Pamięci FRAM firmy SMART MEMORIES

2025-11-26

Czym jest FRAM?

FRAM (Ferroelectric RAM) to pamięć nieulotna, która łączy w sobie część zalet DRAM (szybki zapis/odczyt) i EEPROM/Flash (zachowanie danych po zaniku zasilania).

W praktyce:

  • Nie trzeba czekać na zapis – bardzo szybkie czasy zapisu, brak procedur „programowania / blokowania” jak w Flash;
  • Bardzo wysoka liczba cykli zapisu/odczytu (często miliardy);
  • Niski pobór prądu, dobra wytrzymałość temperaturowa;

Pamięci FRAM są często używane tam, gdzie EEPROM/Flash nie radzą sobie z dużą liczbą zapisań albo wymagane są szybkie zapisy małych porcji danych.

FRAM vs EEPROM/Flash

W przeciwieństwie do Flash, EEPROM czy DRAM, rynek pamięci FRAM jest jednak dość niszowy. Powody tego są zarówno technologiczne, jak i rynkowe. Technologia produkcji FRAM jest trudna i droga. W FRAM używa się warstw ferroelektrycznych, a to wymaga innego procesu technologicznego niż klasyczny CMOS stosowany w DRAM/Flash. Ponadto materiały ferroelektryczne trudniej się łączy z resztą układów scalonych. Rynek masowy postawił na Flash i EEPROM ponieważ są tańsze w przeliczeniu na bit, nawet jeśli mają dużo gorsze parametry (wolny zapis, ograniczona liczba cykli).

FRAM skaluje się dużo gorzej niż Flash. Obecne układy FRAM to zwykle kilkaset kilobitów do kilku megabitów, podczas gdy Flash bez problemu oferuje gigabity. To ogranicza zastosowanie – FRAM nadaje się raczej na pamięć „roboczą” (logi, parametry, konfiguracja), a nie na masową pamięć danych. Dodatkowo przez wiele lat większość kluczowych patentów miały firmy takie jak Ramtron (później przejęty przez Cypress, a następnie Infineon) i Fujitsu. To ograniczało rozwój konkurencji.

Pamięci FRAM są cenione np. w licznikach energii, sprzęcie medycznym, systemach automotive (czarne skrzynki), urządzeniach IoT zasilanych bateryjnie – tam, gdzie ważna jest niezawodność, trwałość, szybki zapis, a więc tam gdzie przewyższa EEPROM/Flash.

Pamięci SMART MEMORIES – mądry wybór dla Twojego budżetu.

Wuxi Smart Memories to dynamicznie rozwijająca się chińska firma specjalizująca się w produkcji nowoczesnych pamięci FRAM. Dzięki połączeniu wieloletniego doświadczenia zespołu inżynierów oraz dostępu do najnowszych technologii półprzewodnikowych, Smart Memories dostarcza rozwiązania charakteryzujące się wyjątkową trwałością, szybkością i energooszczędnością.

Technologia FRAM została opracowana pierwotnie przez firmę Ramtron, a przez wiele lat była chroniona patentami i dostępna jedynie u nielicznych producentów. Dziś jednak podstawowe patenty wygasły, co otworzyło rynek dla nowych dostawców. Dzięki temu Smart Memories może w pełni legalnie oferować własne układy FRAM, gwarantując klientom pełną zgodność z normami prawnymi oraz najwyższą jakość wykonania.

Warto podkreślić, że chińskie firmy coraz mocniej zaznaczają swoją obecność w branży półprzewodników. Nie chodzi już tylko o produkcję prostych elementów, takich jak diody czy tranzystory – dynamicznie wchodzą również w obszary zaawansowanych technologii, wcześniej zarezerwowanych dla globalnych graczy. Smart Memories jest doskonałym przykładem takiego „chińskiego asa”, a jego produkty wyróżniają się konkurencyjnością, innowacyjnością i niezawodnością.

To właśnie firma Micros wprowadza pamięci Smart Memories na rynek, pokazując swoje wyjątkowe umiejętności w wyszukiwaniu w Chinach produktów o wysokiej jakości i unikalnym potencjale. Dzięki Micros klienci mają dostęp do nowoczesnych pamięci FRAM, które są znacznie tańsze niż ich odpowiedniki produkowane przez Cypress (Infineon), zachowując pełną kompatybilność i niezawodność. To sprawia, że są one doskonałą alternatywą kosztową, pozwalającą znacząco obniżyć budżet projektu bez kompromisów technologicznych.

Produkty Smart Memories znajdują zastosowanie w szerokim spektrum branż – od przemysłu i motoryzacji, przez automatykę i energetykę, aż po medycynę i IoT. Niezawodność, niski pobór energii i niemal nieograniczona liczba cykli zapisu sprawiają, że pamięci FRAM tej marki są naturalnym wyborem tam, gdzie tradycyjny EEPROM czy Flash nie spełniają wymagań.

Jeśli chcesz zobaczyć aktualne stany magazynowe i ceny, kliknij na symbole produktów.

Symbol

Pojemność

Interfejs

Częstotliwość zegara interfejsu

Napięcie zasilania

Temperatura pracy

Odpowiednik dla:

SF24C64-WSH-IT

SF24C64-WSH-IT SMART MEMORIES

64Kbit (x 8-bit)

TWI

1MHz

1,7~5,5V

-40~85°C

FM24C64B,

FM24CL64B

SF24C512-WSH-IT

SF24C64-WSH-IT SMART MEMORIES

512Kbit (x 8-bit)

TWI

1MHz

1,7~5,5V

-40~85°C

FM24C512

SF25C128-NSH-IT

SF24C64-WSH-IT SMART MEMORIES

128Kbit (x 8-bit)

SPI

25MHz

2,7~3,6V

-40~85°C

FM25V01, FM25V01A

SF25C20-MSH-IT

SF24C64-WSH-IT SMART MEMORIES

2Mbit (x 8-bit)

SPI

25MHz

1,8~3,6V

-40~85°C

FM25V20,

FM25V20A

Tabela 1. Pamięci FRAM firmy SMART MEMORIES w ofercie Micros

Powrót na listę aktualności