Transistors (results: 10092)
| Product | Cart |
Open channel resistance
|
Max. drain current
|
Max. power loss
|
Case
|
Manufacturer
|
Power dissipation
|
Current gain factor
|
Cutoff frequency
|
Gate charge
|
Max. dissipated power
|
Max. drain-source voltage
|
Max. collector current
|
Max collector-emmiter voltage
|
Max. collector current
|
Max collector current (impulse)
|
Forvard volatge [Vgeth]
|
Transistor type
|
Max. drain-gate voltage
|
Operating temperature (range)
|
Max. gate-source Voltage
|
Mounting
|
Collector-emitter voltage
|
Gate-emitter voltage
|
Transistor circuits [Y/N]
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPB60R190C6 INFINEON
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R190C6ATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
| 190mOhm | 20,2A | 151W | D2PAK | INFINEON | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BCP52-16TF
BCP52-16T/SOT223/SC-73 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BCP53-16HX NEXPERIA
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BCP53-16TF NEXPERIA
Trans GP BJT PNP 80V 1A 1800mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
|
||||||||||||||||||||||||||
| SOT223 | NXP | 1W | 250 | 140MHz | 1A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD60R2K0C6ATMA1
N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 4,68Ohm; 2,4A; 22,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
| 4,68Ohm | 2,4A | 22,3W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BCP53-16 GALAXY
Transistor PNP; 250; 1,5W; 80V; 1A; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5316TA; BCP5316TC; BCP53-16,115; BCP53-16,135; BCP53-16T1G; BCP53-16T3G; BCP53-16-TP; BCP5316H6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||||
| SOT223 | GALAXY | 1,5W | 250 | 125MHz | 1A | 80V | PNP | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD034N06N3G Infineon
N-MOSFET 60V 100A 3.4mΩ 167W
|
||||||||||||||||||||||||||
| 3,4mOhm | 100A | 167W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 60V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD040N03LG Infineon
N-MOSFET 30V 90A 79W 4mΩ
|
||||||||||||||||||||||||||
| 5,9mOhm | 90A | 79W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 30V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD180N10N3G Infineon
N-MOSFET 100V 43A 71W 18mΩ IPD180N10N3GBTMA1 IPD180N10N3GATMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
| 18mOhm | 43A | 71W | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | 100V | N-MOSFET | -55°C ~ 175°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD22N08S2L50ATMA1
Trans MOSFET N-CH 75V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD60R1K0PFD7S
Transistor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 3A | 26W IPD60R1K0PFD7SAUMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
| 1,978Ohm | 4,7A | 26W | DPAK | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -40°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BCP55-16-QX
TRANS PREBIAS NPN/PNP Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD600N25N3G Infineon
N-MOSFET 250V 25A 136W 60mΩ
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD60R280P7ATMA1
Transistor: N-MOSFET ; unipolarny ; 600V ; 12A ; 53W ; PG-TO252-3 600V CoolMOS P7 Power Transistor
|
||||||||||||||||||||||||||
| 280mOhm | 12A | 53W | DPAK | INFINEON | 600V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD60R2K0PFD7S
Transistor: N-MOSFET | CoolMOSt PFD7 | unipolarny | 650V | 1,9A | 20W IPD60R2K0PFD7SAUMA1
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD60R3K3C6 Infineon Tech
N-MOSFET 600V 1.7A 18.1W 3.3Ω
|
||||||||||||||||||||||||||
| 7,72Ohm | 1,7A | 18,1W | TO252 | Infineon Technologies | 650V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BCP56,115
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD65R660CFDATMA2
LOW POWER_LEGACY Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
| 660mOhm | 6A | 63W | DPAK | INFINEON | 700V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 20V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.
NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16-QX
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 BCP56-16-QF;
|
||||||||||||||||||||||||||
| SOT223 | NXP | 1,35W | 250 | 180MHz | 1A | 80V | NPN | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
DMP4047SK3-13
Trans MOSFET P-CH 40V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Similar to: PTD40P20;
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
BCP56-16T-QX
TRANS PREBIAS NPN/PNP Transistors - Bipolar (BJT) - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD80R1K0CE Infineon
N-MOSFET 800V 5.7A 83W 950mΩ
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD900P06NMATMA1
TRENCH 40<-<100V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon
P-MOSFET 30V 90A 137W 4.1mΩ
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD90R1K2C3 INFINEON
N-MOSFET 900V 5.1A 83W 1.2Ω
|
||||||||||||||||||||||||||
| 2,5Ohm | 5,1A | 83W | TO252 | Infineon Technologies | 900V | N-MOSFET | -55°C ~ 150°C | 30V | SMD | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPD95R750P7ATMA1
Transistor N-Channel MOSFET; 950V; 20V; 750mOhm; 9A; 73W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
| 750mOhm | 9A | 73W | DPAK | INFINEON | 950V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 150°C | 20V | |||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPG20N06S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
|
||||||||||||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||
|
IPI029N06NAKSA1
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 30V; 2,9mOhm; 24A; 3W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||||
| 2,9mOhm | 24A | 3W | TO262 | INFINEON | 60V | N-MOSFET | 10V | -55°C ~ 175°C | 30V | THT | ||||||||||||||||
|
|
Item available on a request
|
|||||||||||||||||||||||||