Tranzystory IGBT (wyszukane: 142)
Produkt | Koszyk |
Napięcie kolektor-emiter
|
Napięcie bramka-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
|
Maksymalna moc rozpraszana
|
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
|
Ładunek bramki
|
Obudowa
|
Producent
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IM393M6FXKLA1
IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IM393M6FXKLA1 RoHS Obudowa dokładna: SIP22 |
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 5V | 10A | 15A | 20W | 13,5V ~ 16,5V | SIP22 | Infineon Technologies | -40°C ~ 125°C | |||||||||||||
AOT10B60D
Trans IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT10B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
33 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 10A | 40A | 163W | 5,6V | 17,4nC | TO220 | ALPHA&OMEGA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
AOT15B60D
Trans IGBT; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT15B60D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 30A | 60A | 167W | 5,6V | 25,4nC | TO220 | ALPHA&OMEGA | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGA15N120ANTDTU_F109
Trans IGBT; 1200V; 20V; 30A; 45A; 186W; 4,5~8,5V; 180nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: FGA15N120ANTDTU-F109;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGA15N120ANTDTU-F109 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 30A | 45A | 186W | 4,5V ~ 8,5V | 180nC | TO 3P | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGA60N60UFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 298W; 4,0~6,5V; 188nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGA60N60UFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 120A | 180A | 298W | 4,0V ~ 6,5V | 188nC | TO-3P | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGA60N65SMD
Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGA60N65SMD RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
154 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO 3P | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGAF40N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 115W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGAF40N60SMD RoHS Obudowa dokładna: TO 3Piso |
Stan magazynowy:
16 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 115W | 3,5V ~ 6,0V | 119nC | TO-3Piso | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGB20N60SF
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 208W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FGB20N60SF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 40A | 60A | 208W | 4,0V ~ 6,5V | 65nC | TO263 (D2PAK) | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3
Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 165W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH20N60SFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 40A | 60A | 165W | 4,0V ~ 6,5V | 65nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH30S130P
Trans IGBT ; 1300V; 25V; 60A; 90A; 500W; 4,5~7,5V; 372,3nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
1300V | 25V | 60A | 90A | 500W | 4,5V ~ 7,5V | 372,3nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2023-01-31
Ilość szt.: 120
|
||||||||||||||||||||||
FGH40N60SFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40N60SFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
91 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40N60SFTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FGH40N60SFTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH40N60SMD-F085 AUTOMOTIVE; FGH40N60SMD_F085;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40N60SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
22 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 349W | 3,5V ~ 6,0V | 119nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGH40N60UFDTU
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40N60UFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40N65UFDTU
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH40N65UFDTU RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
650V | 20V | 80A | 120A | 290W | 4,0V ~ 6,5V | 120nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGH40T120SMD TO-247-3L
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
1200V | 25V | 80A | 160A | 555W | 4,9V ~ 7,5V | 370nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-11-30
Ilość szt.: 30
|
||||||||||||||||||||||
FGH60N60SMD
Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH60N60SMD-F085 (AUTOMOTIVE);
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGH60N60SMD RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
106 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/120 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 120A | 180A | 600W | 3,5V ~ 6,0V | 284nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
FGH75T65UPD TO247AB
Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Podobny do : FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
650V | 20V | 150A | 225A | 375W | 4,0V ~ 7,5V | 578nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2023-05-31
Ilość szt.: 30
|
||||||||||||||||||||||
FGL40N120ANDTU
Trans IGBT ; 1200V; 25V; 64A; 160A; 500W; 3,5~7,5V; 330nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FGL40N120ANDTU RoHS Obudowa dokładna: TO264 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 25V | 64A | 160A | 500W | 3,5V ~ 7,5V | 330nC | TO264 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
FGL60N100BNTD
Trans IGBT ; 1000V; 25V; 42A; 200A; 180W; 4,0~7,0V; 275nC; -55°C~150°C; Odpowiednik: FGL60N100BNTDTU; FGL60N100BNTDFS;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
1000V | 25V | 42A | 200A | 180W | 4,0V ~ 7,0V | 275nC | TO264 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-05-20
Ilość szt.: 25
|
||||||||||||||||||||||
HGT1S10N120BNS
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 35A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HGT1S10N120BNS RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 35A | 80A | 298W | 6,0V ~ 6,8V | 150nC | TO263 (D2PAK) | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTG10N120BND
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 35A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HGTG10N120BND RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 35A | 80A | 298W | 6,0V ~ 6,8V | 150nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG10N120BND RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 35A | 80A | 298W | 6,0V ~ 6,8V | 150nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTG11N120CND
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG11N120CND RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
1200V | 20V | 43A | 80A | 298W | 6,0V ~ 6,8V | 150nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-06-10
Ilość szt.: 30
|
||||||||||||||||||||||
HGTG12N60A4D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG12N60A4D RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/90 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 54A | 96A | 167W | 5,6V | 120nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTG12N60C3D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 96A; 104W; 3.0V~6,0V; 71nC; -40°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HGTG12N60C3D RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
23 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 24A | 96A | 104W | 3,0V ~ 6,0V | 71nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTG30N60A4D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 240A; 463W; 4,5V~7,0V; 360nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG30N60A4D RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 75A | 240A | 463W | 4,5V ~ 7,0V | 360nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTG40N60A4
Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG40N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 75A | 300A | 625W | 4,5V ~ 7,0V | 520nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTG40N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 75A | 300A | 625W | 4,5V ~ 7,0V | 520nC | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTP12N60A4D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HGTP12N60A4D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 54A | 96A | 167W | 5,6V | 120nC | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTP12N60C3D
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 96A; 104W; 3.0V~6,0V; 71nC; -40°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HGTP12N60C3D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
23 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 24A | 96A | 104W | 3,0V ~ 6,0V | 71nC | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -40°C ~ 150°C | ||||||||||||
HGTP20N60A4
Trans IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HGTP20N60A4 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
600V | 20V | 70A | 280A | 290W | 4,5V ~ 7,0V | 210nC | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C |