Transistors (results: 9901)
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Open channel resistance
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Max. drain current
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Max. power loss
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Case
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Manufacturer
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Power dissipation
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Current gain factor
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Cutoff frequency
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Gate charge
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Max. dissipated power
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Max. drain-source voltage
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Max. collector current
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Max collector-emmiter voltage
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Max. collector current
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Max collector current (impulse)
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Forvard volatge [Vgeth]
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Transistor type
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Max. drain-gate voltage
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Operating temperature (range)
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Max. gate-source Voltage
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Mounting
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Collector-emitter voltage
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Gate-emitter voltage
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Transistor circuits [Y/N]
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IMW120R140M1H
IMW120R140M1HXKSA1
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Item available on a request
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IPA057N08N3G
Trans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP IPA057N08N3GXKSA1
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TO220iso
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9,9mOhm | 60A | 39W | TO220iso | Infineon Technologies | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | THT | ||||||||||||||||
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Item available on a request
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BC858CE6327HTSA1 INFINEON
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 BC858CE6433HTMA1
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SOT23-3
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IPA50R380CEXKSA2
Trans MOSFET N-CH 500V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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TO220iso
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Item available on a request
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IXGH30N60C3D1
60A; 600V; 220W; IGBT
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TO247AD
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TO247AD | IXYS | 38nC | 220W | 60A | 150A | 3,0V ~ 5,5V | -55°C ~ 150°C | THT | 600V | 20V | |||||||||||||||
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IPA65R150CFD
N-MOSFET 22.4A 650V 34.7W 0.15Ω IPA65R150CFDXKSA1
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TO220iso
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351mOhm | 22,4A | 195,3W | TO220iso | Infineon Technologies | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
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JNG20T65KS JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 650V; 30V; 40A; 60A; 139W; 5,1V~6,9V; 271nC; -55°C~150°C;
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TO263
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TO263 | JIAENSEMI | 271nC | 139W | 40A | 60A | 5,1V ~ 6,9V | -55°C ~ 150°C | SMD | 650V | 30V | |||||||||||||||
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JNG40T120HS JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 30V; 80A; 120A; 300W; 4V~6V; 107nC; -55°C~155°C;
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TO247
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TO247 | JIAENSEMI | 107nC | 300W | 80A | 120A | 4,0V ~ 6,0V | -55°C ~ 155°C | THT | 1200V | 30V | |||||||||||||||
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BC860B DIOTEC
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC860B-DIO
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SOT23-3
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SOT23-3 | DIOTEC | 250mW | 475 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
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IPB017N10N5 Infineon
N-MOSFET 100V 180A 375W 1.7mΩ
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TO263/7
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BC860C SOT23 YFW
Transistor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
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SOT23
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SOT23 | YFW | 200mW | 800 | 100MHz | 100mA | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
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IPB026N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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IPB029N06N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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D2PAK
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3,2mOhm | 120A | 188W | D2PAK | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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IPB031N08N5
MOSFET N-CH 80V TO263-3 IPB031N08N5ATMA1
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IPB050N10NF2SATMA1 Infineon Technologies
TRENCH >=100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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IPB054N08N3G
Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive IPB054N08N3GATMA1
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D2PAK
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5,4mOhm | 80A | 150W | D2PAK | INFINEON | 80V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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BCP49H
BIPOLAR DARLINGTON TRANSISTOR Transistors - Bipolar (BJT) - Single; BCP49H6327XTSA1; BCP49H6419;
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SOT223
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BCP5110TA
Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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BCP5116TA
Trans GP BJT PNP 45V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BCP5116TC;
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SOT223
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SOT223 | DIODES | 2W | 1A | 45V | PNP | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
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IPB60R190C6 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R190C6ATMA1
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D2PAK
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190mOhm | 20,2A | 151W | D2PAK | INFINEON | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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BCP5216 INFINEON TECHNOLOGIES
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XT BCP5216E6327HTSA1
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SOT223
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Item available on a request
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BCP53-16 GALAXY
Transistor PNP; 250; 1,5W; 80V; 1A; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5316TA; BCP5316TC; BCP53-16,115; BCP53-16,135; BCP53-16T1G; BCP53-16T3G; BCP53-16-TP; BCP5316H6327XTSA1;
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SOT223
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SOT223 | GALAXY | 1,5W | 250 | 125MHz | 1A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
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IPD034N06N3G Infineon
N-MOSFET 60V 100A 3.4mΩ 167W
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TO252/3 (DPAK)
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3,4mOhm | 100A | 167W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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IPD22N08S2L50ATMA1
Trans MOSFET N-CH 75V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
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BCR133SH6327 Infineon
2NPN 50V 100mA 130MHz 250mW BCR133SH6327XTSA1, BCR133SH6433XTMA1
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SOT363
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SOT363 | Infineon Technologies | 250mW | 30 | 130MHz | 100mA | 50V | 2xNPN | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
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IPD60R1K0PFD7S
Transistor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 3A | 26W IPD60R1K0PFD7SAUMA1
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DPAK
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1,978Ohm | 4,7A | 26W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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IPD60R1K5PFD7S
Transistor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 2,2A | 22W IPD60R1K5PFD7SAUMA1
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DPAK
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2,892Ohm | 3,6A | 22W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Item available on a request
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IPD60R210PFD7S
Transistor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 10A | 64W IPD60R210PFD7SAUMA1
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DPAK
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386mOhm | 16A | 64W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Item available on a request
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IPD60R600C6 Infineon
N-MOSFET 600V 7.3A 63W 600mΩ
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TO252
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Item available on a request
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IPD60R280P7ATMA1
Transistor: N-MOSFET ; unipolarny ; 600V ; 12A ; 53W ; PG-TO252-3 600V CoolMOS P7 Power Transistor
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DPAK
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280mOhm | 12A | 53W | DPAK | INFINEON | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | ||||||||||||||||
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Item available on a request
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