Tranzystory polowe (wyszukane: 2181)

1  2  3  4  5  6  7  8  9    73
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
2N7000 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-DIO;
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
2N7000 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92ammoformed
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,7150 0,2850 0,1660 0,1380 0,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIOTEC
2N7002 Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO;
2N7002 RoHS || 2N7002 SOT23
Producent:
DIOTEC
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5650 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3680 0,1450 0,0847 0,0620 0,0566
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 30V 7Ohm 280mA 350mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 DIOTEC
2N7002-T1-E3 VISHAY Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 40V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-T1-GE3;
2N7002-T1-E3 RoHS || 2N7002-T1-E3 VISHAY SOT23
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
2N7002-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9460 0,4490 0,2530 0,1920 0,1720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 40V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
8205A Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
8205A RoHS || 8205A TSSOP08
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
8205A RoHS
Obudowa dokładna:
TSSOP08 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1300 0,6210 0,4070 0,3510 0,3240
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 27mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 HXY MOSFET
AO3403 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3403 RoHS || AO3403 SOT23
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3403 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9860 0,4980 0,3000 0,2370 0,2190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 12V 200mOhm 2,6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO3415A Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
AO3415A RoHS || AO3415A SOT23
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
AO3415A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
380 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1000 0,5520 0,3290 0,2720 0,2450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
AO3415A Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
AO3415A RoHS || AO3415A SOT23
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
AO3415A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1000 0,4760 0,3120 0,2590 0,2440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBS
STD26P3LLH6 JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 55A; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD26P3LLH6 STMicroelectronics
STD26P3LLH6 RoHS || STD26P3LLH6 JSMICRO TO252 (DPACK)
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
STD26P3LLH6 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6800 1,3200 1,2000 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 18mOhm 55A 37,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) JSMICRO
AO3418 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 3,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3418 RoHS AK... || AO3418 SOT23
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3418 RoHS AK...
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0100 0,5560 0,3680 0,3060 0,2880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 85mOhm 3,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO3419 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 168mOhm; 3,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3419 RoHS || AO3419 SOT23
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO3419 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
20870 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8960 0,4540 0,2750 0,2180 0,1990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 168mOhm 3,5A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ALPHA&OMEGA
AO3420 SOT23-3L Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
AO3420 RoHS || AO3420 SOT23-3L SOT23
Producent:
HOTTECH
Symbol Producenta:
AO3420 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,8250 0,3890 0,2170 0,1740 0,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 55mOhm 6A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
AO3422 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 12V; 120mOhm; 2A; 1,56W; -55°C~150°C;
AO3422 RoHS || AO3422 SOT23
Producent:
MSKSEMI
Symbol Producenta:
AO3422 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5370 0,3200 0,2650 0,2380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 12V 120mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MSK
AO4409 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 15A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
AO4409 RoHS || AO4409 SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4409 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3300 2,0900 1,7400 1,5500 1,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 12mOhm 15A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AO4435 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
AO4435 RoHS || AO4435 SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4435 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4800 1,3800 1,0800 1,0200 0,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 36mOhm 14A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AO4455 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 17A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
AO4455 RoHS || AO4455 SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4455 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,7600 2,5000 2,0700 1,8700 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 9,5mOhm 17A 3,1W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
AON7520 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 3,1mOhm; 50A; 83,3W; -55°C ~ 150°C;
AON7520C RoHS || AON7520 DFN08(3.3x3.3)
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AON7520C RoHS
Obudowa dokładna:
DFN08(3.3x3.3)
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,7700 2,3900 1,8900 1,7200 1,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 3,1mOhm 50A 83,3W SMD -55°C ~ 150°C DFN08(3.3x3.3) ALPHA&OMEGA
AOT10N60 Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C;
AOT10N60 RoHS || AOT10N60 TO220
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOT10N60 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,0600 4,6300 3,8300 3,3600 3,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 10A 250W THT -55°C ~ 150°C TO220 ALPHA&OMEGA
AOTF16N50 Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 370mOhm; 16A; 50W; -55°C ~ 150°C;
AOTF16N50 RoHS || AOTF16N50 TO220iso
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOTF16N50 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,3800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 30V 370mOhm 16A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
 
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOTF16N50 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6800 4,3400 3,5900 3,1500 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 30V 370mOhm 16A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
AOTF9N70 Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 1,2Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
AOTF9N70 RoHS || AOTF9N70 TO220iso
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AOTF9N70 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7600 2,7600 2,2100 1,9000 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 700V 30V 1,2Ohm 9A 50W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ALPHA&OMEGA
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D || AP2311GN-HF RoHS || AP2311GN RoHS || AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2100 0,6420 0,4980 0,4590 0,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15045 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2100 0,6420 0,4980 0,4590 0,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
560 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2100 0,6420 0,4980 0,4590 0,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
NTJD4401NT1G Tranzystor 2xN-MOSFET; 20V; 12V; 445mOhm; 910mA; 550mW; -55°C ~ 150°C;
NTJD4401 RoHS || NTJD4401NT1G SOT363 t/r
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTJD4401 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6760 0,4430 0,3830 0,3530
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 445mOhm 910mA 550mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 t/r ON SEMICONDUCTOR
NTJD5121NT1G Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 295mA; 250mW; -55°C ~ 150°C;
NTJD5121NT1G RoHS || NTJD5121NT1G SOT363
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTJD5121NT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8460 0,4240 0,2520 0,2090 0,1880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 2,5Ohm 295mA 250mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 ON SEMICONDUCTOR
NTMD6P02R2G Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C;
NTMD6P02R2G RoHS || NTMD6P02R2G SOP08
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTMD6P02R2G RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,3800 2,1400 1,6900 1,5400 1,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
2xP-MOSFET 20V 12V 50mOhm 6,2A 1,28W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ON SEMICONDUCTOR
NTMFS4926NT1G Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 44A; 21,6W; -55°C ~ 150°C;
NTMFS4926NT1G RoHS || NTMFS4926NT1G DFN5
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTMFS4926NT1G RoHS
Obudowa dokładna:
DFN5
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,6200 3,0700 2,5400 2,2900 2,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
110
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 11,2mOhm 44A 21,6W SMD -55°C ~ 150°C DFN5 ON SEMICONDUCTOR
NTP2955G Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 196mOhm; 12A; 62,5W; -55°C ~ 175°C;
NTP2955G RoHS || NTP2955G TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTP2955G RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,2200 2,0200 1,5800 1,4900 1,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 196mOhm 12A 62,5W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
NTR0202PLT1G Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 20V; 1,1Ohm; 400mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR0202PLT3G;
NTR0202PLT1G RoHS PL. || NTR0202PLT1G SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTR0202PLT1G RoHS PL.
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,9860 0,4290 0,2680 0,2300 0,2190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 20V 1,1Ohm 400mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
NTR1P02LT1G Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR1P02LT3G;
NTR1P02LT1G RoHS || NTR1P02LT1G SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTR1P02LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1380 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9770 0,5400 0,3590 0,3000 0,2790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 350mOhm 1,3A 400mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
NTR4003NT1G Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4003NT3G;
NTR4003NT1G RoHS TR8 || NTR4003NT1G SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTR4003NT1G RoHS TR8
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,9130 0,3650 0,2120 0,1770 0,1660
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2Ohm 500mA 690mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTR4003NT1G RoHS TR8
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1400 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9300 0,4420 0,2480 0,1890 0,1690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2Ohm 500mA 690mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
NTR4101PT1G Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C;
NTR4101PT1G RoHS || NTR4101PT1G SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTR4101PT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,6900 1,1100 0,7980 0,6830 0,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 210mOhm 2,4A 730mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
NTR4171PT1G Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: NTR4171PT3G;
NTR4171PT1G Pbf TRF || NTR4171PT1G SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTR4171PT1G Pbf TRF
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1700 0,7490 0,5260 0,4560 0,4270
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 12V 150mOhm 2,2A 480mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
1  2  3  4  5  6  7  8  9    73

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.