroelectronics 8A 900V 30V 160W THT 1,3Ohm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
10N65 N-Channel-MOSFET-Transistor; Unipolar; 650V; 10A; 0,63 Ohm; 27,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
Micros Symbol: T10N65F LGE Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
10N65 RoHS || 10N65 TO220iso
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
10N65 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO-220F
Datenblatt
Auf Lager:
18 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Preis netto (EUR) 0,7222 0,4579 0,3600 0,3235 0,3144
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220iso LGE 40A 4V 650V 30V THT 630mOhm -55°C ~ 150°C MOSFET
 
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
10N65 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 300+ 900+
Preis netto (EUR) 0,7222 0,4579 0,3600 0,3235 0,3144
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/300
Menge (mehrere 1)
TO220iso LGE 40A 4V 650V 30V THT 630mOhm -55°C ~ 150°C MOSFET
DMN2230U-7 Diodes N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 230 mOhm; 2A; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TDMN2230u Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
DMN2230U-7 RoHS || DMN2230U-7 Diodes SOT23-3
Hersteller:
DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer:
DMN2230U-7 RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
185 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2984 0,1645 0,1089 0,0907 0,0852
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SOT23-3 DIODES 2A 20V 12V 600mW SMD 230mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
12N65 HXY MOSFET N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 800mOhm; 12A; 42W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
Micros Symbol: T12N65 HXY Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
12N65 RoHS || 12N65 HXY MOSFET TO220iso
Hersteller:
HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer:
12N65 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
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Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Preis netto (EUR) 0,8133 0,5103 0,3987 0,3759 0,3531
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Standard-Verpackung:
50/100
Menge (mehrere 1)
TO220iso HXY MOSFET 12A 650V 30V 42W THT 800mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
12N65-TD TO220iso N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 800mOhm; 12A; 42W; -55°C~150°C; Äquivalent: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
Micros Symbol: T12N65 TDS Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
12N65-TD-TO220F RoHS || 12N65-TD TO220iso TO220iso
Hersteller:
TDSEMIC Hersteller-Teilenummer:
12N65-TD-TO220F RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
100 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7814 0,4944 0,3896 0,3554 0,3394
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220iso TDSEMIC 12A 650V 30V 42W THT 800mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
12N65 N-Channel-MOSFET-Transistor; Unipolar; 650V; 12A; 0,54 Ohm; 33,2 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
Micros Symbol: T12N65 LGE Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
12N65 RoHS || 12N65 TO220iso
Hersteller:
LGE Hersteller-Teilenummer:
12N65 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
87 Stk.
Anzahl der Stücke 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,7814 0,4944 0,3896 0,3554 0,3394
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Standard-Verpackung:
50/200
Menge (mehrere 1)
TO220iso LGE 12A 10V 650V 30V 33W THT 540mOhm -55°C ~ 150°C MOSFET
EPC2059 GANFET-Transistor; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TEPC2059 Infos
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Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
EPC2059 RoHS || EPC2059 DIE(2.8x1.4)
Hersteller:
EPC Hersteller-Teilenummer:
EPC2059 RoHS Präzisionsgehäuse:
DIE(2.8x1.4)  
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Preis netto (EUR) 6,0986 5,4721 5,3241 5,1737 5,0826
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Standard-Verpackung:
5
Menge (mehrere 1)
EPC 24A 170V 6V SMD 9mOhm -40°C ~ 150°C GANFET
FDC658AP P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 75 mOhm; 4A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TFDC658AP Infos
Datenblatt
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FDC658AP RoHS || FDC658AP TSOT23-6
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer:
FDC658AP RoHS Präzisionsgehäuse:
TSOT23-6 t/r
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Auf Lager:
4 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 200+ 1100+
Preis netto (EUR) 0,3189 0,2094 0,1501 0,1312 0,1228
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Standard-Verpackung:
1100
Menge (mehrere 1)
TSOT23-6 ON SEMICONDUCTOR 4A 30V 25V 1,6W SMD 75mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
FDN306P P-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TCJ2305;
Micros Symbol: TFDN306p Infos
Datenblatt
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FDN306P RoHS || FDN306P SSOT3
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
FDN306P RoHS Präzisionsgehäuse:
SSOT3
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Auf Lager:
200 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Preis netto (EUR) 0,3121 0,2000 0,1408 0,1196 0,1137
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Standard-Verpackung:
300
Menge (mehrere 1)
SSOT3 Fairchild 2,6A 12V 8V 500mW SMD 80mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
 
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
FDN306P RoHS Präzisionsgehäuse:
SSOT3
Datenblatt
Auf Lager:
5 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,3121 0,1665 0,1294 0,1171 0,1132
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Standard-Verpackung:
500
Menge (mehrere 1)
SSOT3 Fairchild 2,6A 12V 8V 500mW SMD 80mOhm -55°C ~ 150°C P-MOSFET
FDN338P SOT23 MSKSEMI N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 150 mOhm; 2A; 1,56 W; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TFDN338p MSK Infos
Datenblatt
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FDN338P RoHS || FDN338P SOT23 MSKSEMI SOT23
Hersteller:
MSKSEMI Hersteller-Teilenummer:
FDN338P RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
95 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Preis netto (EUR) 0,2094 0,0991 0,0554 0,0419 0,0380
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOT23 MSK 2A 20V 12V 1,56W SMD 150mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Micros Symbol: TFDN339an Infos
Datenblatt
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FDN339AN RoHS || FDN339AN || FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) SuperSOT3
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
FDN339AN RoHS Präzisionsgehäuse:
SuperSOT3
Datenblatt
Auf Lager:
3000 Stk.
Anzahl der Stücke 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Preis netto (EUR) 0,3896 0,2144 0,1686 0,1561 0,1497
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Standard-Verpackung:
3000
Menge (mehrere 1)
SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR 3A 20V 8V 500mW SMD 61mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
 
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
FDN339AN Präzisionsgehäuse:
SuperSOT3  
Externes Lager:
8300 Stk.
Anzahl der Stücke 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Preis netto (EUR) 0,1497
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten. 		SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR 3A 20V 8V 500mW SMD 61mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDS8958A-F085;
Micros Symbol: TFDS8958a Infos
Datenblatt
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FDS8958A RoHS || FDS8958A SOP08 ON Semiconductor SOP08
Hersteller:
Fairchild Hersteller-Teilenummer:
FDS8958A RoHS Präzisionsgehäuse:
SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Preis netto (EUR) 2,4969 2,0572 1,8909 1,8043 1,7838
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Standard-Verpackung:
100
Menge (mehrere 1)
SOP08 Fairchild 7A 30V 20V 2W SMD 80mOhm -55°C ~ 150°C N/P-MOSFET
FDV301N UMW N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDV301N Onsemi;
Micros Symbol: TFDV301n UMW Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen Äquivalente
FDV301N RoHS || FDV301N UMW SOT23
Hersteller:
UMW Hersteller-Teilenummer:
FDV301N RoHS Präzisionsgehäuse:
SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
600 Stk.
Anzahl der Stücke 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Preis netto (EUR) 0,1442 0,0576 0,0335 0,0280 0,0262
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Standard-Verpackung:
1000
Menge (mehrere 1)
SOT23 UMW 6A 20V 12V 2,1W SMD 50mOhm -55°C ~ 150°C N-MOSFET
FQP47P06 P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160 W; -55 °C ~ 175 °C;
Micros Symbol: TFQP47p06 Infos
Datenblatt
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
FQP47P06 RoHS || FQP47P06 TO220
Hersteller:
ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer:
FQP47P06 RoHS Präzisionsgehäuse:
TO220
Datenblatt
Auf Lager:
45 Stk.
Anzahl der Stücke 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Preis netto (EUR) 2,4923 2,0891 1,8567 1,7132 1,6608
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Standard-Verpackung:
50
Menge (mehrere 1)
TO220 ON SEMICONDUCTOR 47A 60V 25V 160W THT 26mOhm -55°C ~ 175°C P-MOSFET
1    9  10  11  12  13  14  15  16  17    235