Transistors (results: 9901)
Product | Cart |
Open channel resistance
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Max. drain current
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Max. power loss
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Case
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Manufacturer
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Power dissipation
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Current gain factor
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Cutoff frequency
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Gate charge
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Max. dissipated power
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Max. drain-source voltage
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Max. collector current
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Max collector-emmiter voltage
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Max. collector current
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Max collector current (impulse)
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Forvard volatge [Vgeth]
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Transistor type
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Max. drain-gate voltage
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Operating temperature (range)
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Max. gate-source Voltage
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Mounting
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Collector-emitter voltage
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Gate-emitter voltage
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Transistor circuits [Y/N]
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FQP4P40
P-MOSFET 3.5A 400V 85W 3.1Ω
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3,1Ohm | 3,5A | 85W | TO220 | Fairchild | 400V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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FQP50N06 JSMICRO
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi;
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22mOhm | 50A | 120W | TO220 | JSMICRO | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | THT | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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FQP85N06 Fairchild
N-MOSFET 60V 85A 10mΩ 160W
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10mOhm | 85A | 160W | TO220 | Fairchild | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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BC848B
Transistor NPN; Bipolar; 450; 30V; 300MHz; 100mA; 300mW; -65°C~150°C;
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Item available on a request
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SOT23 | TWGMC | 300mW | 450 | 300MHz | 100mA | 30V | NPN | -60°C ~ 150°C | ||||||||||||||||
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Item in delivery
Estimated time: 2025-11-28
Quantity of pieces: 3000
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BC848BE6327XT INFINEON
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC848BE6433HTMA1;
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FQPF47P06-YDTU TO220-FORMED LEADS
P-MOSFET 60V 30A 62W
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26mOhm | 30A | 62W | TO220/3Q iso | ON SEMICONDUCTOR | 60V | P-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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FQS4901TF
2x N-MOSFET 0.45A 400V 2W 4.2Ω
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4,2Ohm | 450mA | 2W | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | 400V | 2xN-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 25V | SMD | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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IRGS14C40L
20A; 400V; 125W; IGBT IRGS14C40LPBF, IRGS14C40LTRLPBF
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TO263 (D2PAK) | International Rectifier | 27nC | 125W | 20A | 1,3V ~ 2,2V | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||
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BML6401 BORN
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 85mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C~150°C;
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85mOhm | 4,3A | 1,3W | SOT23 | BORN | 12V | P-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 8V | SMD | |||||||||||||||
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Item in delivery
Estimated time: 2025-11-20
Quantity of pieces: 3000
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BC850C SOT23 YFW
Transistor NPN; Bipolar; 800; 30V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -65°C~150°C;
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SOT23 | YFW | 250mW | 800 | 100MHz | 100mA | 30V | NPN | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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BC856A YANGJIE TECHNOLOGY
Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT23 BC856A-YAN
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SOT23 | YY | 200mW | 250 | 100MHz | 100mA | 65V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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BC856B SOT23 KINGTRONICS
65V 200mW 220@2mA,5V 100mA PNP SOT-23 Single Bipolar Transistors ROHS
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BC857AE6327HTSA1
BC857 Series PNP 45 V 100 mA Silicon AF Transistor Array - SOT-23-3
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HUF75321D3ST
Trans MOSFET N-CH Si 55V 35A 2500pcs/T&R (HUF75321D3S TO252AA/RAIL *OBSOLETE)
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HUF75345G3
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A
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7mOhm | 75A | 325W | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | 55V | N-MOSFET | 55V | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||
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BC857B MLCCBASE
Transistor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
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SOT23 | MLCCBASE | 200mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
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HYG020N04NR1P HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 220A; 2,4mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
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2,4mOhm | 200A | 200W | TO220 | HUAYI | 40V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 25V | THT | |||||||||||||||||
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HYG028N10NS1P HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C;
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3,3mOhm | 230A | 300W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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HYG035N10NS2B HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
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4mOhm | 180A | 220W | TO263 (D2PAK) | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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HYG035N10NS2P HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
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4mOhm | 180A | 220W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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HYG042N10NS1B HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
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4,2mOhm | 160A | 200W | TO263 (D2PAK) | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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HYG043N10NS2B HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 164A; 4,8mOhm; 258,6W; -55°C ~ 175°C;
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4,8mOhm | 164A | 258,6W | TO263 (D2PAK) | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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HYG053N10NS1P HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
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5,5mOhm | 120A | 187,5W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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HYG054N10NS1P HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120A; 6,4mOhm; 194,8W; -55°C ~ 175°C;
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6,4mOhm | 120A | 194,8W | TO220 | HUAYI | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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HYG065N15NS1W HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 165A; 7,5mOhm; 375W; -55°C ~ 175°C;
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7,5mOhm | 165A | 375W | TO247 | HUAYI | 150V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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HYG350N06LA1D HUAYI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRLR024PBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024TRPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF;
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44mOhm | 26A | 42,8W | TO252 (DPACK) | HUAYI | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
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Item available on a request
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BC857CQ-7-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
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BC857CQAZ Nexperia USA Inc.
BC857XQA SERIES - 45 V, 100 MA P transistors - bipolar (bjt) - single
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Item available on a request
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IMBF170R1K0M1
Transistor N-MOSFET; 1700V; 20V; 2,037Ohm; 5,2A; 68W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IMBF170R1K0M1XTMA1;
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2,037Ohm | 5,2A | 68W | Infineon Technologies | 1700V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||||
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Item available on a request
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IMBG120R045M1H
Tranzystor N-MOSFET; 1200V; 23V; 85mOhm; 47A; 227W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IMBG120R045M1HXTMA1;
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85mOhm | 47A | 227W | Infineon Technologies | 1200V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 23V | SMD | ||||||||||||||||||
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