Bipolar Transistors (results: 3079)
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Transistor type
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Current gain factor
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Power dissipation
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Max collector-emmiter voltage
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Max. collector current
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Cutoff frequency
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Case
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Manufacturer
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Transistor circuits [Y/N]
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Operating temperature (range)
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MUN5133T1G ONSemiconductor
PNP 50V 100mA 202mW
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SC70-3
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NSS12100UW3TCG
Trans GP BJT PNP 12V 1A 1100mW 3-Pin WDFN
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WDFN3(2x2)
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NSVMMUN2133LT1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
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PDTA123EU
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 PDTA123EU,115
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PMBT3904M
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 590mW Automotive 3-Pin DFN PMBT3904M,315
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SOT883
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SBC807-25WT1G
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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SC70-3
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SBC847BWT1G
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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SC70-3
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BC807-40 YANGJIE TECHNOLOGY
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 300mW; SOT23 BC807-40-YAN
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SOT23
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2DB1386Q-13
Trans GP BJT PNP 20V 5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2DD1664Q-13
Trans GP BJT NPN 32V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BC857S-TP
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SOT-363
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SOT363
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2N2894
PNP 200mA 12V 360mW 400MHz
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TO 18
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PNP | 150 | 360mW | 12V | 200mA | 400MHz | TO 18 | Motorola | -65°C ~ 200°C | |||
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2N4401 DIOTEC TO92(AMMO)
NPN Si-Epitaxial Planar-Transistoren 2N4401-DIO;
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TO92
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2N5323
PNP 2A 75V 1W 50MHz
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TO 39
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PNP | 250 | 10W | 50V | 2A | TO 39 | MULTICOMP | -65°C ~ 200°C | ||||
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2N5416
PNP 300V 1A
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TO 39
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PNP | 120 | 1W | 300V | 1A | 15MHz | TO 39 | CDIL | -65°C ~ 200°C | |||
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2N5551 TO92
Tranzystor NPN; 250; 630mW; 160V; 300mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Podobny do: 2N5551 C; 2N5551-B; 2N5551-TA; 2N5551L-B-T92-B; 2N5551-AT/P;
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TO92
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2N6059
Trans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
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TO 3
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NPN | 150 | 150W | 100V | 12A | TO 3 | MICROCHIP | -55°C ~ 175°C | ||||
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2N6491
Transistor PNP; Bipolar; 90V; 75W; 80V; 15A; 5MHz; -65°C ~ 150°C;
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TO220
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PNP | 150 | 75W | 80V | 15A | 5MHz | TO220 | SPTECH | -65°C ~ 150°C | |||
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2N6520 TO92(Ammo)
PNP 350V 0.5A 0.625W
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TO92ammoformed
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LGE2N65U LGE
Substitute: BXP2N65U; LGE2N65U; YFW2N65AMJ;
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2N6660
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 2N6660-2 2N6660-E3 2N6660JTX02 2N6660JTXV02
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N-MOSFET | TO39 | MICROCHIP | -55°C ~ 150°C | ||||||||
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2N7002W China
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.115A 60V 13.05.2020mΩ (product similar to 2N7002K)
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SOT323
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N-MOSFET | SOT323 | Hongjiacheng | -55°C ~ 150°C | ||||||||
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ADTC114YUAQ-7
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
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PMBTA64 NEXPERIA
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB PMBTA64 PMBTA64,215
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SOT23-3
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2SA1013 SOT89
160V 500mW 320@200mA,5V 1A PNP SOT-89-3L Bipolar (BJT) ROHS
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SOT89
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PNP | 300 | ||||||||||
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2SA1013 TO92
160V 0.9W 160@200mA,5V 1A PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS
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TO92
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PNP | 200 | 900mW | 160V | 1A | 50MHz | TO92 | TOSHIBA | -55°C ~ 150°C | |||
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2SA1013 TO92 LGE
Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 900mW; TO92 Substitute: 2SA1013-LGE;
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TO92
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PNP | 300 | 900mW | 160V | 1A | 15MHz | TO92 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||
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2SA1015 SOT23(T/R)
50V 200mW 70@2mA,6V 150mA PNP SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
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SOT23
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PNP | 400 | 200mW | 50V | 150mA | 80MHz | SOT23 | MSK | -55°C ~ 150°C | |||
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2SA1037 SOT23 LGE
Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SOT23 2SA1037-LGE
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SOT23
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PNP | 560 | 200mW | 50V | 150mA | 140MHz | SOT23 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||
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PBHV8118T
BIPOLAR TRANSISTORS PBHV8118T,215
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