Tranzystory polowe (wyszukane: 1903)
Produkt | Koszyk |
Maksymalna tracona moc
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalny prąd drenu
|
Montaż
|
Obudowa
|
Producent
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Typ tranzystora
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI2302 2.9A SOT23 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: SI2302 2.9A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
1W | 10V | 20V | 2,9A | SMD | SOT23 | KUU | 59mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
AO3401A SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: AO3401A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
435 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
1,4W | 12V | 30V | 4,2A | SMD | SOT23 | ALPHA&OMEGA | 85mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
KAO3401 SOT23 KUU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KAO3401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
293 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 293 Ilość (wielokrotność 1) |
1,4W | 30V | 4,1A | SMD | SOT23 | KUU | 100mOhm | -55°C ~ 155°C | N-MOSFET | |||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KAO3401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
7 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 7 Ilość (wielokrotność 1) |
1,4W | 30V | 4,1A | SMD | SOT23 | KUU | 100mOhm | -55°C ~ 155°C | N-MOSFET | |||||||||||||
SI2305 A50T SOT23 LGE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 250mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-07-20
Ilość szt.: 9000
|
||||||||||||||||||||||
SI2333 SOT23 BORN
Tranzystor P-MOSFET; 12V; 8V; 59mOhm; 5,1A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SI2333 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 452 Ilość (wielokrotność 1) |
1,25W | 8V | 12V | 5,1A | SMD | SOT23 | BORN | 59mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SI2333 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
700 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
1,25W | 8V | 12V | 5,1A | SMD | SOT23 | BORN | 59mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec.
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
YY Symbol Producenta: 2N7002KWQ RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||||||||
AO3400 SOT23-3 HOTTECH
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: AO3400 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2994 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
1,4W | 20V | 30V | 5,8A | SMD | SOT23 | HOTTECH | 55mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
IRLML6402
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 135mOhm; 3,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF; KIRLML6402TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KIRLML6402TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
280 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
SMP5116
Transistor JFET 50mA, -40V P-Channel; vDS -15V; Vgs 30V; Gate-Source 4V;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
INTERFET Symbol Producenta: SMP5116 RoHS Obudowa dokładna: SOT23 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 110 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||||||||||||
IRLML2502 SOT23-3 HUA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
HUASHUO Symbol Producenta: IRLML2502 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
1W | 12V | 20V | 3,6A | SMD | SOT23 | Huashuo Semiconductor | 70mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
FDN338P SOT23-3 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
HUASHUO Symbol Producenta: FDN338P RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
1W | 12V | 20V | 3A | SMD | SOT23 | Huashuo Semiconductor | 140mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
SI2301 SOT23-3 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 140mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SI2301 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
1,25W | 10V | 20V | 3A | SMD | SOT23 | BORN | 140mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
SI2301S SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 210mOhm; 2,3A; 1W; -50°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SI2301S RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
1W | 10V | 20V | 2,3A | SMD | SOT23 | BORN | 210mOhm | -50°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
SI2302 SOT23 BORN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: SI2302 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 996 Ilość (wielokrotność 1) |
1,25W | 10V | 20V | 3A | SMD | SOT23 | BORN | 59mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
BM3415E SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
BORN Symbol Producenta: BM3415E RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
280 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
1,5W | 8V | 20V | 4,8A | SMD | SOT23 | BORN | 65mOhm | -50°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
2N7002 SOT23 CJ
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-05-30
Ilość szt.: 6000
|
||||||||||||||||||||||
LBSS8402DW1T1G SC88 LRC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LBSS8402DW1T3G;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
LRC Symbol Producenta: LBSS8402DW1T1G RoHS Obudowa dokładna: SC-88 t/r |
Stan magazynowy:
495 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
380mW | 20V | 50V | 130mA | SMD | SC-88 | LRC | 10Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
BSS138 SOT23 LGE
50V 220mA 3.5?@10V,220mA 350mW 1.5V@1mA 6pF@25V N Channel 27pF@25V +150?@(Tj) SOT-23 MOSFETs
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-06-20
Ilość szt.: 15000
|
||||||||||||||||||||||
BSS138 SOT23-3 CJ
50V 220mA 3.5?@10V,220mA 360mW 1.5V@1mA N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-05-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
BSS138
Tranzystor N-MOSFET; 50V; 20V; 4Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
AnBon Symbol Producenta: BSS138 RoHS SS. Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
350mW | 20V | 50V | 220mA | SMD | SOT23-3 | Anbonsemi | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
Producent:
AnBon Symbol Producenta: BSS138 RoHS SS. Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
2402 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2571 Ilość (wielokrotność 1) |
350mW | 20V | 50V | 220mA | SMD | SOT23-3 | Anbonsemi | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
Producent:
AnBon Symbol Producenta: BSS138 RoHS SS. Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
53 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 53 Ilość (wielokrotność 1) |
350mW | 20V | 50V | 220mA | SMD | SOT23-3 | Anbonsemi | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
Producent:
AnBon Symbol Producenta: BSS138 RoHS SS. Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
350mW | 20V | 50V | 220mA | SMD | SOT23-3 | Anbonsemi | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
Producent:
AnBon Symbol Producenta: BSS138 RoHS SS. Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
350mW | 20V | 50V | 220mA | SMD | SOT23-3 | Anbonsemi | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2022-05-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
2V7002LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
300mW | 20V | 60V | 115mA | SMD | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | 13,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
MMBT7002K DIOTEC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT7002K-DIO;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBT7002K RoHS K72 Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
251 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1251 Ilość (wielokrotność 10) |
350mW | 20V | 60V | 300mA | SMD | SOT23 | DIOTEC | 4Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-12-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
XP231P02013R-G
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 8V; 8Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
TOREX Symbol Producenta: XP231P02013R-G RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Ilość (wielokrotność 1) |
350mW | 8V | 30V | 200mA | SMD | SOT323 | Torex | 8Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
Producent:
TOREX Symbol Producenta: XP231P02013R-G RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
485 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 485 Ilość (wielokrotność 1) |
350mW | 8V | 30V | 200mA | SMD | SOT323 | Torex | 8Ohm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
XP232N03013R-G
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 2,5Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
TOREX Symbol Producenta: XP232N03013R-G RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
350mW | 20V | 30V | 300mA | SMD | SOT323 | Torex | 2,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
Producent:
TOREX Symbol Producenta: XP232N03013R-G RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
350mW | 20V | 30V | 300mA | SMD | SOT323 | Torex | 2,5Ohm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
BSS214NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS214NH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS214NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
500mW | 12V | 20V | 1,5A | SMD | SOT23 | Infineon Technologies | 250mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
BSS306NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS306NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
500mW | 20V | 30V | 2,3A | SMD | SOT23 | Infineon Technologies | 93mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
BSS314PEH6327 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS314PEH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS314PEH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
500mW | 20V | 30V | 1,5A | SMD | SOT23 | Infineon Technologies | 230mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
BSS315PH6327 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 270mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS315PH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
500mW | 20V | 30V | 1,5A | SMD | SOT23 | Infineon Technologies | 270mOhm | -55°C ~ 150°C | P-MOSFET | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2023-03-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
BSS316NH6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 280mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS316NH6327XTSA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS316NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1010 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
500mW | 20V | 30V | 1,4A | SMD | SOT23 | Infineon Technologies | 280mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET | ||||||||||||
IPA60R060C7XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 115mOhm; 16A; 34W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R060C7XKSA1 RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
34W | 20V | 650V | 16A | THT | TO220FP | Infineon Technologies | 115mOhm | -55°C ~ 150°C | N-MOSFET |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.