Postaw na szybkość: diody impulsowe JSMSEMI już w sprzedaży

2026-02-13

Szybkie i ultraszybkie diody przełączające do zastosowań sygnałowych i ochronnych

Diody JSMSEMI z serii BAS oraz BAV to wysokiej jakości diody przełączające, zaprojektowane do pracy w układach wymagających bardzo krótkiego czasu reakcji, wysokiej niezawodności oraz stabilnych parametrów elektrycznych. Diody BAS/BAV znajdują zastosowanie przede wszystkim w torach sygnałowych oraz przy szybkim przełączaniu napięć w nowoczesnej elektronice cyfrowej i analogowej.

Seria obejmuje modele o zróżnicowanych parametrach prądowych (do 0,25A) oraz napięciowych (od 75V do 250V), co pozwala na elastyczny dobór komponentu w zależności od wymagań aplikacji. Dzięki bardzo krótkim czasom odzyskiwania (od kilku do kilkudziesięciu nanosekund) diody te zapewniają minimalne straty przełączania oraz wysoką integralność sygnału.

Cechy techniczne

  • Bardzo szybki i ultraszybki czas przełączania (typowo 4–50 ns, w zależności od modelu)
  • Maksymalny prąd przewodzenia do 250 mA
  • Napięcie wsteczne od 75 V do 250 V
  • Niska pojemność złącza – ograniczone zniekształcenia sygnału
  • Stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur
  • Niska strata mocy (do ok. 0,5W w zależności od wersji)
  • Wersje SMD zoptymalizowane pod montaż powierzchniowy
  • Pakowanie taśma/krążek – gotowe do produkcji masowej

Zastosowania:

  • Elektronika cyfrowa: linie danych i magistrale, układy logiczne, szybkie przełączniki sygnałów
  • Ochrona układów: zabezpieczenia wejść przed przepięciami, tłumienie pików napięciowych, ochrona mikrokontrolerów i układów scalonych
  • Telekomunikacja i multimedia: tory audio i wideo, urządzenia komunikacyjne, systemy RF niskiej mocy
  • Zasilanie i automatyka: przetwornice impulsowe, sterowniki, moduły I/O, elektronika przemysłowa
  • Elektronika użytkowa: sprzęt AGD, urządzenia przenośne, systemy sterowania

Jeśli chcesz zobaczyć aktualne stany magazynowe i ceny, kliknij na symbole produktów.

SYMBOL OPIS

BAS16

BAS16 SOT23 JSMSEMI dioda impulsowa

0,15A; 75V; ultra szybka <6ns; pakowanie: taśma/krążek

BAS16J

BAS16J SOD323 JSMSEMI  dioda impulsowa

0,25A; 100V; szybka <4ns; pakowanie: taśma/krążek

BAS21

BAS21 SOT23 JSMSEMI

0,2A; 250V; SMD; 50ns; pakowanie: taśma/krążek

BAS216WT

BAS216WT SOD523 JSMSEMI

100V; 0,15A; 4ns; 150mW pakowanie: taśma/krążek

BAV102

BAV102 SOD80 JSMSEMI dioda impulsowa

0,25A; 200V; szybka <50ns; pakowanie: taśma/krążek

BAV199

BAV199 SOT23 JSMICRO dioda impulsowa podwójna

0,2A; 80V; <3us; pakowanie: taśma/krążek

BAV21W

BAV21W SOD123 JSMSEMI

0,2A; 250V; SMD; 0,5W; pakowanie: taśma/krążek

BAV21WS

BAV21WS SOD323 JSMSEMI dioda przełączająca

0,2A; 250V; szybka <50ns pakowanie: taśma/krążek

BAV70W

BAV70W SOT323 JSMSEMI

0,175A; 100V; SMD; 4ns; pakowanie: taśma/krążek
Powrót na listę aktualności