Tranzystory polowe (wyszukane: 1952)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR5410
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 13A; 66W; -55°C~175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 210mOhm | 13A | 66W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
IRLML0100 SOT23-3 KEXIN
IRLML0100TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-01-31
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-01-31
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
IRF7406
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7406TR; IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF9335PBF; IRF7406PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2023-12-13
Ilość szt.: 500
|
||||||||||||||||||||||
AOD4130
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
HXY Symbol Producenta: AOD4130-HXY RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
IRFR3709Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5mOhm; 90A; 181W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFR3709ZTRRPBF; IRFR3709ZTRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 5mOhm | 90A | 181W | THT | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
IRF9910TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TRPBF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 1,3Ohm | 10A | 2,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBS | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2023-12-31
Ilość szt.: 100
|
||||||||||||||||||||||
AO3422
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 120mOhm; 2A; 1,56W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 12V | 120mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MSK | ||||||||||||
NTD5867N
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 33mOhm | 20A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO252 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
AO3400
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 35mOhm; 30A; 1,5W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
202 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 202 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 35mOhm | 30A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GOODWORK | ||||||||||||
Stan magazynowy:
798 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 798 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 35mOhm | 30A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GOODWORK | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-01-31
Ilość szt.: 1
|
||||||||||||||||||||||
SI2308BDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
140 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 105mOhm | 3A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | HXY MOSFET | ||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | HXY MOSFET | ||||||||||||
AO3420 SOT23-3L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 55mOhm | 6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | ||||||||||||
SH8JB5
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 8,5A; 15,3mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JB5TB1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 16V | 15,3mOhm | 8,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ROHM | ||||||||||||
BSS131
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 14Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | ||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS131 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 14Ohm | 100mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-01-31
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-03-20
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||||||||
WPM2015 SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 110mOhm | 2,4A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | ||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 110mOhm | 2,4A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | ||||||||||||
2SK3878 TOSHIBA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S)
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
175 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 9A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Toshiba | ||||||||||||
IRF7853
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7853PBF; IRF7853TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 8,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRLML2502
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TR; IRLML2502PBF; IRLML2502TRPBF; SP001558336; TCJ2302;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
574 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
20368 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2996 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2996 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 80mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
STP10NK60ZFP
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
475 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | ||||||||||||
IRF9520
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9520 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 6,8A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | ||||||||||||
MMBF170 ONS
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10Kpcs/T&R);
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
12419 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/33000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
TSM9926DCS
Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM9926DCS RLG;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 40mOhm | 6A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | TAI-SEM | ||||||||||||
BSS138BK NXP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,5Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138BK,215;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
31290 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/99000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6,5Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | ||||||||||||
Stan magazynowy:
1770 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/102000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6,5Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | ||||||||||||
IRF1104
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 100A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1104PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 9mOhm | 100A | 170W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | ||||||||||||
SH8JC5TB1
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5A; 32mOhm; 2W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SH8JC5TB1;
|
|||||||||||||||||||||||