600- i 700-woltowe superzłączowe tranzystory MOSFET o dużej gęstości mocy

2022-03-04

Tranzystory αMOS5 w obudowach DFN 8x8 charakteryzują się mniejszą o prawie 60% powierzchnią obudowy w stosunku do standardu D2Pak, a ich grubość, wynosząca 0,9 mm, jest mniejsza o 80%.

Zredukowana indukcyjność źródła zapewnia mniejsze oscylacje na bramce i mniejsze straty przy włączaniu (Eon). Wyprowadzenie Kelvina na źródle tranzystora pozwala dodatkowo zmniejszyć straty przy pracy impulsowej. Tranzystory αMOS5 zamykane w obudowach DFN 5x6 zajmują powierzchnię mniejszą o 61% od tranzystorów w obudowach DPak. Ich grubość wynosi zaledwie 0,75 mm, mniej o 67% od grubości obudów DPAK. Podobnie, jak dla wersji DFN 8x8, zaletą tych tranzystorów jest mała indukcyjność źródła, pozwalająca na zastosowania w szybkich układach impulsowych.

SYMBOL OPIS

AONV210A60

Tranzystor N-Channel aMOS5; 600V; 20V; 210mOhm; 20A; 208W; -55°C ~ 150°C;

AONS660A70F

Tranzystor N-Channel aMOS5; 700V; 20V; 660mOhm; 9,6A; 138W; -55°C ~ 150°C;

AONS1R6A70

 

Tranzystor N-Channel aMOS; 700V; 20V; 1,6Ohm; 4,6A; 78W; -55°C ~ 150°C;
Powrót na listę aktualności