FM25CL64B-G

Symbol Micros: PF25CL64g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
8-bit Memory IC; 8Kb-FRAM; 2,7~3,65V; 20MHz; SPI; -40÷85°C; Odpowiednik: FM25CL64-G; FM25CL64B-GTR;
Parametry
Zakres napięcia zasilania: 2,7~3,65V
Obudowa: SOP08
Pamięć RAM: 8kB
Częstotliwość: 20,000MHz
Producent: Ramtron
Architektura: 8-bit
Interfejs SPI: TAK
Producent: Cypress Symbol producenta: FM25CL64B-GTR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
6 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,0600 5,5900 4,7600 4,3700 4,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
700
Producent: Cypress Symbol producenta: FM25CL64B-GTR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,0600 5,5900 4,7600 4,3700 4,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Producent: Cypress Symbol producenta: FM25CL64B-GTR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
78 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,0600 5,5900 4,7600 4,3700 4,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Cypress Symbol producenta: FM25CL64B-GTR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r  
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,0600 5,5900 4,7600 4,3700 4,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Zakres napięcia zasilania: 2,7~3,65V
Obudowa: SOP08
Pamięć RAM: 8kB
Częstotliwość: 20,000MHz
Producent: Ramtron
Architektura: 8-bit
Interfejs SPI: TAK
Interfejs TWI (I2C): NIE
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 85°C
Interfejs CAN: NIE
Interfejs CRYPT: NIE
Interfejs ETHERNET: NIE
Interfejs UART/USART: NIE
Interfejs USB: NIE
Przetwornik A/D: NIE
Przetwornik D/A: NIE
Opis szczegółowy

Wybrane właœciwoœci:

- pojemnoœć: 64Kbit; - organizacja: 8-bitowa; - dostęp szeregowy: interfejs 2-Wire/SPI; - częstotliwoœć zegara interfejsu: 1/20MHz; - okres niezmiennoœci danych umieszczonych w pamięci: min. 10 lat; - brak oczekiwania na operację typu zapis/odczyt (NoDelay™ Writes); - pobór pršdu: a) w stanie aktywnym: max. 200µA; b) w trybie standby: max. 10µA; - kompatybilnoœć z pamięciami EEPROM; - napięcie zasilania: 2.7÷3.65V - temperatura pracy: -40÷85°C; - dostępne w obudowie: SOP08.

Pamięć FRAM zbudowana jest z materiału ferroelektrycznego o nazwie PZT (zwišzek ołowiu, cyrkonu i tytanu), którego cechuje możliwoœć zapamiętania jednego z dwóch kierunków pola elektrycznego. Do zapamiętania informacji wykorzystuje się efekt ferroelektryczny - pod wpływem działania pola elektrycznego następuje trwała zmiana polaryzacji czšstek. Nieobecnoœć pola elektrycznego nie powoduje zmiany polaryzacji. Komórkę pamięci można sobie wyobrazić jako kondensator z materiałem ferroelektrycznym jako dielektrykiem, ładowany na przemian napięciem o przeciwnej polaryzacji. Poprzez zmianę polaryzacji ładunków w takim kondensatorze można zapamiętać dwa stabilne stany odpowiadajšce stanom logicznym „0” i „1”.

Pamięci FRAM nazywane sš nieulotnymi pamięciami RAM. Łšczš w sobie zalety pamięci o dostępie swobodnym RAM oraz pamięci tylko czytanych ROM. Charakteryzujš się możliwoœciš szybkiego odczytu i zapisu, nieograniczonš iloœciš cykli zapis/kasowanie a jednoczeœnie nieulotnoœciš danych - wyłšczenie napięć zasilajšcych nie powoduje utraty zapamiętanej informacji; odœwieżanie informacji nie jest konieczne. Pamięci FRAM stosowane sš tam, gdzie wymagana jest duża szybkoœć pracy, niski pobór pršdu oraz bezpieczeństwo danych.