Fotorezystory (wyszukane: 28)
Produkt | Koszyk | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VT33N3
Photoresistor 160k/2M Glas
|
|||||||||||||
Producent:
EXCELITAS Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.VT3_ |
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Fotorezystor PGM5506
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=2-6kR; 1lx(min)=0.15MR napięcie max Vmax = 100V; długość fali: 540nm; moc całkowita Pmax=90mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM5506 |
Stan magazynowy:
680 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Fotorezystor PGM5516
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=5-10kR; 1lx(min)=0.2MR napięcie max Vmax = 100V; długość fali: 540nm; moc całkowita Pmax=90mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM5516 |
Stan magazynowy:
1998 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Fotorezystor PGM5526
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=8-20kR; 1lx(min)=1MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 540nm; moc całkowita Pmax=100mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM5526 |
Stan magazynowy:
3963 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Fotorezystor PGM5537
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=16-50kR; 1lx(min)=2MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 540nm; moc całkowita Pmax=100mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM5537 |
Stan magazynowy:
17885 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Fotorezystor PGM5549
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=45-140kR; 1lx(min)=10MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 540nm; moc całkowita Pmax=100mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM5549 |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/1200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Fotorezystor PGM5616D
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=5-10kR; 1lx(min)=1MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=100mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM5616D |
Stan magazynowy:
4545 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/2400 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Fotorezystor PGM5626D
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=8-20kR; 1lx(min)=2MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=100mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM5626D |
Stan magazynowy:
170 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/600 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Fotorezystor PGM5639D
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=30-90kR; 1lx(min)=10MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=100mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM5639D |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200/1200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Fotorezystor PGM5649D
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=50-160kR; 1lx(min)=20MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=100mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM5649D |
Stan magazynowy:
19 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Fotorezystor PGM5659D
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=150-300kR; 1lx(min)=20MR napięcie max Vmax = 150V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=100mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM5659D |
Stan magazynowy:
835 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM1200
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=2-5kR; 1lx(min)=1MR napięcie max Vmax = 250V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=250mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM1200 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM1201
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=4-10kR; 1lx(min)=2MR napięcie max Vmax = 250V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=250mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM1201 |
Stan magazynowy:
470 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM1202
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=8-20kR; 1lx(min)=5MR napięcie max Vmax = 250V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=250mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM1202 |
Stan magazynowy:
94 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM1203
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=18-50kR; 1lx(min)=10MR napięcie max Vmax = 250V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=250mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM1203 |
Stan magazynowy:
290 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM1204
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=45-150kR; 1lx(min)=20MR napięcie max Vmax = 250V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=250mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM1204 |
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM1205
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=140-300kR; 1lx(min)=20MR napięcie max Vmax = 250V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=250mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM1205 |
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM2000
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=2-5kR; 1lx(min)=1MR napięcie max Vmax = 500V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=500mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM2000 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM2001
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=4-10kR; 1lx(min)=2MR napięcie max Vmax = 500V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=500mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM2001 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM2002
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=8-20kR; 1lx(min)=5MR napięcie max Vmax = 500V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=500mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM2002 |
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM2003
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=18-50kR; 1lx(min)=10MR napięcie max Vmax = 500V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=500mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM2003 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/100 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM2004
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=45-150kR; 1lx(min)=20MR napięcie max Vmax = 500V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=500mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM2004 |
Stan magazynowy:
49 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
fotorezystor PGM2005
rezystancja przy oświetleniu: 10lx=140-300kR; 1lx(min)=20MR napięcie max Vmax = 500V; długość fali: 560nm; moc całkowita Pmax=500mW;
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.PGM2005 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
GL5537-1 fi5mm 2M dark 20-30k(10lx);4-10k(100lx)
Fotorezystor GL5537-1 o rezystancji 20-30kOhm, mocy 100mW Wymiary 5x2 mm
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.GL5537-1 |
Stan magazynowy:
820 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500/2000 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Stan magazynowy:
320 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 520 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
GL5539
Fotorezystor GL5539 o rezystancji 50-100kOhm, mocy 100mW Wymiary 5x2 mm
|
|||||||||||||
Producent:
import Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.GL5539 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
GL5549
Fotorezystor GL5549 o rezystancji 100-200kOhm, mocy 100mW Wymiary 5x2 mm
|
|||||||||||||
Producent:
SENBA Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.GL5539 |
Stan magazynowy:
154 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 254 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
VT43N1
Photoresistor 8k/300k Plastic
|
|||||||||||||
Producent:
Excel Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.VT4_ |
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
||||||||||||
VT93N1
Photoresistor 24k/300k Plastic
|
|||||||||||||
Producent:
Excel Symbol Producenta: Obudowa dokładna: Rys.VT9_ |
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |