Diody transil SMBJ 600W HXY - wersje A i CA

Diody transil HXY MOSFET – seria SMBJ

Diody transil HXY MOSFET SMBJ to elementy zabezpieczające przeznaczone do ochrony układów elektronicznych przed krótkotrwałymi przepięciami i impulsami napięciowymi. Seria obejmuje wersje jednokierunkowe i dwukierunkowe, o mocy impulsowej 600W oraz różnych napięciach pracy, dzięki czemu można dobrać odpowiedni wariant do wymagań różnych układów elektronicznych.

Kluczowe cechy

• Moc impulsowa do 0,6kW (600W).
• Dostępne napięcia: 5V, 24V, 28V, 30V, 33V, 36V oraz 58V.
• Wersje jednokierunkowe (A) i dwukierunkowe (CA).
• Kompaktowa obudowa SMB do montażu powierzchniowego (SMD).
• Ograniczanie krótkotrwałych przepięć i impulsów napięciowych.
• Przeznaczone do ochrony wrażliwych elementów elektronicznych przed przepięciami.
• Możliwość stosowania jako zamienniki wybranych diod z serii SM6T i P6SMB, przy zachowaniu zgodności parametrów.

Zastosowania

• Ochrona układów zasilających przed przepięciami.
• Zabezpieczanie tranzystorów MOSFET i innych półprzewodników przed impulsami napięciowymi.
• Ochrona układów sterujących i automatyki przemysłowej.
• Zabezpieczenie elektroniki samochodowej i instalacji elektrycznych.
• Ochrona linii zasilających i sygnałowych przed krótkotrwałymi przepięciami.
• Zabezpieczanie układów narażonych na przepięcia powstające podczas przełączania obciążeń indukcyjnych.
• Zastosowanie w zasilaczach, sterownikach i modułach elektronicznych.
• Ochrona urządzeń elektronicznych pracujących w środowisku, w którym występują zakłócenia i impulsy elektryczne.

Aby sprawdzić aktualną cenę i dostępność produktu, kliknij jego symbol.