Tranzystory IGBT (wyszukane: 101)

1  2  3  4    
Produkt Koszyk
Napięcie kolektor-emiter
Napięcie bramka-emiter
Maksymalny prąd kolektora
Maksymalna prąd kolektora w impulsie
Maksymalna moc rozpraszana
Napięcie przewodzenia (Vgeth)
Ładunek bramki
Obudowa
Producent
Temperatura pracy (zakres)
IM393M6FXKLA1 IPM IGBT; 600V; 5V; 10A; 15A; 20W; 13,5~16,5V; -40°C~125°C;
IM393M6FXKLA1 SIP22
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IM393M6FXKLA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SIP22
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 4+ 10+ 30+
cena netto (PLN) 44,2600 39,5300 36,1700 33,1600 30,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2
Ilość (wielokrotność 1)
600V 5V 10A 15A 20W 13,5V ~ 16,5V SIP22 Infineon Technologies -40°C ~ 125°C
AOT10B60D Trans IGBT; 600V; 20V; 10A; 40A; 163W; 5,6V; 17,4nC; -55°C~175°C;
AOT10B60D TO220
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOT10B60D RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
13 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,2900 4,8000 3,9700 3,4800 3,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 10A 40A 163W 5,6V 17,4nC TO220 ALPHA&OMEGA -55°C ~ 175°C
AOT15B60D Trans IGBT; 600V; 20V; 30A; 60A; 167W; 5,6V; 25,4nC; -55°C~175°C;
AOT15B60D TO220
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOT15B60D RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,1400 6,4900 5,5600 4,9900 4,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 30A 60A 167W 5,6V 25,4nC TO220 ALPHA&OMEGA -55°C ~ 175°C
FGA60N60UFDTU Trans IGBT ; 600V; 20V; 120A; 180A; 298W; 4,0~6,5V; 188nC; -55°C~150°C;
FGA60N60UFDTU TO 3P
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGA60N60UFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Stan magazynowy:
6 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 28,5800 24,2600 21,6100 20,2600 19,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 120A 180A 298W 4,0V ~ 6,5V 188nC TO-3P ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGA60N65SMD Trans IGBT ; 650V; 20V; 120A; 180A; 600W; 3,5~6,0V; 284nC; -55°C~175°C;
FGA60N65SMD TO 3P
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGA60N65SMD RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Stan magazynowy:
51 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 23,5200 21,6600 20,5100 19,9300 19,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/150
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 120A 180A 600W 3,5V ~ 6,0V 284nC TO 3P ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGAF40N60SMD Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 115W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C;
FGAF40N60SMD TO 3Piso
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGAF40N60SMD RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3Piso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
22 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 23,3300 19,6200 17,3900 16,2800 15,6600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 120A 115W 3,5V ~ 6,0V 119nC TO-3Piso ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 60A; 165W; 4,0~6,5V; 65nC; -55°C~150°C;
FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH20N60SFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
72 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 15,4100 12,9600 11,4900 10,7500 10,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 40A 60A 165W 4,0V ~ 6,5V 65nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40N60SFDTU Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
FGH40N60SFDTU TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N60SFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 20,0400 16,8500 14,9400 13,9900 13,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40N60SMD Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 120A; 349W; 3,5~6,0V; 119nC; -55°C~175°C; Odpowiednik: FGH40N60SMD-F085 AUTOMOTIVE; FGH40N60SMD_F085;
FGH40N60SMD TO247
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
600V 20V 80A 120A 349W 3,5V ~ 6,0V 119nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-10-31
Ilość szt.: 30
                   
FGH40N65UFDTU Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 120A; 290W; 4,0~6,5V; 120nC; -55°C~150°C;
FGH40N65UFDTU TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40N65UFDTU RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
51 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 60+
cena netto (PLN) 45,7200 39,1100 34,9700 32,8300 31,9700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 80A 120A 290W 4,0V ~ 6,5V 120nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
FGH40T120SMD TO-247-3L Trans IGBT ; 1200V; 25V; 80A; 160A; 555W; 4,9~7,5V; 370nC; -55°C~175°C;
FGH40T120SMD TO-247-3L TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FGH40T120SMD RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 45,9000 39,4500 35,4100 33,3200 32,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 25V 80A 160A 555W 4,9V ~ 7,5V 370nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
FGH75T65UPD TO247AB Trans IGBT ; 650V; 20V; 150A; 225A; 375W; 4,0~7,5V; 578nC; -55°C~175°C; Podobny do : FGH75T65UPD-F085; FGH75T65UPD-F155;
FGH75T65UPD TO247AB TO247
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
650V 20V 150A 225A 375W 4,0V ~ 7,5V 578nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 175°C
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-05-07
Ilość szt.: 30
                   
HGTG11N120CND Trans IGBT ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
HGTG11N120CND TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG11N120CND RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 17,4100 15,4700 14,3000 13,7200 13,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 43A 80A 298W 6,0V ~ 6,8V 150nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
HGTG12N60A4D Trans IGBT ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;
HGTG12N60A4D TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG12N60A4D RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
1 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 9+ 30+ 93+
cena netto (PLN) 27,1800 23,0500 20,6900 19,2400 18,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 54A 96A 167W 5,6V 120nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
IHW30N160R5 Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IHW30N160R5XKSA1;
IHW30N160R5 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IHW30N160R5XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 28,9100 24,5200 21,8200 20,4500 19,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1600V 20V 60A 90A 263W 4,5V ~ 5,8V 205nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
HGTG20N60B3D Trans IGBT ; 600V; 20V; 40A; 160A; 165W; 3,0V~6,0V; 135nC; -40°C~150°C;
HGTG20N60B3D TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG20N60B3D RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 27,0300 22,9200 20,4000 19,1200 18,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 40A 160A 165W 3,0V ~ 6,0V 135nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -40°C ~ 150°C
HGTG30N60B3D Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 220A; 208W; 4,2V~6,0V; 250nC; -55°C~150°C;
HGTG30N60B3D TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG30N60B3D RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 26,4500 22,4200 19,9600 18,7100 17,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 60A 220A 208W 4,2V ~ 6,0V 250nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
HGTG40N60A4 Trans IGBT ; 600V; 20V; 75A; 300A; 625W; 4,5V~7,0V; 520nC; -55°C~150°C;
HGTG40N60A4 TO247
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
HGTG40N60A4 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
 
Stan magazynowy:
19 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 45,7000 39,2700 35,2600 33,1700 31,9600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 75A 300A 625W 4,5V ~ 7,0V 520nC TO247 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
HGTP20N60A4 Trans IGBT ; 600V; 20V; 70A; 280A; 290W; 4,5V~7,0V; 210nC; -55°C~150°C;
HGTP20N60A4 TO220
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
HGTP20N60A4 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
54 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,3800 10,3000 9,0700 8,2900 7,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 70A 280A 290W 4,5V ~ 7,0V 210nC TO220 ON SEMICONDUCTOR -55°C ~ 150°C
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGB10N60T;
IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TO263 (D2PAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGB10N60TATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,7300 4,7100 4,0000 3,6600 3,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 24A 30A 110W 4,1V ~ 5,7V 62nC TO263 (D2PAK) Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGD06N60TXT;
IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGD06N60TATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,2100 3,4600 2,8700 2,5900 2,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 12A 18A 88W 4,1V ~ 5,7V 42nC TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGP30N60H3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGP30N60H3XKSA1;
IGP30N60H3 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGP30N60H3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,6900 10,5500 9,2900 8,4900 8,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 60A 120A 187W 4,1V ~ 5,7V 165nC TO220 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW25N120H3 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1
IGW25N120H3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW25N120H3FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 23,2300 19,5400 17,3200 16,2100 15,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 50A 100A 326W 5,0V ~ 6,5V 115nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW30N60T Trans IGBT ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C; IGW30N60TFKSA1
IGW30N60T TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW30N60TFKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 13,9300 11,5100 10,0700 9,3800 8,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 45A 90A 187W 4,1V ~ 5,7V 167nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW40N60H3FKSA1 Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N60H3;
IGW40N60H3FKSA1 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW40N60H3FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 15+ 30+ 150+
cena netto (PLN) 22,0100 17,9800 16,0900 15,5200 14,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
15
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 80A 160A 306W 4,1V ~ 5,7V 223nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW40N65F5 Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW40N65F5FKSA1;
IGW40N65F5 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW40N65F5FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 15,5300 13,0600 11,5700 10,8400 10,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 74A 120A 250W 3,2V ~ 4,8V 95nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW50N60H3 Trans IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Odpowiednik:IGW50N60H3FKSA1;
IGW50N60H3 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW50N60H3FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 24,7300 20,8000 18,4400 17,2600 16,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 100A 200A 333W 4,1V ~ 5,7V 315nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW50N65F5FKSA1 Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;
IGW50N65F5FKSA1 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW50N65F5FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
cena netto (PLN) 29,0600 23,3800 20,6900 20,1500 19,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Ilość (wielokrotność 1)
650V 20V 80A 150A 305W 3,2V ~ 4,8V 120nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
IGW60T120 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 150A; 375W; 5,0V~6,5V; 280nC; -40°C~150°C; Odpowiednik: IGW60T120FKSA1;
IGW60T120 TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW60T120FKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 31,7500 26,9200 23,9600 22,4600 21,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
1200V 20V 100A 150A 375W 5,0V ~ 6,5V 280nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 150°C
IGW75N60T Trans IGBT ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1
IGW75N60T TO247
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IGW75N60TFKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 25,9100 21,7900 19,3200 18,0800 17,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
600V 20V 150A 225A 428W 4,1V ~ 5,7V 470nC TO247 Infineon Technologies -40°C ~ 175°C
1  2  3  4    

Tranzystory IGBT

W naszej ofercie znajdziesz wiele typów tranzystorów, w tym również te, określane skrótem IGBT. Tranzystory te są odmianą modeli bipolarnych o specjalnej konstrukcji, a mianowicie, posiadają izolowaną bramkę. W końcu rozwinięcie skrótu IGBT to – Insulated Gate Bipolar Transistor. Można uznać, że tranzystory IGBT są połączeniem tranzystorów MOSFET (wejście) i tranzystorów bipolarnych (wyjście). Co ciekawe, w przypadku wielu aplikacji tranzystor IGBT będzie tańszą alternatywą dla tradycyjnych modeli, ponieważ ma niższe napięcie w stanie załączenia. Jest tak choćby w porównaniu do tranzystorów MOSFET o podobnych zakresach napięć oraz analogicznych rozmiarach.

Co wyróżnia tranzystory typu IGBT?

Tranzystory IGBT wyróżniają się prądem o charakterze bipolarnym, który jest związany z przepływem dziur i elektronów. Wstrzykiwanie nośników dziurowych z obszaru p+ do n- znacząco zmniejsza efektywną rezystancję w obszarze dryftu. Dzięki temu zwiększona zostaje przewodność, co z kolei powoduje zmniejszenie wartości napięcia kolektor-emiter w stanie przewodzenia. Czynnik ten jest uznawany za główną zaletę tranzystorów IGBT, kiedy porówna się je do tradycyjnych tranzystorów typu MOSFET. Warto jednak mieć świadomość, że tranzystor mocy IGBT posiada niższe napięcie, które zostało uzyskane kosztem ograniczenia szybkości przełączania, ze szczególnym naciskiem na prędkość wyłączania. 

Mocne i słabe strony tranzystora IGBT

Tranzystor IGBT doskonale sprawdzi się podczas pracy z większymi napięciami. Jednocześnie jednak należy mieć świadomość, że tranzystory IGBT nie nadają się raczej do łączenia ich w sposób równoległy. Urządzenia z tej kategorii, które znajdziesz w naszej ofercie, znajdują zastosowanie przede wszystkim w przemiennikach częstotliwości o mocach wynoszących nawet do kilkuset watów. Decydując się na wykorzystanie tranzystora IGBT, będziesz w stanie ograniczyć straty energii nawet do 60%. Ponadto uzyskasz szerszy zakres regulacji urządzeń oraz lepsze parametry. Jeżeli nie jesteś pewien, jakie tranzystory IGBT najlepiej sprawdzą się w przypadku Twoich urządzeń i projektów, skontaktuj się z naszymi pracownikami, którzy pomogą Ci w wyborze konkretnego modelu. Posiadamy też szereg innych tranzystorów – https://www.micros.com.pl/tranzystory/. Zachęcamy do zapoznania się z pełną ofertą. 

IGBT - tranzystory dostępne w naszej ofercie?

W naszym sklepie znajdziesz różne modele tranzystorów IGBT od wiodących producentów. Poszczególne modele tych urządzeń mogą się różnić między innymi:

  • napięciem kolektor-emiter,
  • napięciem bramka-emiter,
  • maksymalnym prądem kolektora,
  • maksymalnym prądem kolektora w impulsie,
  • maksymalną mocą rozpraszania,
  • napięciem przewodzenia,
  • ładunkiem bramki,
  • obudową,
  • marką,
  • zakresem temperatur, w których mogą pracować.

Każdy określany skrótem IGBT tranzystor dostępny w naszej ofercie jest urządzeniem najwyższej jakości, które zostało zaprojektowane i stworzone z dbałością o szczegóły. Dzięki temu, decydując się na zakupy w naszym sklepie, możesz być pewny, że otrzymane tranzystory będą prawidłowo pełniły swoją funkcję